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使機(jī)器尺寸減小40%的功率模塊,你值得擁有!

作者: 時(shí)間:2016-09-05 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  全球先進(jìn)電子元件分銷(xiāo)商世強(qiáng)與國(guó)際橋堆制造領(lǐng)軍企業(yè)Shindengen簽訂分銷(xiāo)協(xié)議,正式全線代理新 電元的橋堆、二極管、電源模塊、及MOS等產(chǎn)品。而新電元工業(yè)株式會(huì)社一直以來(lái)都將由多個(gè)功率半導(dǎo)體器件構(gòu)成的產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)作為重點(diǎn)。通過(guò) 功率電路零部件的集成化,為電子設(shè)備的小型化和制造過(guò)程的生產(chǎn)效率改善作出貢獻(xiàn)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201609/296538.htm

  其中最具代表性的為 Shindengen的800V的MG020200和MG020201,產(chǎn)品示意圖和內(nèi)部電路圖如圖1、圖2所示,其結(jié)構(gòu)均是由一個(gè)三相 Converter(二極管組合)和一個(gè)Brake(和二極管組合)組成。三相Converter二極管的非重復(fù)峰值浪涌電壓VRSM均是800V,最大反向電壓是VRM均為600V,其中MG020200平均正向整流電流IO為20A,而MG020201則為30A;而B(niǎo)rake 中的和二極管的最大電壓為600V。

  

 

  圖1:Shindengen功率模塊的產(chǎn)品實(shí)物圖

  

 

  圖2:Shindengen功率模塊的內(nèi)部電路圖

  該系列功率模塊通過(guò)將變頻器部分的三相橋二極管與再生制動(dòng)部分的lGBT和二極管封裝在一起,與分別使用半導(dǎo)體器件進(jìn)行組裝相比,可以實(shí)現(xiàn)安裝面積減少40%,電阻減少44%。另外還可以活用本封裝模塊,通過(guò)單相橋和再生制動(dòng)部的組合產(chǎn)品進(jìn)行PFC用的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。

  特點(diǎn):

  • 小DIP封裝

  • 獨(dú)立包裝

  • 高電壓

  • 高散熱

  • 易于安裝

  • 使機(jī)器尺寸變小

  • 有助改善生產(chǎn)

  應(yīng)用:

  • 逆變器

  • 伺服控制器



關(guān)鍵詞: IGBT 功率模塊

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