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半導體大佬撐腰之下 GaN功率半導體能取代MOSFET?

作者: 時間:2016-10-27 來源:與非網(wǎng) 收藏
編者按:2010年,供應商發(fā)布了第一波基于GaN技術的功率半導體。但直到最近,這種產(chǎn)品的可用性依然不高,價格也高昂不下,GaN技術一直在尋找理想的應用空間。隨著時間的推移,這些器件預計將逐步應用到電動汽車、移動設備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中,GaN基功率半導體器件正在電源市場上攻城拔寨。

  問題在于,超級結技術在大約九百伏左右時就遭遇了天花板,而IGBT則困擾于開關速度慢的缺點。Wavetek銷售和市場部高級經(jīng)理Domingo Huang表示:“在過去三十年中,硅基成為大多數(shù)功率電子設備應用中功率器件的首選。然而,下一代和新興的應用要求進一步大幅提高功率轉換性能,而硅基FET器件正在接近其物理特性的極限。”

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201610/311963.htm

  這就是為什么業(yè)界對兩種寬帶隙解決方案-碳化硅和氮化鉀-感興趣的原因。寬帶隙指的是電子從其軌道脫離所需的能量大小,也是決定能夠自由移動的電子的質(zhì)量的一個參數(shù)。

  的帶隙為3.4電子伏特(eV),SiC的帶隙為3.3eV,相比之下,硅的帶隙只有1.1eV。

  通常,在功率領域中,基功率半導體用于30伏至650伏的應用,而SiC FET用于600伏到10千伏的系統(tǒng)。

  那么600伏和1200伏電壓區(qū)段的最佳技術是什么?這取決于具體要求和成本。全球最大的功率半導體供應商英飛凌的應用經(jīng)理Eric Persson說:“我們并不真正覺得GaN和超級結功率是互相競爭的?!庇w凌銷售基于、IGBT、GaN和SiC所有技術的功率器件。

  “如果你需要使用超級結來滿足你的要求,那么就使用它。你轉向GaN的唯一原因是GaN更便宜或者應用需要更高的密度或效率,即在不犧牲效率的情況下實現(xiàn)更高的頻率,”Persson說。“我們認為,GaN將主要在600伏應用中占主導,而到了1200伏區(qū)間,我們相信碳化硅MOSFET代表了它的未來。”

  隨著時間的推移,這些技術將開始互相重疊?!霸谥丿B區(qū)間,由成本等特定的標準決定使用哪種技術。這也歸結于這個應用是一個成本驅(qū)動的設計,還是一個性能和密度驅(qū)動的設計。這個灰色重疊地帶將隨著時間的推移和生產(chǎn)的成熟度而變化。”他說。

  什么是GaN?

  可以肯定的是,GaN基功率半導體不會在一些制造和生產(chǎn)存在挑戰(zhàn)的領域占據(jù)主導地位。在整個工藝流程中,GaN器件是從硅襯底開始制造的,先在硅襯底上生長氮化鋁(AlN)層,然后使用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)在AlN層上生長GaN。AlN層用作襯底和GaN之間的緩沖層。

  應用材料公司技術營銷和產(chǎn)品戰(zhàn)略總監(jiān)Ben Lee在一篇博客中提道:“這些(寬帶隙)襯底的挑戰(zhàn)在于它極其昂貴,而且難以制造。與硅襯底相比,GaN襯底通常為6英寸或更小。有些是8英寸,但供應相當有限。SiC襯底現(xiàn)在正在采用的是六英寸?!?/p>

  還有其它一些問題。“對于GaN而言,由于GaN和硅之間存在晶格失配,所以必須要用AlN緩沖層,”Lee說?!斑@些緩沖層非常重要,需要進行調(diào)諧以幫助最小化電荷陷阱?!?/p>

  因此,業(yè)界必須繼續(xù)解決這些問題?!?目標是)解決這些固有的挑戰(zhàn),如晶格失配、熱膨脹系數(shù)不同,以及能夠適應垂直電壓跌落的較厚的緩沖層?!盬avetek的Huang說。

  在元器件方面,EPC表示,傳統(tǒng)的耗盡型GaN芯片在操作中為“常開”狀態(tài),因此必須先施加負偏壓。如果沒有這么設計,系統(tǒng)將發(fā)生短路,這使得它們不適合許多應用。

  因此,供應商已經(jīng)從耗盡型器件轉移到增強型器件。這些器件對于OEM更為理想,通常是關斷狀態(tài),直到電壓施加到柵極后才會打開。

  不過,問題依然很清楚-客戶會購買這些元件嗎?GaN確實很有前途,但行業(yè)傾向于固守如功率MOSFET這種更熟悉的技術。IHS的分析師稱:“供應商們需要進行廣泛且有效的教育活動,以向客戶解釋為什么使用以及如何充分利用GaN技術。”

  最近,GaN器件供應商正在解決一些其他問題?!皹I(yè)界仍然存在誤解,認為GaN器件比MOSFET貴,”EPC的Lidow說?!耙肱まD人們的這種誤解需要一定的時間,但人們確實正在更正這種印象。EPC于2015年5月開始以相當于或者低于MOSFET的價格向大批量應用供應GaN器件?!?/p>

  應用

  價格降下來之后,反過來使得GaN對于數(shù)據(jù)中心和電信設備的供電電源這些應用更加具備吸引力,事實上,數(shù)據(jù)中心運營商面臨大量挑戰(zhàn),最大的挑戰(zhàn)便是降低這些巨型設施的功耗。

  有若干種方法可以解決這個問題。Google采用的方法是,在其數(shù)據(jù)中心中采用48V供電的機架架構,要比目前的12V技術節(jié)能30%。

  通常情況下,機架由服務器和電源組成?!斑@些機架的功率大概在50千瓦或60千瓦左右,他們希望把它進一步推高到80或者90千瓦。這個功率數(shù)字很大,可是他們還希望在同樣的空間體積下實現(xiàn)這么高的功率,”英飛凌的Persson說?!八麄兿M麑崿F(xiàn)最高的效率,端到端的效率大約到98%這個級別?!?/p>

  這么大的功率,這么高的效率,電源就變得至關重要了。電源可能包括轉換器、功率因數(shù)校正單元(PFC)。PFC能夠保證系統(tǒng)以最大效率運行。



關鍵詞: GaN MOSFET

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