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常用電子元器件分類及選型(正激)

作者: 時(shí)間:2018-08-09 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

一、保險(xiǎn)絲

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201808/386118.htm

分類:從封裝上分為直插式和貼片式,其中直插式的又分徑向引線和縱向引線式。

從時(shí)間上分為速斷、中等慢斷、慢斷等。

從材質(zhì)上分為陶瓷、玻璃、塑料等。

選型:作為保險(xiǎn)絲除了選擇其封裝、時(shí)間、以及材質(zhì),額定電壓、電流等,最主要的是看I平方/T,即A平方/S,這是選擇保險(xiǎn)絲的關(guān)鍵點(diǎn),一般都是用示波器捕捉浪涌電流,然后積分(可以近似計(jì)算),得出A平方/S。

舉例:

以上是給青島某客戶做的一適配器電源白盒測(cè)試的截圖,得到A平方/S為3.912,那么我們就的去查保險(xiǎn)絲的規(guī)格書,對(duì)應(yīng)的參數(shù)必須比3.912要大一個(gè)級(jí)別,查表得到比3.912大一個(gè)級(jí)別的為5.87,對(duì)應(yīng)保險(xiǎn)絲為1.6A,250V。一般電路中整流橋后面有電解電容的,選擇慢斷型的。

二、壓敏電阻

分類:從材質(zhì)上分一般分為SrTiO3(鈦酸鍶)陶瓷和ZnO(氧化鋅)陶瓷,雖然SrTiO3(鈦酸鍶)陶瓷這種材質(zhì)的好,性能優(yōu)良,但價(jià)格高,所以目前作為電源鎮(zhèn)流器類用ZnO的還是居多。

從用途上分一般分為保護(hù)型、浪涌抑制型、功率型,目前我們用的都是浪涌抑制型。

選型:除了外觀尺寸,材質(zhì),封裝等最主要的選型還是看以下。

不同廠家都有自己的命名,而且有的是根據(jù)dc電壓分的,有的是根據(jù)ac電壓分的,如我司目前的CNR、EPCOS。無(wú)論是哪種命名方式,但選擇的原理都是一樣的。

根據(jù)不同的資料,原理有兩種:

一種是最高輸入電壓*1.414*1.2~1.4,來(lái)選擇(dc電壓法)。

舉例:輸入電壓為85-264Vac,則264*1.414*1.2~1.4=447.9~522.6dc,也就是選擇471-511的范圍,如果廠家命名的是ac的,則把*1.414去掉,即264*1.2~1.4=316.8~369.6ac,也就是選擇321~381ac。(321上一個(gè)檔是381,以EPCOS為例

另一種是根據(jù)在1mA時(shí)轉(zhuǎn)折電壓來(lái)選取。

見(jiàn)下面截圖,以EPCOS為例:

三、熱敏電阻

分類:按溫度分:負(fù)溫度系數(shù)/正溫度系數(shù)/臨界溫度熱敏電阻,英文字母表示為NTC/PTC/CTR.

按封裝分:直插式和貼片式。

其材料一般都是半導(dǎo)體陶瓷。

選型:除基本參數(shù)尺寸,25°C的阻值 零功率R25,B值,另外有兩點(diǎn)需要注意:

1. 耗散系數(shù)δ

δ=ΔP/ΔT (mW/℃)

即:在規(guī)定的環(huán)境溫度下,熱敏電阻器耗散功率變化率與其相應(yīng)溫度變化之比。它表示使熱能電阻體升高1℃溫度所需消耗的功率。在工作溫度范圍內(nèi),δ隨環(huán)境溫度變化而有所變化。

2. 額定功率Pr

額定功率=耗散系數(shù)δ×(最高使用溫度Tmax-25℃)

比較興勤和時(shí)恒家的熱敏電阻:

時(shí)恒家的為:熱耗散系數(shù)(mw/℃): 20

興勤家的為:熱耗散系數(shù)(mw/℃): 21

大家根據(jù)上面的公式算一下額定功率:

比如Tmax溫度為200°C,則額定功率為耗散系數(shù)δ×(最高使用溫度Tmax-25℃),時(shí)恒家的為:3.5W,興勤家的為:3.675W。

這個(gè)只是個(gè)參考值。

四、X電容、Y電容(安規(guī)電容)

