用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度

表1 幾種封裝的對(duì)比

　　基于所有上述特性，PQFN5×6銅片封裝具有與DirectFET封裝(未使用頂部冷卻)相似的性能，這實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升，同時(shí)能利用最新硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)其所有的優(yōu)勢(shì)。在通常采用多個(gè)并聯(lián)SO-8 MOSFET的設(shè)計(jì)中，PQFN 5×6銅片技術(shù)可用單個(gè)器件代替兩個(gè)或更多傳統(tǒng)器件，從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并提高可靠性。利用單個(gè)器件取代多個(gè)器件對(duì)于尺寸嚴(yán)格受限的電源(如1/2磚或更小尺寸的電源模塊)而言同樣是一大優(yōu)勢(shì)。例如，圖4顯示了現(xiàn)有磚型電源的次級(jí)同步整流效率曲線。這是一種通用設(shè)計(jì)，次級(jí)的每個(gè)腳采用兩個(gè)并聯(lián)MOSFET。利用IR公司提供的PQFN器件，我們可以用單個(gè)低導(dǎo)通電阻PQFN取代2個(gè)并聯(lián)MOSFET，并實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的全負(fù)荷效率。

圖4 IR的PQFN器件在次級(jí)整流應(yīng)用中比競(jìng)爭(zhēng)器件表現(xiàn)更好

　　本文小結(jié)

　　對(duì)更高能效、更高功率密度和更高可靠性的要求是并將一直是電源設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)。同樣，增強(qiáng)型封裝技術(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)也至關(guān)重要。PQFN技術(shù)提供了一個(gè)靈活開(kāi)放的封裝平臺(tái)，能為那些著眼于SO-8性能水平以上的設(shè)計(jì)人員提供所需的改進(jìn)。當(dāng)利用經(jīng)優(yōu)化的銅片結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良之后，PQFN 5×6封裝可提供近似于DirectFET(無(wú)需頂部冷卻)等高性能專有封裝技術(shù)的性能，不過(guò)DirectFET的能效和功率密度仍然最高。