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在光刻機新技術(shù)的研發(fā)上, 我們似乎又掉隊了

作者: 時間:2023-05-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

目前全球僅4家廠商,能夠制造,分別是荷蘭的,日本的,和上海的微電子。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202305/446179.htm

從技術(shù)水平來看,>>>。如下圖所示,能夠達到3nm的精度了,而的主要在28nm及以上,而的在90nm以上。

再給大家一個數(shù)字,這是某機構(gòu)統(tǒng)計的,2021年全球半導(dǎo)體前道的銷售情況,從這張表可以看出來,小米7nm的EUV光刻機,ASML全部包攬。

在45-7nm的光刻機上,僅有尼康、ASML能夠推出,尼康也就是打醬油,僅賣出4臺,另外的81臺全是ASML的。


直到180nm級別的KrF光刻機上,佳能才參與進來,而中國廠商在前道光刻機的出貨量基本為0(也可能是沒有統(tǒng)計到),但不否認,其份額是可以忽略的。

目前硅基芯片被認為發(fā)展到極限了,而硅基芯片需要EUV光刻機,中國基本上在EUV光刻機,不太可能追得上了,所以很多人表示,在當(dāng)前的光刻機技術(shù)上,既然我們這么落后,那么就應(yīng)該換道超車了,在新的技術(shù)上,趕上來唄。


但是,要我說實話,從目前已知的光刻機新技術(shù)來看,中國還是相對落后的。

目前已知的光刻機新技術(shù),有三種,并且這三種技術(shù)也被大量的廠商在研究。

第一種是NIL技術(shù),也就是納米壓印,將芯片的電路板,像打印機一樣,打印到硅片上,能夠比EUV光刻機精度更高,功耗更低,成本更低。

目前在這一種技術(shù)上,佳能表現(xiàn)最突出,申請的專利也最多,并且與鎧俠合作,已經(jīng)有成熟的產(chǎn)品了,我們沒有廠商表現(xiàn)很突出。


第二種技術(shù)是電子束光刻機(EBL),用高能電子束來替代極紫外線,電子對應(yīng)的波長只有0.04納米,加工精度就比EUV又高了不少。

這種技術(shù),目前是美國表現(xiàn)最為突出,美國廠商Zyvex還搞了一臺成熟的產(chǎn)品,并且制造出了0.768nm的芯片,不過目前這種光刻機效率低,無法大規(guī)模使用,但至少走在世界前列。


第三種技術(shù)稱之為“自組裝(DSA)光刻技術(shù)”,利用新的化學(xué)材料,讓電路圖直接在硅片上生成,不需要光刻。

目前在這一塊表現(xiàn)突出的,是歐洲、美國的研發(fā)機構(gòu),像比利時微電子中心、麻省理工學(xué)院,都建立了自組裝產(chǎn)線進行研究,專利也申請的最多。


實話實說,目前中國的廠商,在這三種被大家認為大有未來的光刻機技術(shù)、專利上表現(xiàn)都不太突出,所以說是落后了也并不過份。

當(dāng)然,任何技術(shù)沒有成為真正的生產(chǎn)力之前,都有可能是無用功,這三大技術(shù)也不例外,現(xiàn)在被看好,未來也可能一事無成。

但能夠在這些前沿技術(shù)上發(fā)力,表現(xiàn)突出,也是實力的一種表現(xiàn),所以中國廠商真的要加油,不管押注什么技術(shù),都得趕緊研發(fā)了,否則落后又要挨打啊。



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