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聯(lián)電、臺積電搶進高端制程 中芯、華力微進展落后

作者: 時間:2017-04-17 來源:DIGITIMES 收藏

  臺灣12吋廠火速卡位大陸先進制程的空缺,近期傳出廈門12吋晶圓廠(聯(lián)芯)一箭雙雕,先后拿下展訊、聯(lián)發(fā)科40納米制程大訂單,且近期28納米移轉到廈門12吋廠后,此兩大IC設計大客戶也會陸續(xù)轉進28納米生產,與聯(lián)手在大陸筑起先進制程高墻,防堵中芯國際、華力微電子的28納米崛起!

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201704/346666.htm

  大陸本土晶圓廠中芯國際、華力微電子等猛攻28納米先進制程,但進展卻持續(xù)落后,反而是近期聯(lián)手下了一盤好棋,前者用16納米FinFET卡位大陸最先進的技術地盤,后者以28納米技術補上大陸最缺的制程世代,透過雙方前后夾擊,守住大陸半導體市場的高端制程江山。

  業(yè)界透露,大陸IC設計大廠海思在官方政策規(guī)劃下,被要求指標性的向中芯國際投片生產28納米制程,但中芯的高端28納米HKMG制程的良率一直不順,雙方變得進退維谷,也反應大陸當地28納米制程缺乏的窘境。而此時的28納米轉移到廈門12吋廠生產,正好補上此需求的空缺。

  同時,近期也傳出聯(lián)電廈門12吋廠成功一箭雙鵰,先后拿下展訊和聯(lián)發(fā)科的40納米制程大訂單,預計這兩家IC設計大客戶也陸續(xù)會轉進28納米制程。

  聯(lián)電廈門12吋廠自2015年3月正式動土以來,創(chuàng)下僅20個月就開始量產的迅速紀錄,2016年11月宣布完工開幕,該廠是大陸華南首座12吋廠,總產能為單月5萬片,估計2017年底前,先投產約1.1萬片產能,以40納米制程為主。

  聯(lián)電申請多時的28納米制程也成功獲得投審會核準,近期開始生產28納米的芯片;再者,南京12吋廠也快速動起來,預計2018年以16納米FinFET制程加入生產,同時也成立設計服務中心,該座12吋廠規(guī)劃的月產能是2萬片,近期已經與眾多供應商接洽,希望能一同到南京設廠支持。

  同時,臺積電在28納米、16納米、10納米和7納米制程之外,更規(guī)劃22納米和12納米等多個技術制程世代,以緊密的技術布局來鞏固已成功建立的先進制程技術地盤。

  對照臺系半導體廠攻勢猛烈,大陸半導體目前最大的瓶頸在于兩個要素,核心技術和人才。雖然已經頻頻找切入點突破,但預計在3~5年內,臺灣半導體廠仍是具有絕大優(yōu)勢。

  綜觀大陸半導體28納米發(fā)展,中芯研發(fā)28納米技術多年,雖然打入高通(Qualcomm)供應鏈,但尚未真正具有指標性的規(guī)模出貨量,加上高端技術無法突破,導致整個先進制程的進展十分緩慢,中芯2016年第4季的28納米營收比重僅3.5%,預計2017年底往比重10%的目標邁進。

  再者,大陸另一家半導體廠華力微電子雖然與聯(lián)發(fā)科合作28納米的技術開發(fā),但直至現(xiàn)在也一直未量產,華力微的第二座12吋晶圓廠預計全面朝28納米布局,目前各界持續(xù)密切觀察中。



關鍵詞: 聯(lián)電 臺積電

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