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關(guān)于單片機(jī)IO口詳解

作者: 時(shí)間:2016-11-28 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

如圖所示,推挽放大器的輸出級(jí)有兩個(gè)“臂”(兩組放大元件),一個(gè)“臂”的電流增加時(shí),另一個(gè)“臂”的電流則減小,二者的狀態(tài)輪流轉(zhuǎn)換。對(duì)負(fù)載而言,好像是一個(gè)“臂”在推,一個(gè)“臂”在拉,共同完成電流輸出任務(wù)。當(dāng)輸出高電平時(shí),也就是下級(jí)負(fù)載門輸入高電平時(shí),輸出端的電流將是下級(jí)門從本級(jí)電源經(jīng)VT3拉出。這樣一來(lái),輸出高低電平時(shí),VT3一路和VT5一路將交替工作,從而減低了功耗,提高了每個(gè)管的承受能力。又由于不論走哪一路,管子導(dǎo)通電阻都很小,使RC常數(shù)很小,轉(zhuǎn)變速度很快。因此,推拉式輸出級(jí)既提高電路的負(fù)載能力,又提高開(kāi)關(guān)速度。

開(kāi)漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極.要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行.適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi)).

開(kāi)漏形式的電路有以下幾個(gè)特點(diǎn):

1.利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力,減少IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)。當(dāng)IC內(nèi)部MOSFET導(dǎo)通時(shí),驅(qū)動(dòng)電流是從外部的VCC流經(jīng)R pull-up,MOSFET到GND。IC內(nèi)部?jī)H需很下的柵極驅(qū)動(dòng)電流。

2.一般來(lái)說(shuō),開(kāi)漏是用來(lái)連接不同電平的器件,匹配電平用的,因?yàn)殚_(kāi)漏引腳不連接外部的上拉電阻時(shí),只能輸出低電平,如果需要同時(shí)具備輸出高電平的功能,則需要接上拉電阻,很好的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)改變上拉電源的電壓,便可以改變傳輸電平。比如加上上拉電阻就可以提供TTL/CMOS電平輸出等。(上拉電阻的阻值決定了邏輯電平轉(zhuǎn)換的沿的速度。阻值越大,速度越低功耗越小,所以負(fù)載電阻的選擇要兼顧功耗和速度。)

3.OPEN-DRAIN提供了靈活的輸出方式,但是也有其弱點(diǎn),就是帶來(lái)上升沿的延時(shí)。因?yàn)樯仙厥峭ㄟ^(guò)外接上拉無(wú)源電阻對(duì)負(fù)載充電,所以當(dāng)電阻選擇小時(shí)延時(shí)就小,但功耗大;反之延時(shí)大功耗小。所以如果對(duì)延時(shí)有要求,則建議用下降沿輸出。

4.可以將多個(gè)開(kāi)漏輸出的Pin,連接到一條線上。通過(guò)一只上拉電阻,在不增加任何器件的情況下,形成“與邏輯”關(guān)系。這也是I2C,SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。補(bǔ)充:什么是“線與”?:

在一個(gè)結(jié)點(diǎn)(線)上,連接一個(gè)上拉電阻到電源VCCVDDn個(gè)NPNNMOS晶體管的集電極C或漏極D,這些晶體管的發(fā)射極E或源極S都接到地線上,只要有一個(gè)晶體管飽和,這個(gè)結(jié)點(diǎn)(線)就被拉到地線電平上.因?yàn)檫@些晶體管的基極注入電流(NPN)或柵極加上高電平(NMOS),晶體管就會(huì)飽和,所以這些基極或柵極對(duì)這個(gè)結(jié)點(diǎn)(線)的關(guān)系是或非NOR邏輯.如果這個(gè)結(jié)點(diǎn)后面加一個(gè)反相器,就是或OR邏輯.

其實(shí)可以簡(jiǎn)單的理解為:在所有引腳連在一起時(shí),外接一上拉電阻,如果有一個(gè)引腳輸出為邏輯0,相當(dāng)于接地,與之并聯(lián)的回路“相當(dāng)于被一根導(dǎo)線短路”,所以外電路邏輯電平便為0,只有都為高電平時(shí),與的結(jié)果才為邏輯1。

關(guān)于推挽輸出和開(kāi)漏輸出,最后用一幅最簡(jiǎn)單的圖形來(lái)概括:

該圖中左邊的便是推挽輸出模式,其中比較器輸出高電平時(shí)下面的PNP三極管截止,而上面NPN三極管導(dǎo)通,輸出電平VS+;當(dāng)比較器輸出低電平時(shí)則恰恰相反,PNP三極管導(dǎo)通,輸出和地相連,為低電平。右邊的則可以理解為開(kāi)漏輸出形式,需要接上拉。

STM32的非ADC I/O口都是5V容忍,當(dāng)然可以接5V器件

5V容忍的意思就是I/O口允許輸入5V信號(hào)電平,但輸出的是3V信號(hào)電平;至于其它5V器件是否可以正確地識(shí)別STM32的3V信號(hào)電平,就要看這個(gè)器件了。

