新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設計應用 > 一種高電源抑制的基準源的設計

一種高電源抑制的基準源的設計

作者: 時間:2011-08-03 來源:網(wǎng)絡 收藏

在電流鏡的選取上,采用威爾遜電流鏡,精度高,不需外加偏置電路,因此比較高。輸出管采用mos管,對VQC5、VQC1支路電路影響小。通過增加MC1,使VQC2和VQC1的集電極電位相近,減小誤差。
e.jpg
產(chǎn)生的Vref為4.75 V,在放大電壓的同時,PSR、溫漂均放大了4倍,即PSR升高了12 dB(在隨后的仿真波形中可以看到)。
1.2 LDO
LDO在低頻時的PSR主要取決于運放的增益,為此選擇折疊共源共柵電路。此LDO電路基于文獻中的電路修改,如圖2所示,并采用PSR高的偏置生成電路。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/178795.htm

f.jpg


1. 3 啟動電路
Brokaw核心本身存在0狀態(tài),VQC5基極為高電平,VQC2、VQC1基極為低電平,因此引入如圖3的啟動電路。

g.jpg


圖3中右下角即為啟動電路。對于常規(guī)Brokaw,當VQC2基極電壓低于啟動電壓時,VQCS2將VQC5基極電壓拉低VQC2基極電壓拉高,使電路啟動,所以VQCS2僅需很小的基極電流就可以使電路啟動。
但是,由于本采用LDO供電,而LDO的參考電壓是bg,存在死循環(huán),即bg低,則LDO低,所以核心的VQC5無法給VQCS2提供電流,也就無法提高VQC2的電壓即bg,因此需要外界提供大電流bias-start,使得當LDO無法啟動核心時,此電流可以足夠大,在RC4上產(chǎn)生的壓降使bg達到足夠大,繼而LDO達到使基準核心啟動所需的最低電壓,從而使電路進入自動修正狀態(tài),最終使bg和ref達到指定電壓。
這樣雖然能啟動,但是,正常工作時,此大啟動電流bias-start將通過VQCS1和VQCS3流向地,增加了系統(tǒng)的負擔。因此,在電流輸出管MB3下加入控制管MBC,并使得在正常工作時,LDO的高電壓足以使MBC關(guān)斷,從而降低啟動電路的損耗。

電子鎮(zhèn)流器相關(guān)文章:電子鎮(zhèn)流器工作原理


電子鎮(zhèn)流器相關(guān)文章:




關(guān)鍵詞: 設計 基準 抑制 電源

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