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MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及利用

作者: 時(shí)間:2010-04-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

 下面是我對(duì)基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,非所有原創(chuàng)。包含 MOS管的推選 ,特征,以及運(yùn)用 ?!?br />  在運(yùn)用 MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)的時(shí)候,大部分人都會(huì)思慮 MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有許多人僅僅思慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不準(zhǔn)許的。
  1、MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)
  管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類(lèi)型,但實(shí)際運(yùn)用 的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號(hào)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/180949.htm

MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及利用[多圖]圖片1

  至于為什么不運(yùn)用耗盡型的MOS管,不建議刨根問(wèn)底。
  對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管,比較常用的是NMOS。原由是導(dǎo)通電阻小且基本 制造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的運(yùn)用 中,通常都用NMOS。下面的推選 中,也多以NMOS為主。
  在MOS管圖上可以看到,漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管,在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載(如馬達(dá)),這個(gè)二極管很主要。順便說(shuō)一句,體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在,在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒(méi)有的。下圖是MOS管的構(gòu)造圖,通常的圖中都畫(huà)成右圖所示的樣子?!?(柵極保衛(wèi)用二極管有時(shí)不畫(huà))

MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及利用[多圖]圖片2
MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在,如右圖所示。這不是咱們須要的,而是由于制造工藝限定產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或挑選驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些,但沒(méi)有方法防止,在MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)時(shí)再細(xì)致推選 。

MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及利用[多圖]圖片3

  2、MOS管導(dǎo)通特征
  導(dǎo)通的意思是作為開(kāi)關(guān),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)上合。
  NMOS的特征,Vgs大于必須的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。
  PMOS的特征,Vgs小于必須的值就會(huì)導(dǎo)通,運(yùn)用與源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是,雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)錢(qián)貴,替換種類(lèi)少等原由,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是運(yùn)用 NMOS。

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