雙H橋雙峰雙向脈沖電鍍電源設(shè)計與仿真
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本設(shè)計中第一個H橋開關(guān)管選用IR公司HEXFET系列的功率MOSFET管IRFP450L：td(off)=30ns，tf=30 ns，所以開關(guān)管的關(guān)斷時間：toff=tf+td(off)=30+30=60 ns。第二個H橋開關(guān)管選用IGBT管GT40T101，選用的方法與選用第一個H橋開關(guān)管類似，此處不累贅。
高頻變壓器原邊繞組匝數(shù)為118，副邊繞組匝數(shù)為14，匝數(shù)比n=8．3。
2)全橋移向變換器中Llk的選擇
聯(lián)立以上兩式得：
26．892 μHLlk747 μH本設(shè)計中取Llk=30μH。
3)超前橋臂開關(guān)管并聯(lián)電容Cr(C1、C2)的選擇緩沖電容Cr的作用是實現(xiàn)超前臂的軟開關(guān)關(guān)斷，為了保證超前臂不直通，必須滿足
其中fL是輸出濾波電感的工作頻率fL=2f=40 kHz；Ioccm是維持電感電流連續(xù)的標稱最小電流，本設(shè)計中?。篒occm=10％Io；得到L=44．6μH增加裕度10％，本設(shè)計中L取值為50μH。
6)輸出濾波電容的選擇
本設(shè)計選用4 700 μH鉭電解電容和4．7 μF普通電容并聯(lián)濾波。
7)全橋移向軟開關(guān)各時間段的計算
本設(shè)計中由于用PISIM仿真軟件，其中PWM模塊是利用開關(guān)點的數(shù)目和開關(guān)點(用度表示)來設(shè)置，所以必須將對應(yīng)的時間轉(zhuǎn)換為角度。
PWM1：頻率：20kHz；開關(guān)點數(shù)：2；開關(guān)點：1．7928 180；
PWM2：頻率：20kHz；開關(guān)點數(shù)：2；開關(guān)點：181．7928360；
PWM3：頻率：20 kHz；開關(guān)點數(shù)：2；開關(guān)點：216576．395．13：
PWM4：頻率：20kHz；開關(guān)點數(shù)：2；開關(guān)點：36．576 215．13；
PWM5：頻率：100Hz；開關(guān)點數(shù)：4；開關(guān)點：0 60 90 150；
PWM6：頻率：100Hz：開關(guān)點數(shù)=4；開關(guān)點：180 240 270 330；
PWM7：頻率：100Hz；開關(guān)點數(shù)：4；開關(guān)點：180 240 270 330；
PWM8：頻率：100Hz；開關(guān)點數(shù)：4；開關(guān)點：0 60 90 150；
5 主電路仿真結(jié)果
本設(shè)計利用PSIM作為仿真軟件，它是專門為電力電子和電動機控制設(shè)計的一款仿真軟件。它具有快速的仿真功能和友好的用戶界面等優(yōu)點，針對不同用戶而提供的一種強有效的仿真環(huán)境。PSIM具有獨特仿真速度、可控制任意大小的電力變換回路、及對控制回路仿真功能的特點，在各個不同系統(tǒng)的仿真領(lǐng)域、控制環(huán)的設(shè)計、以及電機驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。PSIM作為仿真工具以及設(shè)計工具使用，可以大大提高工作效率和生產(chǎn)性能，對降低開發(fā)成本和到出廠時間的縮短都起到舉足輕重的作用。仿真結(jié)果如圖3所示。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/179155.htm
6 結(jié)束語
1)無孔針鍍鎳：用直流電鍍，48 h，鍍層厚度240 μm，且鍍層粗糙。采用雙峰雙向脈沖電鍍電源，鍍層厚度240μm只需20 h，表面光滑，無毛刺。節(jié)約時間將近2倍。
2)雙脈沖鍍銅：給PCB板鍍銅，用普通直流電鍍時通常出現(xiàn)孔徑兩端之銅層過厚但中心銅層不足之現(xiàn)象，導(dǎo)致印刷電路板不合格，現(xiàn)采用雙峰雙向脈沖電鍍電源，脈沖頻率1000 Hz，正向開通時間為300 μs，正向關(guān)斷時間50μs，反向開通時間為100 μs，反向關(guān)斷時間為50μs，即可克服直流電鍍時出現(xiàn)孔徑兩端之銅層過厚但中心銅層不足之現(xiàn)象。
從以上實驗證明，此方案既能提高電鍍質(zhì)量，又能節(jié)約電鍍時間，有較好的應(yīng)用價值。
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