如果外圍器件需要5V信號(hào)電平,可以使用STM32的OD輸出模式然后使用外置上拉到5V實(shí)現(xiàn)。

浮空輸入:對(duì)于浮空輸入,一直沒(méi)找到很權(quán)威的解釋,只好從以下圖中去理解了

由于浮空輸入一般多用于外部按鍵輸入,結(jié)合圖上的輸入部分電路,我理解為浮空輸入狀態(tài)下,IO的電平狀態(tài)是不確定的,完全由外部輸入決定,如果在該引腳懸空的情況下,讀取該端口的電平是不確定的。

上拉輸入/下拉輸入/模擬輸入:這幾個(gè)概念很好理解,從字面便能輕易讀懂。
復(fù)用開(kāi)漏輸出、復(fù)用推挽輸出:可以理解為GPIO口被用作第二功能時(shí)的配置情況(即并非作為通用IO口使用)
最后總結(jié)下使用情況:
在STM32中選用IO模式
(1) 浮空輸入_IN_FLOATING ——浮空輸入,可以做KEY識(shí)別,RX1
(2)帶上拉輸入_IPU——IO內(nèi)部上拉電阻輸入
(3)帶下拉輸入_IPD—— IO內(nèi)部下拉電阻輸入
(4) 模擬輸入_AIN ——應(yīng)用ADC模擬輸入,或者低功耗下省電
(5)開(kāi)漏輸出_OUT_OD ——IO輸出0接GND,IO輸出1,懸空,需要外接上拉電阻,才能實(shí)現(xiàn)輸出高電平。當(dāng)輸出為1時(shí),IO口的狀態(tài)由上拉電阻拉高電平,但由于是開(kāi)漏輸出模式,這樣IO口也就可以由外部電路改變?yōu)榈碗娖交虿蛔?。可以讀IO輸入電平變化,實(shí)現(xiàn)C51的IO雙向功能
(6)推挽輸出_OUT_PP ——IO輸出0-接GND, IO輸出1 -接VCC,讀輸入值是未知的
(7)復(fù)用功能的推挽輸出_AF_PP ——片內(nèi)外設(shè)功能(I2C的SCL,SDA)
(8)復(fù)用功能的開(kāi)漏輸出_AF_OD——片內(nèi)外設(shè)功能(TX1,MOSI,MISO.SCK.SS)

STM32設(shè)置實(shí)例:

(1)模擬I2C使用開(kāi)漏輸出_OUT_OD,接上拉電阻,能夠正確輸出0和1;讀值時(shí)先GPIO_SetBits(GPIOB, GPIO_Pin_0);拉高,然后可以讀IO的值;使用GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB,GPIO_Pin_0);

(2)如果是無(wú)上拉電阻,IO默認(rèn)是高電平;需要讀取IO的值,可以使用帶上拉輸入_IPU和浮空輸入_IN_FLOATING和開(kāi)漏輸出_OUT_OD;
通常有5種方式使用某個(gè)引腳功能,它們的配置方式如下:
1)作為普通GPIO輸入:根據(jù)需要配置該引腳為浮空輸入、帶弱上拉輸入或帶弱下拉輸入,同時(shí)不要使能該引腳對(duì)應(yīng)的所有復(fù)用功能模塊。
2)作為普通GPIO輸出:根據(jù)需要配置該引腳為推挽輸出或開(kāi)漏輸出,同時(shí)不要使能該引腳對(duì)應(yīng)的所有復(fù)用功能模塊。
3)作為普通模擬輸入:配置該引腳為模擬輸入模式,同時(shí)不要使能該引腳對(duì)應(yīng)的所有復(fù)用功能模塊。
4)作為內(nèi)置外設(shè)的輸入:根據(jù)需要配置該引腳為浮空輸入、帶弱上拉輸入或帶弱下拉輸入,同時(shí)使能該引腳對(duì)應(yīng)的某個(gè)復(fù)用功能模塊。
5)作為內(nèi)置外設(shè)的輸出:根據(jù)需要配置該引腳為復(fù)用推挽輸出或復(fù)用開(kāi)漏輸出,同時(shí)使能該引腳對(duì)應(yīng)的所有復(fù)用功能模塊。

注意如果有多個(gè)復(fù)用功能模塊對(duì)應(yīng)同一個(gè)引腳,只能使能其中之一,其它模塊保持非使能狀態(tài)。

比如要使用STM32F103VBT6的47、48腳的USART3功能,則需要配置47腳為復(fù)用推挽輸出或復(fù)用開(kāi)漏輸出,配置48腳為某種輸入模式,同時(shí)使能USART3并保持I2C2的非使能狀態(tài)。

如果要使用STM32F103VBT6的47腳作為TIM2_CH3,則需要對(duì)TIM2進(jìn)行重映射,然后再按復(fù)用功能的方式配置對(duì)應(yīng)引腳。



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