藏區(qū)太陽(yáng)能照明壁柜磚系統(tǒng)的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

在NPN三極管的基極通過(guò)R11與PWM相連接，而該P(yáng)WM波則通過(guò)SPCE061A主控板輸出控制信號(hào)。當(dāng)PWM輸出為低電平時(shí)，NPN三極管VQ3的主回路處于截止?fàn)顟B(tài)，由此判斷，MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài)，太陽(yáng)能電池板與蓄電池的充電回路等價(jià)于開(kāi)路狀態(tài)；當(dāng)PWM輸出為高電平時(shí)，VQ3導(dǎo)通，太陽(yáng)能電池板正極→R3→R7→VQ3→接地形成回路，由于R3的分壓作用，使得MOSFET導(dǎo)通，充電主回路導(dǎo)通，蓄電池處于充電狀態(tài)。
整個(gè)電路控制的核心是PWM波對(duì)MOSFET導(dǎo)通截止的控制，該設(shè)計(jì)采用三段式充電方法，主控板SPCE061A具備PWM輸出功能，保證本系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)三段式充電算法，從而有效保護(hù)蓄電池。
4．2 硬件保護(hù)電路工作原理
過(guò)載保護(hù)是通過(guò)采集充放電電路的狀態(tài)值(主回路的電流)實(shí)現(xiàn)的，當(dāng)充放電電路出現(xiàn)異常時(shí)，不妨設(shè)放電電流較大時(shí)，則電路通過(guò)主回路使I＿DET的電位減小。圖2中，由B+→+F1→J10→I_DET→R14→接地的主回路看出，I_IDE實(shí)際接近地電位，在分析充電過(guò)程中，可近似等效為地電位。
圖3為過(guò)載保護(hù)電路，由VDD→R30→R35→地，可以算出IC1B(LM358A)的同向端為0．15 V；而由R24和R25構(gòu)成的反饋閉環(huán)回路則使得等式(Vo－V＿)/R25=(V_-0)/R24成立，進(jìn)而可得等式：Vo=(V_R25)/R24+V-，由于運(yùn)放處于深度負(fù)反饋狀態(tài)，則有V_=V+=0．15 V。I_DET的電位變化經(jīng)IC1B后放大，即電位變正則在放大后電位更高，如果是負(fù)向變化(如放電)，則電位向負(fù)向變化更明顯．最終輸出的是電位變化較大的I_AD信號(hào)。

I_AD信號(hào)通過(guò)IC1A開(kāi)環(huán)電壓比較器，與基準(zhǔn)電壓V_REF(1．4V)進(jìn)行比較，在未過(guò)充時(shí)，I_AD信號(hào)的輸出電位應(yīng)為2．107 5 V，高于IC1A同向端的基準(zhǔn)電壓1．4 V，則電路輸出為低，即地電位。此時(shí)，該狀態(tài)不會(huì)對(duì)由VQ1、VQ2、VQ5、VQ6所組成的控制回路產(chǎn)生影響，即由R21和VD9所形成的支路等價(jià)于斷開(kāi)。
如果是過(guò)放情況，主回路的電流增加，I_DET的電位減小→IC1B的輸出I_AD電位更低(小于比較器的基準(zhǔn)電壓V_REF)→比較器輸出的電位由低變?yōu)楦?INT1為高電平)。此時(shí)，VQ2和VQ6(是控制回路另一路)在INT1高電平的作用下，經(jīng)VD9(或VD5)→VQ6(或VQ2)→地，而VQ2和VQ6的集電極均通過(guò)電阻與電源正極相連，因此，VQ2和VQ6無(wú)條件強(qiáng)制導(dǎo)通，V1_Driver，V2_Driver被強(qiáng)制拉至低電平，照明輸出負(fù)載將被強(qiáng)制關(guān)斷，這樣就避免過(guò)放電(即負(fù)載短路)。