選擇一個(gè)高頻開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)，設(shè)計(jì)權(quán)衡

自從20世紀(jì)80年代，DC至DC開(kāi)關(guān)電壓轉(zhuǎn)換器(“開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器”)已成為流行的相比線(xiàn)性穩(wěn)壓電池供電的應(yīng)用，因?yàn)槠涔逃械母叩男?。這個(gè)屬性讓電池持續(xù)時(shí)間更長(zhǎng)，電路保持涼爽。

隨著時(shí)間的推移，制造商都增加在該調(diào)節(jié)器從幾百千赫切換到三個(gè)或四個(gè)兆赫的頻率。在更高的頻率下工作的主要優(yōu)點(diǎn)是，它允許使用更小的外部元件，如電感器和電容器，節(jié)省電路板空間和元件成本。

不幸的是，較高頻率的設(shè)備比他們慢切換同行效率較低，迫使工程師權(quán)衡規(guī)模和成本優(yōu)勢(shì)，對(duì)電池壽命縮短。但是，新一代的高頻電壓調(diào)節(jié)器利用了現(xiàn)代工藝的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，以提高性能。

設(shè)計(jì)基于高頻穩(wěn)壓電源時(shí)，本文將詳細(xì)介紹在權(quán)衡并介紹了新的高效率芯片的一些例子，從主要的芯片供應(yīng)商。

開(kāi)關(guān)效率

線(xiàn)性調(diào)節(jié)器用于調(diào)節(jié)電池電壓與由硅敏感要求簡(jiǎn)單而有效的裝置。然而，它們從兩個(gè)關(guān)鍵缺點(diǎn)的。第一，效率下降作為輸入和輸出電壓之間的差增大。其次，線(xiàn)性穩(wěn)壓器只能降壓(“降壓”)，而不是步升(“提升”)或反轉(zhuǎn)的電壓。這種故障來(lái)提高電壓，可以把未開(kāi)發(fā)的潛力，在電池時(shí)，該設(shè)備不再供電(見(jiàn)技術(shù)專(zhuān)區(qū)的文章“了解線(xiàn)性穩(wěn)壓器的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)”)。

這些弱點(diǎn)已經(jīng)看到了上升的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的普及。進(jìn)入20世紀(jì)80年代的主流，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器采用一個(gè)脈沖寬度調(diào)制(PWM)開(kāi)關(guān)元件包含一個(gè)或兩個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)配對(duì)與一個(gè)或兩個(gè)電感器和電容器的能量存儲(chǔ)和過(guò)濾。

當(dāng)晶體管是上并導(dǎo)通電流，在其電源通路上的電壓降最小。當(dāng)晶體管關(guān)斷，阻塞高電壓，也幾乎沒(méi)有電流流過(guò)它的功率路徑。因此，該晶體管是接近理想開(kāi)關(guān)和功耗最小化。

高效率，低功耗和高功率密度(由于它們的小尺寸)是設(shè)計(jì)者使用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器代替線(xiàn)性穩(wěn)壓器，特別是在高電流應(yīng)用的主要原因。此外，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器能升壓，降壓和反轉(zhuǎn)電壓。許多制造商提供的模塊化芯片的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的主要元件集成到一個(gè)單一的裝置，其結(jié)構(gòu)緊湊，工作可靠，并容易設(shè)計(jì)在寬范圍內(nèi)。

這種裝置(輸出功率/輸入功率×100)的效率通常在80%以上，并且可以是高達(dá)95%。浪費(fèi)的功率通常作為熱量耗散。

而工作頻率確定的每單位時(shí)間的開(kāi)關(guān)次數(shù)的數(shù)目，它是PWM信號(hào)的占空比(D)，其確定的開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通的時(shí)間的百分比，因此，反過(guò)來(lái)，輸出電壓(VOUT)從公式VOUT =深x VIN。操作頻率不會(huì)但是，顯著影響regulator.¹的設(shè)計(jì)和性能

為了滿(mǎn)足各種應(yīng)用需要，廠(chǎng)家供應(yīng)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器在整個(gè)頻率范圍內(nèi)工作，從100 kHz到4 MHz。在低頻端，例如，凌力爾特公司提供的LT1574。這是一個(gè)200千赫電流模式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器適用于9至5 V，5至3.3 V和反相運(yùn)行，該公司表示，對(duì)噪聲敏感的產(chǎn)品是有用的。

定位在該公司的范圍的上端是LTC3601。芯片能夠提供高達(dá)1.5的輸出電流的一個(gè)電流模式開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器。該工作電源電壓范圍為415 V和工作頻率可編程至高達(dá)4MHz的，該公司表示能夠使用小型表面貼裝電感器。

