美高森美瞄準(zhǔn)工業(yè)和汽車市場(chǎng)推出新型SiC MOSFET和SiC SBD產(chǎn)品，繼續(xù)在碳化硅解決方案領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位

　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)宣布提供下一代1200V 碳化硅(SiC) MOSFET系列的首款產(chǎn)品40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及與之配合的1200 V SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)，進(jìn)一步擴(kuò)大旗下日益增長(zhǎng)的SiC分立器件和模塊產(chǎn)品組合。

　　這款全新SiC MOSFET產(chǎn)品系列具有高雪崩性能，展示了在工業(yè)、汽車和商業(yè)航空電源應(yīng)用中的耐用性，并且提供了實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健運(yùn)作的高耐短路能力。此外，該產(chǎn)品系列的其他成員將在未來幾個(gè)月內(nèi)陸續(xù)發(fā)布，包括符合商業(yè)和AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的700 V和1200 V SiC MOSFET解決方案，以配合美高森美新發(fā)布的SiC SBD器件所針對(duì)的廣泛電源應(yīng)用。

　　美高森美副總裁兼功率分立和模塊業(yè)務(wù)部門經(jīng)理Leon Gross表示：“我們新的SiC MOSFET產(chǎn)品系列為客戶提供了更高效開關(guān)和高可靠性的優(yōu)勢(shì)，特別是與硅二極管、硅MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)解決方案相比，我們的優(yōu)勢(shì)更加明顯。專注于開發(fā)用于惡劣環(huán)境的高性價(jià)比電力電子解決方案的客戶，可以從這些新一代產(chǎn)品中選擇理想的解決方案，它們都能夠根據(jù)具體的SiC MOSFET需求進(jìn)行擴(kuò)展?！?/p>

　　美高森美下一代SiC MOSFET和新型SiC SBD在額定電流下具有高重復(fù)性的非鉗位電感性開關(guān)(UIS)能力，無任何退化或故障。新型碳化硅(SiC) MOSFET在大約每平方厘米10到15焦耳(J/cm2)的情況下可保持較高的UIS能力，并在3到5微秒內(nèi)保持穩(wěn)健的短路保護(hù)功能。美高森美的SiC SBD在低反向電流下具有平衡浪涌電流、正向電壓、熱阻和熱容額定值，可降低開關(guān)損耗。此外，美高森美SiC MOSFET和SiC SBD芯片可以在模塊中配對(duì)使用。

　　美高森美的新型SiC MOSFET和SBD非常適合工業(yè)和汽車市場(chǎng)中的各種應(yīng)用，其SiC MOSFET也可用于醫(yī)療、航天、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)中的開關(guān)電源和電機(jī)控制應(yīng)用。實(shí)例包括混合動(dòng)力汽車(HEV)/純電動(dòng)充電、插電/感應(yīng)式車載充電 (OBC)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、EV動(dòng)力系統(tǒng)/牽引控制、開關(guān)電源、光伏(PV)逆變器、電機(jī)控制和航空推進(jìn)。

　　市場(chǎng)研究和咨詢公司IndustryARC指出，提高功率轉(zhuǎn)換效率和最大限度地降低功率損耗的要求驅(qū)動(dòng)了電力電子應(yīng)用的增長(zhǎng)，使得寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)(即基于SiC的器件)有可能從開發(fā)階段轉(zhuǎn)向商業(yè)階段。電力轉(zhuǎn)換的進(jìn)步為基于碳化硅的電動(dòng)汽車充電設(shè)備打穩(wěn)了基礎(chǔ)，這有助于減少電池充電周期并降低電池組的高成本。將SiC器件集成在車載充電機(jī)和DC-DC功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和更低的損耗。IndustryARC預(yù)計(jì)電動(dòng)汽車充電領(lǐng)域中的SiC市場(chǎng)將在2024年之前以大約33%的速率增長(zhǎng)。

　　面對(duì)這些發(fā)展趨勢(shì)，美高森美已經(jīng)做好了充分的準(zhǔn)備，其SiC MOSFET的額定失效時(shí)間(FIT)比同類硅IGBT在額定電壓方面的中子敏感度要低10倍;其SiC SBD配合了SiC MOSFET的穩(wěn)健性，UIS能力比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的器件高出20%。美高森美的SiC產(chǎn)品還具有許多其他優(yōu)勢(shì)，包括同樣物理尺寸的功率輸出增加25到50%以實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率、相比IGBT更高的開關(guān)頻率、更小的系統(tǒng)尺寸和重量、高溫度范圍內(nèi)的工作穩(wěn)定性(+175度)以及顯著的散熱成本節(jié)省。

　　在3月4日至8日舉辦的APEC展覽會(huì)上展示和產(chǎn)品供貨

　　美高森美正在提供下一代1200V SiC MOSFET系列40 mOhm MSC040SMA120B器件的樣品，與之配合的SiC SBD產(chǎn)品已全面投入生產(chǎn)。如要了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問公司網(wǎng)頁https://www.microsemi.com/product-directory/mosfet/3539-sic-mosfet 或聯(lián)絡(luò)sales.support@microsemi.com。這些器件和相應(yīng)的SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案將于2018年3月4至 8日在美國(guó)得克薩斯州圣安東尼奧市舉辦的APEC 2018展會(huì)的Richardson RFPD 1147號(hào)展位進(jìn)行展示。