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針對以太網電源(PoE)的高功率設計

作者: 時間:2010-11-19 來源:網絡 收藏


兩對大電流方案

通過簡單地改變傳感器電阻的數(shù)值(圖1a中的RS1到RS4),就可以增加PSE的級別。RSn被設為0.5Ω,符合802.3af標準的規(guī)定 (375mA ICUT,425mA ILIM)。例如,將RSn減小到0.25Ω,就可以把電流限制增加一倍(750mA ICUT, 850mA ILIM)。當采用短電纜時,這就可以把PD增加一倍;如果電纜較長,其損耗就會增加,從而把傳遞給PD的限制為小于原來的兩倍。



圖2a:雙電流大功率、符合802.3af標準的PSE。

注意,LTC4258也采用傳感器電阻來檢測直流的斷路。把該電阻的數(shù)值減少到0.25Ω,直流斷路門限就可以增加一倍,技術上就不符合標準的要求。其它 802.3af參數(shù)就不受影響:檢測和分類仍然符合標準的要求;而交流斷路門限(僅僅對LTC4259)不受傳感器電阻變化的影響。因為所提高的直流門限存在斷開非常低功率的802.3afPD的風險,盡管這種風險比較?。粚τ诰邆?02.3af PD的互通性,推薦采用交流斷路。

要改變每個通道的其它兩個元件,以處理額外的電流。典型情況下,MOSFET Q4要用較大的器件取代,以在電流限制期間承受更大的功率。在這種應用中,采用D2PAK封裝的IRF530類器件就足夠了。此外,也要指定數(shù)據(jù)磁性模塊以承載更高的電流。幾家磁性元件供應商最近推出了具有足夠電流能力的器件。

通過增加兩個新元件,我們可以在符合802.3af的工作和大功率條件兩者之間進行切換。在這種情形下,RS4要設置為原始的 0.5Ω數(shù)值,并要選擇RS4B,以便RS4 II RS4B提供期望的更大電流。把RS4B設置為0.5Ω(與RS4的數(shù)值相同),就可以把大功率模式設置為802.3af的功率電平的兩倍。

當Q4B關閉的時候,端口工作在符合802.3af標準的模式。打開Q4B開關,端口就工作在大電流模式。這種切換可以在任何時間進行:在檢測/分類之前;在檢測/分類之后,但是要在端口上電之前;或在供電之后。注意,Q4B可以采用低壓 MOSFET,因為僅僅Q4的漏極具有高端口電壓。Q4B要選擇導通電阻非常低的MOSFET,以防止在更大電流限制中精度不夠。例如, IRLML2502就是采用SOT-23封裝的一種合適的器件。

對PD的改變稍微復雜一些(圖2b),因為內部的MOSFET被預先配置為工作在375mA限制電流。然而,添加受PWRGD引腳控制的外部無源器件,就容許工作在大電流模式;與此同時,維持完整的802.3af檢測和分類特征,且限制瞬間峰值電流。




圖2b:兩對大功率PD。


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