基于FPGA的外部存儲器設計
1.2 FLASH存儲電路設計
為了滿足模塊內(nèi)部在系統(tǒng)斷電時的數(shù)據(jù)保護,在模塊內(nèi)部選擇了FLASH存儲器,F(xiàn)LASH存儲器是一種非易失型存儲器,在該設計中主要用于存放一些在系統(tǒng)掉電后需要保存的用戶數(shù)據(jù)等。芯片的型號為:SST39VF3201-70-4C-EK。該芯片的主要特點有:3.3 V單電源供電,內(nèi)部進行編程和擦除操作;高可靠性,超過100年的數(shù)據(jù)保存能力,32 Mb的存儲容量;快速擦除和編程功能,支持扇區(qū)擦除、塊擦除和整個芯片擦除,扇區(qū)和塊擦除時間為18 ms,整個芯片擦除時間為40 ms;片內(nèi)產(chǎn)生Vpp編程電壓,實現(xiàn)自動讀寫時序。
FPGA的引腳除電源、時鐘和復位以及幾個配置時鐘引腳外,其余引腳均可作為通用I/O使用,因此,與FLASH連接時,只需要FPGA的普通I/O引腳和FLASH的引腳相連即可,在實際編程過程中,要嚴格按照FLASH的工作時序給定正確的時序。注意,電源和接地引腳以及NC管腳不可連接在FPGA上。FLASH電路圖如圖2所示。本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/191065.htm
評論