離子注入技術(shù)簡介

2．1 離子注入應(yīng)用于金屬材料改性
離子注入應(yīng)用于金屬材料改性，是在經(jīng)過熱處理或表面鍍膜工藝的金屬材料上，注入一定劑量和能量的離子到金屬材料表面，改變材料表層的化學(xué)成份、物理結(jié)構(gòu)和相態(tài)，從而改變材料的力學(xué)性能、化學(xué)性能和物理性能。具體地說，離子注入能改變材料的聲學(xué)、光學(xué)和超導(dǎo)性能，提高材料的工作硬度、耐磨損性、抗腐蝕性和抗氧化性，最終延長材料工作壽命。

2．2 離子注入機應(yīng)用于摻雜工藝
在半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，離子注入具有高精度的劑量均勻性和重復(fù)性，可以獲得理想的摻雜濃度和集成度，使電路的集成、速度、成品率和壽命大為提高，成本及功耗降低。這一點不同于化學(xué)氣相淀積，化學(xué)氣相淀積要想獲得理想的參數(shù)，如膜厚和密度，需要調(diào)整設(shè)備設(shè)定參數(shù)，如溫度和氣流速率，是一個復(fù)雜過程。上個世紀70年代要處理簡單一個的ｎ型金屬氧化物半導(dǎo)體可能只需6～8次注入，而現(xiàn)代嵌入記憶功能的CMOS集成電路可能需要注入達35次。
技術(shù)應(yīng)用需要劑量和能量跨越幾個等級，多數(shù)注入情況為：每個盒子的邊界接近，個別工藝因設(shè)計差異有所變化。隨著能量降低，離子劑量通常也會下降。具備經(jīng)濟產(chǎn)出的最高離子注入劑量是1016/cm2，相當(dāng)于20個原子層。

2．3 在SOI技術(shù)中的應(yīng)用
由于SOI技術(shù)（Silicon-on-Insulation）在亞微米ULSI低壓低功耗電路和抗輻照電路等方面日益成熟的應(yīng)用，人們對SOI制備技術(shù)進行了廣泛探索。