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從此決裂,美光將與英特爾在3D XPoint存儲芯片市場上大打出手?

作者: 時間:2018-02-11 來源:與非網(wǎng) 收藏
編者按:一旦英特爾確認美光面向的目標市場確實利潤豐厚,它完全可以憑借其龐大的生產(chǎn)能力和客戶群輕易地殺入到美光的自留地領(lǐng)域,從而成為美光最強勁的競爭對手。美光的“缺席”所創(chuàng)造的真空可能很容易被英特爾填補。


本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201802/375683.htm
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  圖3

  從圖3可以看出,在DRAM和NAND合并的營業(yè)利潤率方面錄得強勁增長,增長速度大幅超過競爭對手。


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  圖4

  從圖4可以看出,DRAM產(chǎn)品均價繼續(xù)上漲,但的價格增長最慢。從圖5可以看出,所有這三家公司的NAND產(chǎn)品的平均售價均保持平穩(wěn)。


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  圖5

  要點

  已經(jīng)在傳統(tǒng)的DRAM和2D NAND、3D NAND市場中面臨強大的競爭。未來幾年,隨著來自中國制造商的DRAM和NAND芯片的供應量增加,美光的競爭壓力有增無減。如果果真于2019年將其NAND技術(shù)授權(quán)給中國芯片制造商,那么,和美光將在它們在IMFT公司聯(lián)合開發(fā)出來的NAND芯片市場上相互競爭。

  和美光合資開發(fā)了下一代非易失性存儲器技術(shù)-3D XPoint,雖然兩家公司目前制定的終端產(chǎn)品路線圖有所不同,但是,一旦英特爾確認美光面向的目標市場確實利潤豐厚,它完全可以憑借其龐大的生產(chǎn)能力和客戶群輕易地殺入到美光的自留地領(lǐng)域,從而成為美光最強勁的競爭對手。美光的“缺席”所創(chuàng)造的真空可能很容易被英特爾填補。


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