DDR總線信號(hào)完整性測(cè)試

商業(yè)市場(chǎng)上，我堅(jiān)信誠(chéng)實(shí)做事，踏實(shí)做事，細(xì)致做事，一定會(huì)帶來(lái)長(zhǎng)久的生意和回報(bào)，就像我們?cè)谌A東的國(guó)防生意一樣。
那么DDR總線的測(cè)試實(shí)際應(yīng)該需要多少帶寬的示波器（最小要求）？
因?yàn)镴edec規(guī)范沒(méi)有給出最快的上升/下降時(shí)間，下表是基于芯片的分析和實(shí)際的情況得出的結(jié)果：

當(dāng)正確選擇示波器后，我們測(cè)試DDR3總線需要關(guān)注4點(diǎn)：
1. 探測(cè)
如何正確的探測(cè)是測(cè)試DDR3的難點(diǎn)所在。
針對(duì)嵌入式系統(tǒng)，建議在PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，做可測(cè)性設(shè)計(jì)，即規(guī)劃好準(zhǔn)備測(cè)試那些信號(hào)，然后留出測(cè)試點(diǎn)（包括測(cè)試點(diǎn)附近的接地點(diǎn)），測(cè)試點(diǎn)要盡量靠近DRAM IC管腳處，因?yàn)镴edec規(guī)范的位置是BGA焊球的位置。
另外一種方法是使用BGA探頭適配器（前面文章有介紹），這是最可靠的方法，但是加工是其難點(diǎn)。
針對(duì)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，建議使用BGA探頭適配器加工幾條DIMM供測(cè)試使用，或使用ZIF探頭附件焊接幾條DIMM供測(cè)試使用（這種方法，現(xiàn)在用的比較多）。

2.讀寫(xiě)信號(hào)分離
DDR總線需要測(cè)試時(shí)鐘、命令/地址、數(shù)據(jù)等，數(shù)據(jù)測(cè)試是難點(diǎn)，而關(guān)鍵參數(shù)是建立時(shí)間和保持時(shí)間，所以需要對(duì)讀寫(xiě)信號(hào)進(jìn)行分離，分離后分別測(cè)試讀和寫(xiě)信號(hào)的建立時(shí)間和保持時(shí)間。
現(xiàn)在大多讀寫(xiě)分離的方法是使用示波器捕獲大量數(shù)據(jù)，然后根據(jù)建立時(shí)間和保持時(shí)間的關(guān)系，從波形中間找到那些段波形是讀，哪些段波形是寫(xiě)，然后再分別測(cè)試出讀寫(xiě)的建立時(shí)間和保持時(shí)間，以及其他參數(shù)。如果用手動(dòng)量測(cè)的話，這種方法需要花費(fèi)大量時(shí)間，但是仍然不能解決測(cè)試數(shù)據(jù)量不夠的問(wèn)題。
使用InfiniiScan是一種較好的方法，它使用畫(huà)圖式的圖形觸發(fā)分離出讀和寫(xiě)，然后再累積成眼圖，可以累積大量的數(shù)據(jù)，然后再測(cè)試建立時(shí)間、保持時(shí)間和其他參數(shù)，分離方法如下圖：

3. 自動(dòng)化一致性測(cè)試
因?yàn)镈DR3總線測(cè)試信號(hào)多，測(cè)試參數(shù)多，測(cè)試工作量非常大，如果不使用自動(dòng)化的方案，按Jedec規(guī)范完全測(cè)完要求的參數(shù)可能需要1到2周的時(shí)間。而自動(dòng)化測(cè)試軟件可以幫助解決測(cè)試工作量的問(wèn)題，正確使用的話，可以把測(cè)試時(shí)間從1-2周縮小到1-2天。
所以，建議使用自動(dòng)化測(cè)試軟件，這是提高效率的一種方法。
4. 調(diào)試
對(duì)于系統(tǒng)，出現(xiàn)時(shí)鐘問(wèn)題時(shí)，很多時(shí)候與供電電源有關(guān)（約占80%以上），這時(shí)候可以使用抖動(dòng)分析軟件抖動(dòng)趨勢(shì)圖方法進(jìn)行問(wèn)題根源跟蹤：因?yàn)槎秳?dòng)趨勢(shì)圖和其他通道信號(hào)可以同時(shí)顯示在示波器的屏幕上，當(dāng)發(fā)現(xiàn)抖動(dòng)趨勢(shì)圖和電源信號(hào)同步變化時(shí)，基本可以確定抖動(dòng)問(wèn)題是來(lái)自這個(gè)電源。