Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產(chǎn)品

—— 節(jié)省空間的LFPAK56D半橋產(chǎn)品可以幫助動力系統(tǒng)、電機控制和DC/DC應用減少60%的寄生電感并改善散熱性能

作者：時間：2021-02-23 來源：

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關鍵半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布推出一系列采用節(jié)省空間的LFPAK56D封裝技術的半橋（高端和低端）汽車MOSFET。采用兩個MOSFET的半橋配置是許多汽車應用（包括電機驅(qū)動器和DC/DC轉(zhuǎn)換器）的標準構(gòu)建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機控制拓撲的雙通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線路，其占用的PCB面積減少了30%，同時支持在生產(chǎn)過程中進行簡單的自動光學檢測(AOI)。LFPAK56D半橋產(chǎn)品采用現(xiàn)有的大批量LFPAK56D封裝工藝，并具有成熟的汽車級可靠性。這種封裝形式使用靈活的引腳來提高整體可靠性，并且MOSFET之間采用內(nèi)部銅夾連接，簡化了PCB設計并帶來了即插即用式解決方案，電流處理能力達到98A，表現(xiàn)非常出色。

通常，在半橋結(jié)構(gòu)中，高邊MOSFET的源極與低邊MOSFET的漏極之間的PCB連接會產(chǎn)生大量的寄生電感。但是，通過內(nèi)部夾式連接，LFPAK56D半橋封裝成功減少了60%的寄生電感。

本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/202102/422883.htm

新推出的LFPAK56D半橋MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。這兩款產(chǎn)品都采用高度耐用的Trench 9汽車級晶圓工藝技術，額定電壓為40 V，并在關鍵測試中通過了兩倍汽車AEC-Q101規(guī)范的驗證。這兩款器件的RDS(on)分別為4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。

符合AEC-Q101標準的Nexperia LFPAK56D半橋封裝產(chǎn)品適合各類三相汽車動力系統(tǒng)應用，例如燃油泵、水泵、電機控制和DC/DC電源轉(zhuǎn)換。其占用的PCB面積減少30%，寄生電感減少60%，因此適用于高性能開關應用。隨著重要汽車客戶的設計采用和投入，這項新技術已經(jīng)取得了成功。