華虹半導體持續(xù)打造卓越eNVM工藝平臺

全球領先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)—— 華虹半導體有限公司 （ “華虹半導體” 或 “公司” ）近日宣布，其95納米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存儲器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）工藝平臺通過不斷的創(chuàng)新升級，技術優(yōu)勢進一步增強，可靠性相應大幅提升。

華虹半導體95納米SONOS eNVM工藝技術廣泛應用于微控制器（MCU）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等領域，具有穩(wěn)定性好、可靠性高、功耗低等優(yōu)點。相對上一代技術，95納米SONOS eNVM 5V工藝實現(xiàn)了更小設計規(guī)則，獲得了同類產品芯片面積的縮??；邏輯部分芯片門密度較現(xiàn)有業(yè)界同類工藝提升超過40%，達到業(yè)界領先水平；所需光罩層數(shù)較少，能夠提供更具成本效益的解決方案。同時，95納米SONOS eNVM 5V工藝具有更高集成度和領先的器件性能，存儲介質擦/寫特性達到了2毫秒的先進水平；低功耗器件驅動能力提高20%，僅用5V器件可以覆蓋1.7V至5.5V的寬電壓應用。

華虹半導體持續(xù)深耕，95納米SONOS eNVM采用全新的存儲器結構以及優(yōu)化操作電壓，大大提高了閾值電壓的窗口。在相同測試條件下，SONOS IP的擦寫能力達到1000萬次，可靠性提升20倍；在85℃條件下，數(shù)據(jù)保持能力可長達30年，處于國際領先水平。華虹半導體致力于持續(xù)優(yōu)化工藝水平，在提升數(shù)據(jù)保持能力條件下，同時提升擦寫次數(shù)，更好地滿足市場對超高可靠性產品的需求。  

此外，隨著高可靠性工藝平臺及衍生工藝受到青睞，公司基于SONOS工藝的eNVM更可以涵蓋MTP（Multi-Time Programmable Memory）應用。通過簡化設計、優(yōu)化IP面積和減少測試時間等，在IP面積、測試時間、使用功耗和擦寫能力上比MTP性能更優(yōu)，更具競爭力。在此基礎上增加配套的可選器件，進一步滿足電源管理和RF類產品的需求。

華虹半導體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士 表示：“嵌入式非易失性存儲器技術向來是華虹半導體的 ‘王牌’之一，一直保持著業(yè)界領先地位，為廣大MCU客戶提供了靈活多樣的技術平臺。在‘8英寸+12英寸’戰(zhàn)略定位的指引下，公司在8英寸平臺上，通過縮小存儲單元IP面積、減少光罩層數(shù)等方式來進一步強化嵌入式閃存技術工藝；同時，我們發(fā)揮12英寸平臺更小線寬特性，打造高性能的嵌入式非易失性存儲器工藝技術平臺，在鞏固智能卡芯片制造領航者地位的同時，滿足物聯(lián)網(wǎng)、MCU、汽車電子等高增長的市場需求。”