在權(quán)衡高開(kāi)關(guān)頻率

圖1示出了降壓配置中的典型開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器。在該電路中，電感器充當(dāng)能量存儲(chǔ)裝置。當(dāng)該晶體管被供電時(shí)，從輸入源電流流動(dòng)時(shí)，通過(guò)晶體管和電感器，到輸出。磁場(chǎng)在電感積聚，存儲(chǔ)能量。電感兩端的電壓降(即正比于晶體管的占空比)反對(duì)(或“蚊」)的輸入電壓的一部分。當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí)，電感器反對(duì)通過(guò)經(jīng)由二極管翻轉(zhuǎn)其電動(dòng)勢(shì)(EMF)并提供給負(fù)載本身電流中的變化。

凌力爾特典型的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器圖片

圖1：在降壓配置典型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 (凌力爾特公司提供)

類(lèi)似的事情發(fā)生在一個(gè)升壓轉(zhuǎn)換器。具體地，從輸入電流流當(dāng)晶體管被接通。此穿過(guò)電感器和晶體管，具有能量被存儲(chǔ)在電感器的磁場(chǎng)。沒(méi)有電流通過(guò)二極管和負(fù)載電流由在電容器中的電荷供給。然后，當(dāng)晶體管截止時(shí)，電感反對(duì)在當(dāng)前任何壓降通過(guò)反轉(zhuǎn)其電動(dòng)勢(shì)，升壓電源電壓和電流。從源通過(guò)電感和二極管與該負(fù)載電流流動(dòng)時(shí)，以及充電的電容器(參見(jiàn)技術(shù)專(zhuān)區(qū)文章“電感的在完成一個(gè)基于模塊電源解作用”)。

盡管輸出電壓不通過(guò)開(kāi)關(guān)頻率直接影響，切換的速率并具有在電源設(shè)計(jì)中的顯著效果。在一般情況下，較高的開(kāi)關(guān)頻率允許使用一個(gè)較小的電感器(和輸入和輸出濾波電容器)的。這是因?yàn)殡姼写笮∮杉y波電流在給定的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的規(guī)范所允許的量，主要決定。對(duì)于給定的電感，紋波電流隨著開(kāi)關(guān)頻率的增加。因此，一個(gè)逐漸變小的電感器可用于保持紋波電流的相同數(shù)量的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的頻率的增加 - 減少電源的尺寸和成本。

更高頻率的操作也賦予了更大的帶寬的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，升壓器件的瞬態(tài)響應(yīng)(圖2)。

德州儀器瞬態(tài)響應(yīng)圖片

圖2：更高的工作頻率提高了瞬態(tài)響應(yīng)(以最高2.2 MHz器件，在底部550 kHz器件)。 [德州儀器(TI)提供]²

在一個(gè)頻率高達(dá)4MHz的開(kāi)關(guān)的另一個(gè)好處是，它使設(shè)計(jì)人員能夠避免關(guān)鍵的噪聲敏感頻段，如AM收音機(jī)。然而，有一個(gè)折衷。例如，電磁干擾(EMI)可以當(dāng)在高開(kāi)關(guān)頻率下工作是有問(wèn)題的。 EMI從開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器是正比于開(kāi)關(guān)頻率的平方 - 換句話(huà)說(shuō)，如果開(kāi)關(guān)頻率加倍，所述EMI可以增加四倍。密切關(guān)注印刷電路板(PCB)布局和元件選擇可以減輕EMIproblems²(見(jiàn)技術(shù)專(zhuān)區(qū)的文章“電容的選擇是關(guān)鍵，以良好的電壓調(diào)節(jié)器設(shè)計(jì)”)。

較高的開(kāi)關(guān)頻率也意味著更大的功率損失，需要更多的電路板空間或散熱片來(lái)散熱。開(kāi)關(guān)損耗的增加以更大的頻率，由于較大數(shù)目的每time.³恒定能量切換事件有些損失是由于開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的MOSFET，這需要一定的時(shí)間來(lái)進(jìn)行“接通”或此“關(guān)”。在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)產(chǎn)生的電壓和電流重疊。圖3示出了一個(gè)開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的MOSFET的典型開(kāi)關(guān)波形。主開(kāi)關(guān)損失是由于MOSFET的具有電荷(QGD)寄生電容的充電和放電。 MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗(PSW)正比于從公式計(jì)算出轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率(FS)：

方程1的圖像

凌力爾特的圖像開(kāi)關(guān)波形和損失

圖3：典型的開(kāi)關(guān)波形在降壓穩(wěn)壓器MOSFET的損耗。 (凌力爾特公司提供)