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基于Multisim的西勒振蕩器設(shè)計(jì)與仿真

作者: 時(shí)間:2016-10-29 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

高職高專(zhuān)高頻電子線路是電子通信類(lèi)專(zhuān)業(yè)的技術(shù)基礎(chǔ)課程之一,涉及到通信系統(tǒng)中高頻單元電路的功能、結(jié)構(gòu)及性能分析等理論知識(shí),同時(shí)也具有培養(yǎng)學(xué)生高頻電路實(shí)踐教學(xué)能力的目的。該課程正弦波振蕩器部分理論較抽象,借助實(shí)踐環(huán)節(jié)演示不同振蕩器的原理、特點(diǎn)、電路結(jié)構(gòu)等較難實(shí)現(xiàn),大部分學(xué)生接受知識(shí)效果差,電路費(fèi)勁且不知道如何分析。文中以 10為平臺(tái),了振蕩頻率為404.978 kHz,峰峰值為8.00 V的電路,分析了參數(shù)調(diào)整引起的電路特性變化規(guī)律。電路軟件引入到理論教學(xué)中,既加深了學(xué)生對(duì)理論知識(shí)的理解,又激發(fā)了學(xué)生利用平臺(tái)進(jìn)行電路設(shè)計(jì)的積極性,進(jìn)而起到了聯(lián)系理論學(xué)習(xí)和實(shí)踐能力培養(yǎng)的紐帶作用。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201610/307934.htm

1 電路設(shè)計(jì)

振蕩器主要由放大電路、選頻電路和反饋電路組成,只有同時(shí)滿足振幅和相位平衡條件,系統(tǒng)才有可能產(chǎn)生振蕩。原理圖如圖1所示。

基于Multisim的西勒振蕩器設(shè)計(jì)與仿真

1.1 靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)計(jì)

一般原則是在滿足起振條件下應(yīng)選擇較低的工作點(diǎn),振蕩電路起振后,振幅增大,振蕩將在截止區(qū)進(jìn)入振幅穩(wěn)定狀態(tài),不致使振蕩回路Q(chēng)值減小,振蕩波形好。一般小功率振蕩器的ICO為(0.5~5)mA之間選取,本設(shè)計(jì)選ICQ為1.15 mA,VCEQ=9.7 V,β=50。經(jīng)計(jì)算:

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取RE=2 kΩ,高頻扼流圈LC以避免高頻信號(hào)被旁路,且為晶體管集電極構(gòu)成直流通路。一般取流過(guò)R2的電流為(5~10)IBO。

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求得R2=5.1 kΩ,R1=15 kΩ。

1.2 振蕩電路設(shè)計(jì)

振蕩回路參數(shù)的選擇主要根據(jù)振蕩頻率、起振條件和振蕩波形確定。一般振蕩頻率在幾兆赫茲以下的LC回路,C值可選幾皮法,振蕩頻率在幾十兆赫茲時(shí),C值可選為幾十皮法;為了取得振蕩頻率的穩(wěn)定,C值應(yīng)取得大些,以減小晶體管極間電容和引線寄生電容的影響。然而,C值取得過(guò)大,會(huì)使振蕩回路的Q值和諧振阻抗降低,電路的負(fù)載能力和振蕩振幅減小,導(dǎo)致波形變壞。確定了C后,由振蕩頻率計(jì)算公式可計(jì)算電感L的值。為方便觀察參數(shù)變化引起的電路特性變化,本設(shè)計(jì)取C4max=470 pF,L=1 mH。為滿足C1>>C3,C2>>C3,取C1=1 nF,C2=33 nF,C3=47 pF。

作為可變?cè)鲆嫫骷娜龢O管,必須由偏置電路設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn),以保證起振時(shí)工作在放大區(qū),提供足夠的增益,滿足振幅起振條件。從穩(wěn)頻的角度出發(fā),應(yīng)選擇特征頻率fT較高的晶體管,這樣晶體管內(nèi)部相移較小,通常選擇fT>(3~10)fmax,同時(shí)希望電流放大系數(shù)β大些,既容易振蕩,也便于減小晶體管和諧振回路之間的耦合,以保證電路的選頻性能和穩(wěn)頻性能。晶體管選擇2N2222或2N2369,負(fù)載端接入探針,運(yùn)用 10.1設(shè)計(jì)的如圖2所示。

