應(yīng)用材料公司解決2D尺寸繼續(xù)微縮的重大技術(shù)瓶頸

應(yīng)用材料公司近日宣布推出一項(xiàng)新技術(shù)，突破了晶圓代工-隨邏輯節(jié)點(diǎn)2D尺寸繼續(xù)微縮的關(guān)鍵瓶頸。

應(yīng)用材料公司最新的選擇性鎢工藝技術(shù)為芯片制造商提供了一種構(gòu)建晶體管和其它金屬導(dǎo)線連接的新方法，這種連接作為芯片的第一級(jí)布線，起著至關(guān)重要的作用。創(chuàng)新型選擇性沉積降低了導(dǎo)線電阻，從而提升晶體管性能并降低功耗。有了這項(xiàng)技術(shù)，晶體管及其導(dǎo)線的節(jié)點(diǎn)可以繼續(xù)微縮到5納米、3納米及以下，從而實(shí)現(xiàn)芯片功率、性能和面積/成本（PPAC）的同步優(yōu)化。

應(yīng)用材料公司創(chuàng)新的選擇性鎢工藝技術(shù)消除了在先進(jìn)晶圓代工-隨邏輯節(jié)點(diǎn)微縮而阻礙晶體管功率和性能的導(dǎo)線電阻瓶頸

微縮挑戰(zhàn)

雖然光刻技術(shù)的進(jìn)步使得晶體管導(dǎo)線通孔可以進(jìn)一步縮小，但是，傳統(tǒng)的金屬填充導(dǎo)線通孔的方法已成為PPAC優(yōu)化的一個(gè)關(guān)鍵瓶頸。

長(zhǎng)久以來(lái)，導(dǎo)線一直通過(guò)多層工藝完成。首先在通孔內(nèi)壁涂覆一層由氮化鈦制成的粘附阻擋層，然后成核層，最后用鎢填充剩余空間，首選鎢作為填孔金屬是因?yàn)樗碾娮杪屎艿汀?/p>

在7納米晶圓代工節(jié)點(diǎn)，導(dǎo)線通孔直徑只有20納米左右。粘附阻擋層和成核層約占通孔容積的75%，只剩25%左右的容積用于填鎢。細(xì)鎢絲電阻很高，使PPAC優(yōu)化和進(jìn)一步的2D尺寸微縮遭遇重大瓶頸。

VLSIresearch董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官Dan Hutcheson 表示：“隨著EUV的出現(xiàn)，我們需要解決一些關(guān)鍵性的材料工程挑戰(zhàn)才能讓2D尺寸微縮繼續(xù)發(fā)展。在我們這個(gè)行業(yè)，粘附阻擋層就像醫(yī)學(xué)里的‘動(dòng)脈斑塊’，它剝奪了芯片達(dá)到最佳性能所需的電子流。應(yīng)用材料公司的選擇性鎢沉積是我們期待已久的突破?！?/p>

應(yīng)用材料公司最新的Endura^? Volta? Selective Tungsten CVD系統(tǒng)

選擇性鎢沉積

應(yīng)用材料公司最新的 Endura^? Volta? Selective Tungsten CVD系統(tǒng) 使得芯片制造商可以選擇性地在晶體管導(dǎo)線通孔進(jìn)行鎢沉積，完全不需要粘附阻擋層和成核層。整個(gè)通孔用低電阻鎢填充，解決了PPAC持續(xù)微縮所面臨的瓶頸。

應(yīng)用材料公司的選擇性鎢工藝技術(shù)是一種集成材料解決方案，結(jié)合了潔凈度比潔凈室高許多倍的超潔凈、高真空環(huán)境下的多項(xiàng)工藝技術(shù)。對(duì)晶圓進(jìn)行原子級(jí)的表面處理并采取獨(dú)特的沉積工藝，使得鎢原子在通孔選擇性沉積，實(shí)現(xiàn)無(wú)脫層、無(wú)縫隙、無(wú)空洞完美地自下而上填充。

應(yīng)用材料公司半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部副總裁Kevin Moraes表示：“數(shù)十年來(lái)，行業(yè)依賴于2D尺寸微縮來(lái)驅(qū)動(dòng)功率、性能和面積/成本（PPAC）的同步優(yōu)化，但是如今，由于所要求的微縮幾何形狀太小，我們?cè)絹?lái)越接近傳統(tǒng)材料和材料工程工藝的物理極限。我們的選擇性鎢工藝技術(shù)集成材料解決方案，是應(yīng)用材料公司通過(guò)創(chuàng)造新的工藝來(lái)滿足微縮需求而無(wú)需在功率和性能上妥協(xié)的完美例證。”

全新的Endura系統(tǒng)已經(jīng)成為全球多個(gè)領(lǐng)先客戶的選擇。應(yīng)用材料公司創(chuàng)新的選擇性加工工藝已經(jīng)成熟地運(yùn)用于選擇性外延、選擇性沉積與選擇性移除上，而應(yīng)用在Endura平臺(tái)上還是首次。這些選擇性加工技術(shù)使得芯片制造商能以全新的方式創(chuàng)制、塑造、調(diào)整材料，持續(xù)推動(dòng)PPAC的進(jìn)步。