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放大電路/調(diào)諧電路和變頻電路的設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2010-05-28 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

/的設(shè)計(jì)

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/188018.htm

/設(shè)計(jì)

利用圖21決定偏壓用的電阻值。首先,決定R1與R2值,使VG1S=0.5V。假設(shè)R2=47KΩ時(shí),I1=VG1S/R2=(0.5/47)×10-3,則R1=5.5/I1=517KΩ在此,取R1=510KΩ。用同樣的方法,可以求出R3=47KΩ,R4=100KΩ

圖21 的直流工作原理點(diǎn)的求法(利用電阻的分壓,可以決定VG1S,VG2s的通流電壓。) 圖22所示的為包含直流電路數(shù)值的電路。的L為使用FCZ研究所的144-10S,此雖然為144MHz用的線圈,在此做為諧振頻率為122MHz使用。在144MHz時(shí)使用C=7pF,因此,在122MHz的諧振頻率時(shí),C=7×(144/122)2,約=10(pF)

圖22 高頻率放大電路的設(shè)計(jì)(為了擴(kuò)寬頻帶寬,使用交錯(cuò)雙調(diào)諧電路。由許多諧振頻率不同的電路所組合而成,各諧振電路的特性尖銳。)

由于輸入側(cè)的諧振電路的信號(hào)源阻抗為50Ω,因此,Q值很小,頻帶寬較為寬廣。輸出端的諧振電路的Q值較大,此為利用二個(gè)諧振頻率不同的諧振電路電路以交錯(cuò)(stagger)方式組合而成,稱(chēng)之為交錯(cuò)諧振電路。

頻率變換電路的設(shè)計(jì)

Dual-Gate FET為利用G2電壓而改變順?lè)较騻鬟_(dá)電導(dǎo)|yfs|。利用此一特性,可以做乘算工作原理。

(利用局部振蕩器的信號(hào),改變FET的放大率,此為最基本的乘算電路。)

在圖23中,例如VGS2的工作原理點(diǎn)的1V,于G2加入1Vp-p的信號(hào)fosc,則隨著fosc振幅,|yfs|會(huì)在2mS~16mS間變化。因此,放大率(×A倍)會(huì)隨fosc振幅值而變化,fs的振幅會(huì)做A倍的變化。 如此,Dual-Gate FET可以當(dāng)做乘算電路工作原理,而產(chǎn)生(fs-fosc)與(fs+fosc)信號(hào)。 圖24所示的為頻率變換電路的原理圖。在如圖(a)所示之由晶體管或FET所構(gòu)成的乘算電路中,輸入fs與fosc二種頻率信號(hào)時(shí),由于此為不平衡型的頻率變換電路,因此,輸出會(huì)有(fs-fosc),(fs+fosc),fs,fosc四種頻率成分。此與DBM電路的最大不同點(diǎn)為,在輸出也會(huì)出現(xiàn)載波成分fs與fosc。 DBM的Double Balanced的意思,便是fs,fosc不會(huì)出現(xiàn)在輸出端。 圖(b)所示的為利用Dual?GateFET構(gòu)成頻率變換電路的情形。

(此一方式的頻率變換后的輸出信號(hào)有4種,可以利用諧振電路只取出所希望的信號(hào)。但是,如果此4種信號(hào)的頻率太接近時(shí),則很困難取出。)

由高頻率放大電路所輸出的信號(hào)加在閘極1(G1),而由局部振蕩電路所輸出的信號(hào)加在閘極2(G2),再由LC諧振電路取出所需要的fIF …… (fs-fosc)信號(hào)。

圖25 頻率變換電路的工作原理(要使頻率變換效率提高,VG2S的大小很重要。在FET的場(chǎng)合,G2的注入電壓必須為數(shù)Vp-p。)

在實(shí)際的變換電路中,如圖25所示,為了使VGS2=1V,其電阻值如下。R5=220KΩ,R6=47KΩ,

另外,加在G2上的高頻率電壓稱(chēng)之為注入電壓,此可以利用修整電容器CT調(diào)整為0.5~1V。



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