Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級(jí)碳化硅 MOSFET
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時(shí)間：2023-04-13
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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【2023 年 4 月 13 日美國(guó)德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用，對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/202304/445538.htm
DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達(dá) 37A) 的條件下運(yùn)作，同時(shí)維持低導(dǎo)熱性 (RθJC = 0.6°C/W)，非常適合用于在惡劣環(huán)境中運(yùn)作的應(yīng)用。這款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低，僅 80mΩ (對(duì)于 15V 的閘極驅(qū)動(dòng))，能將傳導(dǎo)耗損降至最低，并提高效率。而這款裝置的閘極電荷僅 52nC，可減少開(kāi)關(guān)耗損與降低封裝溫度。
本產(chǎn)品是市場(chǎng)上首款采用 TO247-4 封裝的碳化硅 MOSFET。額外的凱爾文感應(yīng)接腳可以接到 MOSFET 的源極，以優(yōu)化切換效能，達(dá)到更高的功率密度。
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