智能電表設(shè)計(jì)中如何應(yīng)用相變存儲(chǔ)器PCM
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相變存儲(chǔ)器即是英文Phase Change Memory-- PCM 的縮寫(xiě)。就是一種利用六族與第四、五族的化合物作為存儲(chǔ)材料的存儲(chǔ)器。 該種化合物是一種相態(tài)可逆變的物質(zhì)?？梢栽谟行蚪Y(jié)構(gòu)(晶態(tài)-低阻)和無(wú)序結(jié)構(gòu)(非晶態(tài)-高阻) 之間變化。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/201893.htm
通過(guò)圖片可以看出，電流電壓曲線圖是從一個(gè)ＰＣＭ的存儲(chǔ)單元獲得。讀取操作是工作在電壓５００毫伏且電流小于１００微安以下的區(qū)間內(nèi)，所以沒(méi)有對(duì)ＧＳｔ產(chǎn)生加熱的效應(yīng)。晶態(tài)和非晶態(tài)的存儲(chǔ)狀態(tài)也就沒(méi)有變化。當(dāng)電壓大于５００毫伏且電流大于５００微安時(shí)，電阻加熱器就會(huì)融化ＧＳＴ材料。此時(shí)晶態(tài)和非晶體的狀態(tài)就會(huì)發(fā)生變化。
基于相變技術(shù)的存儲(chǔ)器具有三個(gè)特性，包括位修改（直接寫(xiě)入），高寫(xiě)入次數(shù)，工藝和成本的可延續(xù)性。下面圖片是對(duì)現(xiàn)在流行的存儲(chǔ)器之間的比較。
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