東芝推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET

　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET，該產(chǎn)品適用于工業(yè)和辦公設(shè)備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產(chǎn)品。樣品發(fā)貨即日啟動(dòng)，批量生產(chǎn)發(fā)貨計(jì)劃于3月中旬啟動(dòng)。

　　該新系列擁有與東芝當(dāng)前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)性能，同時(shí)，其優(yōu)化的設(shè)計(jì)流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且，降低的單位面積導(dǎo)通電阻(RON x A)性能使新的650v 0.29Ω產(chǎn)品可使用DPAK封裝。該新系列產(chǎn)品適用于需要高效率和小體積的工業(yè)和辦公設(shè)備電源、筆記本電腦和移動(dòng)設(shè)備適配器和充電器以及電腦和打印機(jī)。

　　新MOSFET產(chǎn)品陣容及主要規(guī)格：