X電容分類:按照耐壓不同分為X1 X2 X3三種。

1. X1耐高壓大于2.5 kV, 小于等于4 kV,

2. X2耐高壓小于等于2.5 kV,

3. X3耐高壓小于等于1.2 kV

目前我們家都用X2電容,性價(jià)比高。

X電容主要用于跨接L/N之間,濾去差模噪聲。

Y電容分類:按照耐壓不同分為Y1 Y2 Y3 Y4四種。

1. Y1耐高壓大于8 kV,

2. Y2耐高壓大于等于5 kV,

3. Y3 NA

4. Y4耐高壓大于等于2.5kV

需要注意的是:Y1屬于雙絕緣Y電容,用于跨接一二次側(cè).Y2則屬于基本單絕緣Y電容,用于跨接一次側(cè)對(duì)地保護(hù)即FG線。

目前X電容常用的是金屬化聚丙烯薄膜,繞制完畢,兩邊銅包鋼引線,然后放入盒子中,環(huán)氧樹脂灌封而成,這個(gè)工藝中關(guān)鍵還是鋁粉蒸發(fā)到薄膜。

國(guó)外大部分都是壓制而非繞制,所以我們國(guó)產(chǎn)的一般都比不上國(guó)外的品質(zhì)。

選型:只要注意了額定溫度,電壓,尺寸,容量等基本參數(shù),沒(méi)有什么可難選型的。

目前Y電容常用的是陶瓷介質(zhì),通過(guò)焊料和鍍錫銅包鋼引線焊接,然后環(huán)氧樹脂封裝而成。

選型:注意額定溫度,電壓,尺寸,容量等基本參數(shù),主要看其溫度特性是什么,如B(Bn) E R F等,目前比較好的是B(Bn)溫度特性的,以及損耗角的正切值以及漏電流(一般從1-10mA之間)。

溫度特性曲線如下:

五、 MOS 管

分類:按溝道分 N溝道和P溝道。

按材料分 結(jié)型和絕緣柵型。

按功率分 大中小三種。

其中注意所用MOS是增強(qiáng)型還是耗盡型。

目前我們都是用的絕緣柵-增強(qiáng)型-N溝道MOS。

選型:MOS管的選型比較復(fù)雜,講起來(lái)比較費(fèi)唾沫。

現(xiàn)以N溝道增強(qiáng)型MOS管STW9NB90為例講解:

絕對(duì)最大額定值

從上而下依次為:

漏源電壓 MOS管的實(shí)際最大的電壓必須為此電壓的88%降額。(因?yàn)?40時(shí)MOS管的反壓是原來(lái)反壓的92%左右,當(dāng)然如果低溫不是-40就另當(dāng)別論)

漏柵電壓

柵源電壓 柵極驅(qū)動(dòng)脈沖電壓幅值一般在最大不要超過(guò)25V,這是對(duì)于+/-30V的而言,如果是+/-25的話,一般不要超過(guò)20V,當(dāng)然以上說(shuō)的是極限值,一般都不會(huì)用到極限值,MOS管最佳開通電壓幅值為10V,低驅(qū)動(dòng)電壓MOS除外)

漏極電流(25°C時(shí))

漏極電流(100°C時(shí)) MOS管在極限條件(空氣對(duì)流的情況除外)下一般都會(huì)到達(dá)這個(gè)溫度,所以選型時(shí)看此時(shí)的電流,不要看25°C,沒(méi)有意義)

脈沖漏極電流

總功耗 這個(gè)功耗就是N溝道所能允許的功耗,一般為保險(xiǎn)起見(jiàn),電源或鎮(zhèn)流器是多大功率的,要選的此值接近于其功率,當(dāng)然最終以測(cè)試溫升為評(píng)判依據(jù)。

額定值降低因子

反向峰值電壓(好像只有ST廠家的有此項(xiàng))

儲(chǔ)存溫度

最大工作結(jié)溫

熱阻

雪崩能量

電氣特性

因項(xiàng)目多,所以選幾個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目講解:

溝道電阻Rdson 除了開關(guān)損耗,另一個(gè)重要損耗就是溝道電阻的損耗。

米勒電容充電電荷量Qgd 這個(gè)主要以示波器測(cè)試米勒平臺(tái)波形為準(zhǔn)。

反向恢復(fù)時(shí)間trr 寄生反向恢復(fù)時(shí)間(有的芯片如半橋的,死區(qū)時(shí)間選的理論可以,為什么還會(huì)出現(xiàn)上下橋臂同時(shí)通的情況,原因就在于此,trr太長(zhǎng),國(guó)外品牌的一般都不會(huì)出問(wèn)題,國(guó)產(chǎn)的標(biāo)的很好,時(shí)間根本就達(dá)不到,很是不靠譜)


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