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說(shuō)明幾點(diǎn),可以改變Multisim 10.1界面下電路原理圖連接線顏色(系統(tǒng)默認(rèn)是桔紅色),方法是單擊擬變色線條,點(diǎn)擊鼠標(biāo)右鍵,選“改變顏色”;可改變示波器、記錄儀背景色(系統(tǒng)默認(rèn)是黑色),為方便打印,常選擇示波器界面“反向”按鈕,記錄儀界面“Reverse Colors”菜單;選擇記錄儀“Show/Hide Cursors”菜單,可查看示波器被接入通道的精確參數(shù)值。

2 Multisim 10.1仿真分析

2.1 仿真結(jié)果

Multisim 10.1界面下點(diǎn)擊“運(yùn)行”按鈕,適當(dāng)調(diào)整各儀表參數(shù)值即可進(jìn)行仿真。圖2的頻率計(jì)設(shè)置參數(shù)是:測(cè)量頻率,AC耦合,靈敏度1 V,觸發(fā)電平0 V。示波器參數(shù)是:時(shí)間軸比例2 ms/DIV、通道A 5 V/DIV,適當(dāng)調(diào)整X、Y位置。仿真穩(wěn)幅時(shí),探針上各量數(shù)值是:電壓峰值7.98 V、電流峰值3.99mA、電壓有效值2.82 V、電流有效值1.41 mA、頻率405 kHz。頻率計(jì)顯示數(shù)值為404.978 kHz。仿真結(jié)果與設(shè)計(jì)基本一致。不接入R4時(shí)的仿真輸出波形如圖3(a)所示。對(duì)應(yīng)圖3(a)的通道A參數(shù)值如圖3(b)所示。

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要想得知圖2的較高精度頻率、電壓峰峰值參數(shù),可借助仿真界面上“記錄儀/分析列表”、“Show/Hide Cursors”兩個(gè)菜單進(jìn)行分析。圖3對(duì)應(yīng)的記錄儀/分析列表結(jié)果如圖4所示。周期T1=9.084 5n-9.0816 n=2.90X10-6 s,T2=9.086 48 m-9.084 50 m=1.98x10-6 s,T=(T1+T2)/2=2.44×10-6 s,則f=1/T=409.84 kHz,由圖3(b)可知通道A的VP=3.990 3-(-4.061 5)=8.05 V。采用多次求平均值方法可使分析值更接近設(shè)計(jì)值。可見(jiàn),分析值、仿真結(jié)果基本達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

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2.2 特性分析

2.2.1 頻率特性

頻率是靠調(diào)節(jié)C4來(lái)改變的,所以C3不能選得過(guò)大,否則振蕩頻率主要由C3和L決定,因而將限制頻率調(diào)節(jié)的范圍。這種電路之所以穩(wěn)定度高,就是靠在電路中串有遠(yuǎn)小于C1、C2的C3來(lái)實(shí)現(xiàn)的。若增大C3,該電路就失去了頻率穩(wěn)定度高的優(yōu)點(diǎn)。反之,C3選的太小的缺點(diǎn)是,使接入系數(shù)Pce降低,振蕩幅度就比較小了。通過(guò)Multisim 10.1仿真可知,隨C4接入比例逐漸增大,輸出信號(hào)頻率逐漸減小,但輸出波形振幅保持8.00 V不變。

理論上,根據(jù)振蕩頻率計(jì)算式,求得基于Multisim的西勒振蕩器設(shè)計(jì)與仿真≈423.85 kHz。測(cè)量值和理論值之間有誤差。產(chǎn)生誤差主要原因有:游標(biāo)以格為單位,因此讀數(shù)時(shí)選取的幅值最大的點(diǎn)與實(shí)際有差別;電阻、電容本身就存在誤差,而且正弦振蕩器存在系統(tǒng)誤差。

2.2.2 反饋特性

通過(guò)調(diào)整電容C2值可以觀察電路的反饋特性,數(shù)據(jù)記錄如表1所示。隨著電容C2值逐漸增大,保證振蕩幅度的穩(wěn)定,輸出信號(hào)振幅逐漸減小,起振直至進(jìn)入平衡狀態(tài)所需的

