LTE多頻多模風(fēng)潮引爆 手機射頻前端設(shè)計改造

　　手機射頻前端(RFFront-end)將轉(zhuǎn)向高整合及薄型封裝設(shè)計。隨著長程演進(jìn)計劃(LTE)多頻多模設(shè)計熱潮興起，智慧型手機射頻前端不僅面臨多天線或多頻段干擾，以及設(shè)計空間吃緊的挑戰(zhàn)，還須支援載波聚合(CarrierAggregation,CA)增進(jìn)訊號接收能力，因而牽動相關(guān)晶片開發(fā)商加緊部署新一代射頻制程，并改進(jìn)單晶微波積體電路(MMIC)、射頻開關(guān)等元件的功能整合度和占位體積，從而滿足手機制造商更加嚴(yán)格的規(guī)格要求。

　　英飛凌應(yīng)用工程暨技術(shù)行銷總監(jiān)HeissHeinrich表示，隨著行動資訊傳輸量大增，下一代多頻多模LTE智慧型手機將側(cè)重射頻前端設(shè)計，以提升天線效能，并解決功耗和頻段干擾問題，同時也將進(jìn)一步導(dǎo)入電信商要求的載波聚合功能。因此，射頻晶片商亦須精進(jìn)制程、功能整合度和封裝技術(shù)，才能因應(yīng)手機廠對射頻相關(guān)元件愈來愈嚴(yán)格的要求。

　　英飛凌應(yīng)用工程暨技術(shù)行銷總監(jiān)HeissHeinrich提到，英飛凌未來將持續(xù)推出更高整合度的射頻前端解決方案。

　　Heinrich也強調(diào)，目前英飛凌已成為手機射頻暨電路保護(hù)裝置市場的龍頭，為搶占LTE多頻多模系統(tǒng)設(shè)計先機，近期已采用第八代矽鍺碳異質(zhì)雙極電晶體(SiGe:CHBT)技術(shù)，分別針對3G/4G及全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)(GPS)等應(yīng)用，率先開發(fā)出高整合度低雜訊放大器濾波器(LNA-Filter)MMIC;同時也發(fā)表新的互補式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)射頻開關(guān)，全面提升手機在高雜訊環(huán)境下的訊號接收和處理能力。

　　英飛凌亞太區(qū)應(yīng)用工程主管蔣志強補充，智慧型手機升級LTE多頻多模規(guī)格，須增加天線、開關(guān)和放大器數(shù)量才能支援更多頻段，因此如何縮減手機射頻前端的印刷電路板(PCB)占位空間，已成為晶片商首要克服的議題;再加上手機須兼顧高傳輸效能、輕薄與長效電力，更使MMIC晶片設(shè)計面臨極大考驗。

　　此外，手機射頻前端日益復(fù)雜，元件彼此之間亦將產(chǎn)生強烈的干擾，影響系統(tǒng)效能，因此英飛凌遂積極發(fā)展雙極矽鍺碳制程，并逐步導(dǎo)入各種薄型封裝方案，確保射頻元件達(dá)成精巧尺寸和優(yōu)良的線性度表現(xiàn)。

　　Heinrich指出，透過該公司第八代雙極矽鍺碳制程將能提高低雜訊放大器的靈敏度，而薄型封裝則可降低射頻模組和開關(guān)的諧波生成，更進(jìn)一步改善行動裝置內(nèi)部的多天線和多頻段干擾問題。

　　事實上，雙極矽鍺碳技術(shù)不僅有助打造LTE多頻多模系統(tǒng)，亦適用于60GHz以上超高頻應(yīng)用，可實現(xiàn)高效率、Gbit/s以上速度的點對點(Point-to-Point)通訊及資料傳輸，正逐漸在高階行動裝置的射頻應(yīng)用領(lǐng)域大放異彩;隨著各種要求小型、高效能且低功耗的射頻前端設(shè)計崛起，該技術(shù)更可望協(xié)助英飛凌持續(xù)擴張市場影響力。