在光刻機(jī)新技術(shù)的研發(fā)上, 我們似乎又掉隊(duì)了

目前全球僅4家廠商，能夠制造光刻機(jī)，分別是荷蘭的ASML，日本的尼康、佳能，和上海的微電子。

從技術(shù)水平來(lái)看，ASML>尼康>佳能>上海微電子。如下圖所示，ASML的光刻機(jī)能夠達(dá)到3nm的精度了，而尼康的主要在28nm及以上，而佳能、上海微電子的在90nm以上。

再給大家一個(gè)數(shù)字，這是某機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)的，2021年全球半導(dǎo)體前道光刻機(jī)的銷售情況，從這張表可以看出來(lái)，小米7nm的EUV光刻機(jī)，ASML全部包攬。

在45-7nm的光刻機(jī)上，僅有尼康、ASML能夠推出，尼康也就是打醬油，僅賣(mài)出4臺(tái)，另外的81臺(tái)全是ASML的。

直到180nm級(jí)別的KrF光刻機(jī)上，佳能才參與進(jìn)來(lái)，而中國(guó)廠商在前道光刻機(jī)的出貨量基本為0（也可能是沒(méi)有統(tǒng)計(jì)到），但不否認(rèn)，其份額是可以忽略的。

目前硅基芯片被認(rèn)為發(fā)展到極限了，而硅基芯片需要EUV光刻機(jī)，中國(guó)基本上在EUV光刻機(jī)，不太可能追得上了，所以很多人表示，在當(dāng)前的光刻機(jī)技術(shù)上，既然我們這么落后，那么就應(yīng)該換道超車(chē)了，在新的技術(shù)上，趕上來(lái)唄。

但是，要我說(shuō)實(shí)話，從目前已知的光刻機(jī)新技術(shù)來(lái)看，中國(guó)還是相對(duì)落后的。

目前已知的光刻機(jī)新技術(shù)，有三種，并且這三種技術(shù)也被大量的廠商在研究。

第一種是NIL技術(shù)，也就是納米壓印，將芯片的電路板，像打印機(jī)一樣，打印到硅片上，能夠比EUV光刻機(jī)精度更高，功耗更低，成本更低。

目前在這一種技術(shù)上，佳能表現(xiàn)最突出，申請(qǐng)的專利也最多，并且與鎧俠合作，已經(jīng)有成熟的產(chǎn)品了，我們沒(méi)有廠商表現(xiàn)很突出。

第二種技術(shù)是電子束光刻機(jī)(EBL)，用高能電子束來(lái)替代極紫外線，電子對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)只有0.04納米，加工精度就比EUV又高了不少。

這種技術(shù)，目前是美國(guó)表現(xiàn)最為突出，美國(guó)廠商Zyvex還搞了一臺(tái)成熟的產(chǎn)品，并且制造出了0.768nm的芯片，不過(guò)目前這種光刻機(jī)效率低，無(wú)法大規(guī)模使用，但至少走在世界前列。

第三種技術(shù)稱之為“自組裝（DSA）光刻技術(shù)”，利用新的化學(xué)材料，讓電路圖直接在硅片上生成，不需要光刻。

目前在這一塊表現(xiàn)突出的，是歐洲、美國(guó)的研發(fā)機(jī)構(gòu)，像比利時(shí)微電子中心、麻省理工學(xué)院，都建立了自組裝產(chǎn)線進(jìn)行研究，專利也申請(qǐng)的最多。

實(shí)話實(shí)說(shuō)，目前中國(guó)的廠商，在這三種被大家認(rèn)為大有未來(lái)的光刻機(jī)技術(shù)、專利上表現(xiàn)都不太突出，所以說(shuō)是落后了也并不過(guò)份。

當(dāng)然，任何技術(shù)沒(méi)有成為真正的生產(chǎn)力之前，都有可能是無(wú)用功，這三大技術(shù)也不例外，現(xiàn)在被看好，未來(lái)也可能一事無(wú)成。

但能夠在這些前沿技術(shù)上發(fā)力，表現(xiàn)突出，也是實(shí)力的一種表現(xiàn)，所以中國(guó)廠商真的要加油，不管押注什么技術(shù)，都得趕緊研發(fā)了，否則落后又要挨打啊。