時(shí)間加長(zhǎng)。因?yàn)镃3是固定電容,所以諧振回路反映到晶體管輸出端的等效負(fù)載變化緩慢;C1不變,隨C2值增大,故反饋系數(shù)減小。

基于Multisim的西勒振蕩器設(shè)計(jì)與仿真

C2=10 nF、40 nF時(shí)的仿真輸出波形如圖5(a)、(b)所示。

基于Multisim的西勒振蕩器設(shè)計(jì)與仿真

2.2.3 負(fù)載特性

調(diào)整可變電阻R4的接入比例,能夠改變振蕩器的負(fù)載大小,記錄表2所示數(shù)據(jù)。R4的接入比例越大,輸出信號(hào)峰峰值越大,頻率基本保持不變。當(dāng)R4接入電路超過(guò)50%后,振蕩頻率相對(duì)不穩(wěn)定,輸出正弦波波形平滑度降低,呈現(xiàn)較多毛刺,波形失真。當(dāng)輸出正弦波形失真時(shí),還應(yīng)在Multisim下進(jìn)行交流分析和噪聲分析。

基于Multisim的西勒振蕩器設(shè)計(jì)與仿真

“交流分析”用來(lái)計(jì)算線性電路的頻率響應(yīng)。在交流分析中,首先通過(guò)直流工作點(diǎn)分析計(jì)算所有非線性元件的線性、小信號(hào)模型,然后建立一個(gè)包含實(shí)際和理想元件的復(fù)矩陣。所有的輸入源信號(hào)都將用設(shè)定頻率的正弦信號(hào)代替。在進(jìn)行交流分析時(shí),電路信號(hào)源的屬性設(shè)置中必須設(shè)置交流分析的幅值和相角,否則電路將會(huì)提示出錯(cuò)。“噪聲分析”指噪聲對(duì)電路的影響。噪聲是減小信號(hào)質(zhì)量的電的或電磁的能量。通過(guò)建立一個(gè)電路的噪聲模型,再進(jìn)行類(lèi)似于交流分析的仿真分析。Multisim可建立熱噪聲、閃粒噪聲、閃爍噪聲3種噪聲模型。在進(jìn)行仿真分析前,先觀察電路選擇輸入噪聲參考源、輸出節(jié)點(diǎn)和參考點(diǎn)。

2.2.4 頻率穩(wěn)定度

圖1電路的振蕩頻率為f1=404.978 kHz,為了分析西勒振蕩器的頻率穩(wěn)定度的高低,在該電路的電容C2兩端并聯(lián)一個(gè)10 nF的電容,觀察此時(shí)振蕩器振蕩頻率的變化情況,如圖6所示,測(cè)得此時(shí)該電路振蕩頻率為f11=405.067 kHz,該振蕩電路的頻率相對(duì)變化量基于Multisim的西勒振蕩器設(shè)計(jì)與仿真,該參數(shù)為判斷西勒振蕩器的頻率穩(wěn)定度的有效數(shù)據(jù)。

基于Multisim的西勒振蕩器設(shè)計(jì)與仿真

3 結(jié)論

使用Multisim 10.1軟件,達(dá)到了設(shè)計(jì)振蕩頻率為404.978 kHz、峰峰值為8.00 V的西勒振蕩器電路的基本要求,通過(guò)調(diào)整相關(guān)參數(shù),直觀分析了頻率特性、反饋特性、負(fù)載特性變化規(guī)律,電路的頻率穩(wěn)定度較好。借助仿真軟件的整個(gè)教學(xué)過(guò)程,形式生動(dòng),學(xué)生興趣濃,積極性高,理解力增強(qiáng),易于接受。Multisim應(yīng)用于高頻電子線路教學(xué)有極大的靈活性和優(yōu)越性。運(yùn)用Multisim軟件設(shè)計(jì)電路,省時(shí)省力省錢(qián),極大地提高了電路設(shè)計(jì)的效率和質(zhì)量。由于西勒電路頻率穩(wěn)定性好,振蕩頻率可以較高,做可變頻率振蕩器時(shí)其頻率覆蓋范圍寬,波段范圍內(nèi)幅度比較平穩(wěn),因此在短波、超短波通信機(jī)、電視接收機(jī)等高頻設(shè)備中得到非常廣泛的應(yīng)用。



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