納芯微推出基于“Adaptive OOK”技術(shù)的增強(qiáng)型數(shù)字隔離芯片

國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的信號(hào)鏈芯片及其解決方案提供商蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“納芯微”)近日宣布推出基于其特有的“Adaptive OOK”技術(shù)的新一代增強(qiáng)型數(shù)字隔離芯片NSi82xx系列。該產(chǎn)品滿足VDE加強(qiáng)絕緣標(biāo)準(zhǔn)，并符合AEC-Q100汽車級(jí)規(guī)范，在浪涌耐壓能力、ESD能力以及抗共模瞬態(tài)干擾度等技術(shù)指標(biāo)上均有大幅度提升，可應(yīng)用于各類高隔離耐壓及需要加強(qiáng)絕緣認(rèn)證的復(fù)雜系統(tǒng)中。

圖1：納芯微推出基于“Adaptive OOK”技術(shù)的新一代數(shù)字隔離芯片NSi82xx

NSi82xx系列采用創(chuàng)新性的“Adaptive OOK”技術(shù)，將抗共模瞬態(tài)干擾能力提升至200kV/us以上，使得該產(chǎn)品具有更強(qiáng)的可靠性和穩(wěn)定度，更加符合GaN、MOSFE等高速開關(guān)場(chǎng)合對(duì)快速瞬態(tài)干擾免疫的嚴(yán)苛要求。基于滿足加強(qiáng)絕緣標(biāo)準(zhǔn)的隔離工藝，NSi82xx的內(nèi)部隔離層耐壓提升至12kVrms 以上，浪涌耐壓提升至10kV以上，并使其達(dá)到雙邊ESD耐壓超過15kV、絕緣工作電壓超過1500Vrms的能力。該隔離工藝已經(jīng)過充分的可靠性驗(yàn)證，滿足批量產(chǎn)品化要求。

圖2：NSi82xx在電路、封裝、工藝設(shè)計(jì)等方面采用多項(xiàng)專利技術(shù)

相較于前一代NSi81xx系列數(shù)字隔離芯片，NSi82xx在隔離層耐壓、浪涌耐壓、最小抗共模瞬態(tài)干擾度及抗電源噪聲能力等性能上均有較大幅度提升。此外，其型號(hào)覆蓋單通道至六通道，產(chǎn)品系列更加豐富。

圖3：NSi82xx系列比NSi81xx系列數(shù)字隔離芯片有較大性能提升

NSi82xx系列數(shù)字隔離芯片可應(yīng)用在通信、數(shù)字電源、工控、光伏、新能源汽車等系統(tǒng)中，特別適合于對(duì)隔離耐壓要求較高、需要加強(qiáng)絕緣的各類嚴(yán)苛應(yīng)用環(huán)境。

此外，納芯微將陸續(xù)推出基于“Adaptive OOK”技術(shù)的隔離采樣、隔離驅(qū)動(dòng)、隔離接口等各類增強(qiáng)型隔離產(chǎn)品，敬請(qǐng)關(guān)注。