用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度

當(dāng)今大多數(shù)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)都要求高能源效率，包括非消費(fèi)型電子設(shè)備在內(nèi)，例如工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器和電信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施。對(duì)于電源而言，同樣需要高功率密度和可靠性，以便降低總擁有成本。

　　隨著開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換成為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設(shè)計(jì)人員設(shè)法通過(guò)芯片級(jí)創(chuàng)新和改進(jìn)封裝來(lái)不斷提升功率MOSFET的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和影響開(kāi)關(guān)性能的因素(如柵極電荷QG)之間的平衡方面逐步取得進(jìn)展。

　　國(guó)際整流器公司(IR)目前可提供多種不同的芯片，從而使電源設(shè)計(jì)人員有機(jī)會(huì)在中低壓范圍內(nèi)選擇導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)性能最優(yōu)組合的器件。

　　封裝創(chuàng)新主要集中在降低寄生效應(yīng)方面，例如無(wú)芯片封裝電阻(DFPR)和封裝電阻，它們會(huì)導(dǎo)致功率損耗并在電流額定值和開(kāi)關(guān)速度方面限制器件的性能。

　　封裝接合線和引線框上不必要的電感使得柵極上會(huì)維持一定的電壓，從而阻止柵極驅(qū)動(dòng)器關(guān)斷器件。這會(huì)大大延遲關(guān)斷，從而增加MOSFET的功率損耗，降低轉(zhuǎn)換效率。此外，雜散電感可導(dǎo)致電路中出現(xiàn)超過(guò)器件電壓額定值的電壓尖峰，從而導(dǎo)致出現(xiàn)故障。

　　旨在降低電阻和提升熱性能的封裝改進(jìn)還可極大地提升小封裝尺寸內(nèi)的電流處理能力，同時(shí)有助于器件冷卻，并提高器件可靠性。

　　當(dāng)今的功率MOSFET封裝

　　采用Power SO8封裝的MOSFET通常用在電信行業(yè)輸入電壓范圍從36V至75V的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)1/2磚、1/4磚、1/8磚和1/16磚尺寸電源模塊等應(yīng)用中。面向不同半橋驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用的DC馬達(dá)控制電路也使用功率MOSFET。這種封裝與常見(jiàn)的插入式封裝相比具有優(yōu)勢(shì)，包括顯著縮小的尺寸和更便于表面貼裝組裝。對(duì)于功率應(yīng)用而言，Power SO-8封裝具有增強(qiáng)的引線框設(shè)計(jì)，與普通SO-8封裝結(jié)構(gòu)相比具有更強(qiáng)的電流處理能力。不過(guò)，市場(chǎng)對(duì)于提高功率處理能力、功率密度和能效的不變需求要求設(shè)計(jì)人員不斷在性能方面尋找突破。

　　對(duì)于要求更高操作電流或更高效率的應(yīng)用而言，將兩個(gè)SO-8(或類(lèi)似)功率MOSFET并聯(lián)可使總電流額定值提高一倍，同時(shí)降低導(dǎo)通電阻，減小損耗。這種技術(shù)現(xiàn)在已廣泛使用，但是不可避免地會(huì)使設(shè)計(jì)趨于復(fù)雜：不僅需要更多組件，而且設(shè)計(jì)人員必須小心地匹配導(dǎo)通電阻和柵極閾限等參數(shù)，以確保負(fù)載電流的平均分配。匹配柵極電荷參數(shù)對(duì)于確?？煽康拈_(kāi)關(guān)性能同樣重要，這樣器件不會(huì)在其協(xié)同(companion)器件之前導(dǎo)通。

　　因此，改進(jìn)封裝以改善導(dǎo)通電阻和電流處理能力的原因有多種。用改進(jìn)的PQFN器件一對(duì)一替換標(biāo)準(zhǔn)SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強(qiáng)，并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應(yīng)用中，采用增強(qiáng)型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個(gè)組件代替一個(gè)并聯(lián)的組件對(duì)。這樣，通過(guò)簡(jiǎn)化布局和降低電路匹配挑戰(zhàn)能夠簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。其它優(yōu)勢(shì)還包括更高的可靠性和降低BOM成本，即當(dāng)兩個(gè)或更多并聯(lián)MOSFET被一個(gè)器件代替時(shí)。

　　增強(qiáng)型功率封裝(如IR的DirectFET封裝)可提供大幅改進(jìn)的電氣和熱性能。更為重要的是，DirectFET和PQFN可輕松安裝在電路板上，并與現(xiàn)有表面貼裝回流技術(shù)兼容，因此能夠較輕松地設(shè)計(jì)到新的或現(xiàn)有的電路板中。

　　先進(jìn)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

　　Power QFN(PQFN)封裝是基于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)四邊扁平無(wú)引腳(QFN)表面貼裝封裝的熱性能增強(qiáng)版本，QFN封裝在四周底側(cè)裝有金屬化端子。這樣，就可采用標(biāo)準(zhǔn)化規(guī)則管理尺寸和端子配置，并為工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)功率封裝奠定基礎(chǔ)，從而給新一代設(shè)計(jì)帶來(lái)先進(jìn)性能。

　　IR和其他全球性功率半導(dǎo)體廠商目前可提供5mm×6mm匹配標(biāo)準(zhǔn)SO-8外形的PQFN器件，以及3mm×3mm的微型化PQFN器件。IR將這些封裝分別稱(chēng)為PQFN 5×6和PQFN 3×3。其他廠商則以Power56或SuperSO-8等名稱(chēng)銷(xiāo)售PQFN器件。