LTE多頻多模風(fēng)潮引爆 手機(jī)射頻前端設(shè)計(jì)改造
手機(jī)射頻前端(RFFront-end)將轉(zhuǎn)向高整合及薄型封裝設(shè)計(jì)。隨著長程演進(jìn)計(jì)劃(LTE)多頻多模設(shè)計(jì)熱潮興起,智慧型手機(jī)射頻前端不僅面臨多天線或多頻段干擾,以及設(shè)計(jì)空間吃緊的挑戰(zhàn),還須支援載波聚合(CarrierAggregation,CA)增進(jìn)訊號(hào)接收能力,因而牽動(dòng)相關(guān)晶片開發(fā)商加緊部署新一代射頻制程,并改進(jìn)單晶微波積體電路(MMIC)、射頻開關(guān)等元件的功能整合度和占位體積,從而滿足手機(jī)制造商更加嚴(yán)格的規(guī)格要求。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/189448.htm英飛凌應(yīng)用工程暨技術(shù)行銷總監(jiān)HeissHeinrich表示,隨著行動(dòng)資訊傳輸量大增,下一代多頻多模LTE智慧型手機(jī)將側(cè)重射頻前端設(shè)計(jì),以提升天線效能,并解決功耗和頻段干擾問題,同時(shí)也將進(jìn)一步導(dǎo)入電信商要求的載波聚合功能。因此,射頻晶片商亦須精進(jìn)制程、功能整合度和封裝技術(shù),才能因應(yīng)手機(jī)廠對(duì)射頻相關(guān)元件愈來愈嚴(yán)格的要求。
英飛凌應(yīng)用工程暨技術(shù)行銷總監(jiān)HeissHeinrich提到,英飛凌未來將持續(xù)推出更高整合度的射頻前端解決方案。
Heinrich也強(qiáng)調(diào),目前英飛凌已成為手機(jī)射頻暨電路保護(hù)裝置市場的龍頭,為搶占LTE多頻多模系統(tǒng)設(shè)計(jì)先機(jī),近期已采用第八代矽鍺碳異質(zhì)雙極電晶體(SiGe:CHBT)技術(shù),分別針對(duì)3G/4G及全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)(GPS)等應(yīng)用,率先開發(fā)出高整合度低雜訊放大器濾波器(LNA-Filter)MMIC;同時(shí)也發(fā)表新的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)射頻開關(guān),全面提升手機(jī)在高雜訊環(huán)境下的訊號(hào)接收和處理能力。
英飛凌亞太區(qū)應(yīng)用工程主管蔣志強(qiáng)補(bǔ)充,智慧型手機(jī)升級(jí)LTE多頻多模規(guī)格,須增加天線、開關(guān)和放大器數(shù)量才能支援更多頻段,因此如何縮減手機(jī)射頻前端的印刷電路板(PCB)占位空間,已成為晶片商首要克服的議題;再加上手機(jī)須兼顧高傳輸效能、輕薄與長效電力,更使MMIC晶片設(shè)計(jì)面臨極大考驗(yàn)。
此外,手機(jī)射頻前端日益復(fù)雜,元件彼此之間亦將產(chǎn)生強(qiáng)烈的干擾,影響系統(tǒng)效能,因此英飛凌遂積極發(fā)展雙極矽鍺碳制程,并逐步導(dǎo)入各種薄型封裝方案,確保射頻元件達(dá)成精巧尺寸和優(yōu)良的線性度表現(xiàn)。
Heinrich指出,透過該公司第八代雙極矽鍺碳制程將能提高低雜訊放大器的靈敏度,而薄型封裝則可降低射頻模組和開關(guān)的諧波生成,更進(jìn)一步改善行動(dòng)裝置內(nèi)部的多天線和多頻段干擾問題。
事實(shí)上,雙極矽鍺碳技術(shù)不僅有助打造LTE多頻多模系統(tǒng),亦適用于60GHz以上超高頻應(yīng)用,可實(shí)現(xiàn)高效率、Gbit/s以上速度的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)(Point-to-Point)通訊及資料傳輸,正逐漸在高階行動(dòng)裝置的射頻應(yīng)用領(lǐng)域大放異彩;隨著各種要求小型、高效能且低功耗的射頻前端設(shè)計(jì)崛起,該技術(shù)更可望協(xié)助英飛凌持續(xù)擴(kuò)張市場影響力。
評(píng)論