基于FPGA的外部存儲器設(shè)計

摘要：為了提高雷達海量數(shù)據(jù)的處理速度，采用FPGA設(shè)計了一種高速外部存儲器，通過多次實驗，驗證了設(shè)計方法的可行性。高速外部存儲器可以有效地提高數(shù)據(jù)存儲速度，節(jié)約讀／寫時間，從而滿足信號處理的高速實時的要求。這種方法充分利用FPGA設(shè)計方便，SDRAM和FLASH的存儲讀寫速度快的優(yōu)勢，具有成本低廉，兼容性強，易于工程實現(xiàn)的特點。
關(guān)鍵詞：雷達信號處理；FPGA；SDRAM；FLASH；存儲器設(shè)計

0 引言
隨著雷達技術(shù)的進一步發(fā)展，對雷達信號處理的要求越來越高，在實時信號處理過程中有大量數(shù)據(jù)需要存儲，由于FPGA本身的存儲器容量非常小，根本滿足不了雷達信號處理過程中的需求，為解決這一問題，通過查詢資料，引入SDRAM和FLASH作為FPGA的外部存儲器。SDRAM存儲器以其快速、方便和價格相對便宜，因而，常被用在雷達信號實時處理上。選擇SDRAM而沒有SRAM是因為SRAM價格太貴，SDRAM相對便宜。沒有選擇DDR SDRAM的原因是因為在實際的雷達信號處理中并不需要那么高burst率，SDRAM足以滿足實際需求。SDRAM主要作用：在MTI處理時作為周期延遲器件、動態(tài)雜波圖的存儲和數(shù)據(jù)暫存等功能。雖然SDRAM有存儲容量大、價格相對便宜等優(yōu)點，但是其斷電所有數(shù)據(jù)丟失的缺點，使其僅在FPGA外部連接SDRAM作為外部存儲器件顯然是不能滿足設(shè)計需求的，因此，在設(shè)計過程中考慮到FLASH存儲。在設(shè)計中用FLASH存儲一些斷電不能丟失的數(shù)據(jù)，如：脈沖壓縮處理時的匹配濾波器系數(shù)、MTI處理時雜波加權(quán)系數(shù)、CFAR處理時的對數(shù)表以及一些函數(shù)求值等。

1 存儲電路設(shè)計
1．1 SDRAM存儲電路設(shè)計
在硬件電路設(shè)計過程中，先通過SDRAM的I／O接口電平標準選擇FPGA的外圍I／O電平標準，從而解決電氣互聯(lián)問題。根據(jù)實時信號處理過程中所需的存儲容量以及FPGA的型號，選擇了4片SDRAM存儲器，用于輸入／輸出緩存。芯片的型號為K4S641632N-LC／L75。SDRAM工作模式有多種，內(nèi)部操作是一個復雜的狀態(tài)機。SDRAM的管腳可以分為以下幾類：控制信號，包括片選、時鐘、時鐘使能、行列地址選擇、讀／寫選擇、數(shù)據(jù)有效等。地址線行列復用，數(shù)據(jù)引線是雙向傳輸。SDRAM的所有操作都同步于時鐘，都是在時鐘上升沿時控制管腳和地址輸入的狀態(tài)，進而產(chǎn)生多種需要的命令。
SDRAM與FPGA的連接，要把FPGA的普通I／O與SDRAM的除電源、NC和接地管腳之外管腳連接起來即可，所有的控制與工作時序都是由FPGA提供，由于管腳太多，采取了網(wǎng)絡(luò)標號連接，其電路原理圖如圖1所示。由于篇幅關(guān)系，只給出了部分電路圖。