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雙管正激參數(shù)及控制環(huán)路的SABER仿真設(shè)計(jì)

作者： 時(shí)間：2011-09-19 來源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
(2)濾波電容

本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/178627.htm

　　濾波電容的容量分以下兩種情況討論：

　?、俨捎闷胀ǖ匿X電解電容，根據(jù)文獻(xiàn)[3]，此類電容在開關(guān)頻率低于500kHz，且RoCo大于開關(guān)管的關(guān)斷和導(dǎo)通時(shí)間的一半時(shí)，輸出紋波僅由ESR(Ro)決定。

　　

　　此方法隨技術(shù)的進(jìn)步變得不合實(shí)際，最好從廠家或測(cè)試得到電容的ESR值。

　?、跒V波電容采用零ESR或低ESR電容，自身阻容形成的零點(diǎn)(1/2πRest×C)較高，但對(duì)環(huán)路設(shè)計(jì)的影響不大;若低ESR值的電容采用大容量，其自身阻容形成的零點(diǎn)使得在帶寬附近的高頻衰減不夠，可能引起振蕩，增加補(bǔ)償器的設(shè)計(jì)難度。如圖3、圖4所示。

　　

　　考慮電容的發(fā)熱影響壽命，取22μF。

　　電容的ESR值的最大值為

　　ESR(max)=△U/△I=0.1/l=0.1 Ω

　　ESR超過0.1Ω，紋波電壓會(huì)增加。

　　

　　4 使用SABER對(duì)開環(huán)仿真

　　在SABER中建立平均模式雙管正激的模型，如圖5所示。

　　下表為圖5模型使用的主要模塊及參數(shù)：

　　

　　

SABER中建立平均模式雙管正激的模型

評(píng)論


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