五種降低離線(xiàn)反向電源功耗的方法

另一種方法是用齊納二極管代替RCD鉗位。齊納二極管鉗位可以降低輕負(fù)載時(shí)鉗位中的損耗。但是，在較高負(fù)載時(shí)，齊納二極管鉗位與RCD鉗位相比功耗會(huì)高出許多。

4、將二次穩(wěn)壓電路的功耗降低數(shù)毫瓦。

當(dāng)談及待機(jī)損耗時(shí)，所有的電路都會(huì)涉及到，其中包括調(diào)節(jié)輸出的誤差放大器。圖4的左側(cè)部分顯示了一個(gè)12V電源的典型穩(wěn)壓電路。常用的TL431需要至少1mA的靜態(tài)電流來(lái)確保穩(wěn)壓。這是通過(guò)R2實(shí)現(xiàn)的，其通常會(huì)導(dǎo)致15mW～50mW的損耗。R3和R4的電阻分壓器對(duì)輸出電壓進(jìn)行了設(shè)置。憑借一個(gè)12.6kΩ的串聯(lián)電阻，這些電阻消耗的功耗便為11mW。

圖4的右側(cè)顯示了一種調(diào)節(jié)輸出的更高效的方法。用TLV431來(lái)代替TL431，這只需要80μA的靜態(tài)電流就可以確保穩(wěn)壓。通過(guò)光學(xué)耦合器驅(qū)動(dòng)的電流足以為T(mén)LV431供電，因此就可以把R2去除掉了。TLV431的額定最大壓為6.3V，因此“無(wú)經(jīng)驗(yàn)設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)的由Q1、R5和D1組成的線(xiàn)性穩(wěn)壓器”電路保護(hù)了該器件。R5和D1增加了額外的3mW損耗。將反饋分壓器的電阻提高10倍我們就可以節(jié)省10mW的功耗。

5、保持精確的偏置電平。

如果您仍然想竭力節(jié)約更多電力的話(huà)，那么優(yōu)化控制器的偏置電壓可能會(huì)讓您實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。該偏置電壓必須要足夠高，以確?？刂破髟谒胸?fù)載條件下都保持開(kāi)啟。此外，電壓還必須要足夠高以在其被施加到柵極時(shí)增強(qiáng)MOSFET。將偏置電壓設(shè)置到比控制器和MOSFET要求的任何更高電壓只會(huì)增大額外的損耗。

大多數(shù)控制器都會(huì)在觸發(fā)模式運(yùn)行時(shí)降低其靜態(tài)電流，這樣就減少了靜態(tài)電流增加偏置電壓的相關(guān)損耗。典型的靜態(tài)電流會(huì)從正常運(yùn)行時(shí)的2–3mA降為觸發(fā)運(yùn)行時(shí)的200–300uA。控制器產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)中規(guī)定的這一電流不包括MOSFET柵極的充放電電流。柵極充電電力等于偏置電壓、柵極電荷、開(kāi)關(guān)頻率以及觸發(fā)模式占空比的乘積。由于柵極電荷隨偏置電壓的增加而增加，不必要的高壓會(huì)進(jìn)一步增加損耗。幸運(yùn)的是，觸發(fā)模式運(yùn)行避免了偏置損耗過(guò)高。在大多數(shù)情況下，最小化偏置電壓可節(jié)省大約10mW～20mW的功耗。

最小化電源輕負(fù)載損耗需要仔細(xì)檢查每一個(gè)組件的功率損耗。僅僅幾毫瓦的功耗就可以決定一款產(chǎn)品是否符合能源之星標(biāo)準(zhǔn)。實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)可以節(jié)省數(shù)百毫瓦的產(chǎn)品待機(jī)功耗。

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