變壓器繞制工藝之變壓器分布電容

　　電容C就是層間電容

　　層間電容是變壓器的分布電容中對電路影響最重要的因素，因為這個電容會跟漏感在MOSFET開通于關(guān)閉的時候，產(chǎn)生振蕩，從而加大MOSFET與次級Diode的電壓應(yīng)力，使EMC變差。

　　既然有害處，那么我們就需要想辦法來克服它，把它的影響降低到可以接受的范圍。

　　方法一：參照6樓的公式，在d上作文章，增大繞組的距離來減小層間電容，最有代表性的就是采用三重絕緣線。

　　但這個方法有缺點，因為線的外徑粗了之后，帶來的后果就是繞線層數(shù)的增加，而這不是我們想看到的。

　　方法二：可以通過選擇繞線窗口比較寬的磁芯骨架，因為繞線窗口寬，那么單層繞線可以繞更多的匝數(shù)，也意味著可以有效降低繞線的層數(shù)，那么層間電容就有效降低了。

　　這個是最直接的，也是最有效的。

　　但同樣有缺點，選擇磁芯骨架要受到電源結(jié)構(gòu)尺寸的限制。

　　方法三：可以在變壓器的繞線工藝上來作文章

　　可以采用交叉堆疊繞法來降低層間電容，如下圖

　　此種繞法有個顯著缺點，會增加初次級之間的耦合面積，也就是說會加大初次級繞組之間的電容，使EMC變差，有點得不償失的感覺。

　　方法四：還是在繞制工藝上作文章

　　先來看普通的繞法

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