Nexperia新8英寸晶圓線啟動，生產(chǎn)領先Qrr品質因數(shù)80 V/100 V MOSFET

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資全球制造工廠以提高產(chǎn)能，包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產(chǎn)設備，這對買方來講一個好消息。新型MOSFET的性能也令設計人員感到興奮。這些MOSFET非常適合各種開關應用，也可以替代其他供應商的產(chǎn)品?！?/p>本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/202106/426550.htm

NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低RDS(on)，前一代100 V器件為7 m?，而新器件只有4.3 m?，效率大大提高。對于100 V器件，NextPower技術還提供44 nC的極低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干擾。總體而言，100 V器件的Qrr品質因數(shù)平均比競爭對手同類產(chǎn)品低61%。

新的80 V和100 V MOSFET采用具有高熱性能和電氣性能的Nexperia LFPAK56E銅夾片技術封裝。器件廣泛適用于開關應用，包括AC/DC、DC/DC和電機控制等。