IBM首席技術官：相變存儲技術3-5年內實現商業(yè)化

IBM公司系統(tǒng)與技術集團的首席技術官Jai Menon最近稱非易失性相變內存(PCM)技術的芯片尺寸微縮能力將超越常規(guī)閃存芯片，并會在3-5年內在服務器機型上投入使用。Menon稱IBM將繼續(xù)開發(fā)自有PCM技術專利，不過專利開發(fā)完成后，IBM會尋找有能力為IBM制造PCM存儲芯片的代工廠商并進行技術授權，最后再將代工廠生產的PCM 芯片用于IBM自己的服務器系統(tǒng)產品上。

在接受EEtimes網站記者訪談時，Menon表示IBM非常看好PCM技術在未來3-5年內的發(fā)展勢頭，而且這種技術很可能會在服務器領域取代現有的閃存技術。目前服務器應用領域出于節(jié)能的需要，正在逐步引入采用閃存芯片制作的存儲設備。Menon并表示，PCM的下一步，IBM開發(fā)的賽道式磁存儲技術則將取而代之。

不過，他表示PCM要走向實用還有許多問題需要解決。Menon在訪談中并沒有介紹IBM是如何解決PCM存儲體的耐熱性問題，這個問題在 IBM的工程師在今年的VLSI技術年會上發(fā)表的一篇PCM存儲單元用銅離子導電體的文章中有所提及，這種導電體面向的是堆疊式的結構，因此其受熱環(huán)境更為惡劣。

PCM技術的原理是通過使用電加熱技術改變存儲材料的晶相，由此改變其電阻值來存儲數據。由于相變材料狀態(tài)的穩(wěn)定性高，結構尺寸易于微縮，因此非常適合用作非易失性存儲器，甚至大有替代DRAM存儲器的態(tài)勢。不過由于PCM技術難于實現商業(yè)化生產，而且即便采用65/90nm制程制造的基于這種技術的產品真的能投放市場，其存儲密度相比常規(guī)閃存是否具備足夠的優(yōu)勢也很成問題，目前常規(guī)閃存的制程已經進化到了22nm制程。

除了PCM技術本身之外，Menon還表示IBM目前正在積極在新材料研發(fā)，3D封裝技術以及存儲單元結構技術方面進行研發(fā)，”我們確信PCM將在尺寸微縮方面比較閃存芯片具備一定的優(yōu)勢，因為閃存技術發(fā)展到22nm制程以下后會遇到很多問題。“

PCM的耐久性方面，Menon則認為，從讀寫周期數的角度看，PCM的耐久性將能介于閃存和內存芯片之間。他說：”配合各種耐久性增強技術后，DRAM的耐久性可在10^12次左右，閃存則在10^4-10^5次左右。而我們認為PCM芯片的耐久性則可高于10^5次，而且這個數字還會增加，不過會無法突破10^12次，但其耐久性應足可滿足內存的需求，如果最后一條無法達成，那么至少我們還可以把PCM用作外存設備。PCM的性能將可逼近DRAM，當然它無法達到DRAM的性能等級，讀寫速度會比DRAM慢3-10倍左右，不過我們會開發(fā)其它的技術來彌補和縮小速度方面的缺陷。“

盡管Menon承認PCM的開發(fā)會遇到很多需要克服的問題，但他認為自己手下的工程師完全有能力解決這些問題：”(PCM)還有一些基本的問題需要解決,另外制造PCM芯片所用的材料也需要做進一步研究，不同的材料配比會導致性能的細微差異。因此我認為大概在2014年左右消費級電子市場上會首先出現PCM芯片的身影。“

當被問及IBM是否會自行設計并自行生產制造自己的PCM產品元件，或者會尋求代工商為其代工時，Menon表示：”這算業(yè)務范疇的問題了。我的看法是我們很可能會尋求芯片代工商，也就是說我們會完成技術的技術研發(fā)，然后將有關的技術授權給代工商進行生產。