在光刻機新技術的研發(fā)上, 我們似乎又掉隊了

目前全球僅4家廠商，能夠制造光刻機，分別是荷蘭的ASML，日本的尼康、佳能，和上海的微電子。

從技術水平來看，ASML>尼康>佳能>上海微電子。如下圖所示，ASML的光刻機能夠達到3nm的精度了，而尼康的主要在28nm及以上，而佳能、上海微電子的在90nm以上。

再給大家一個數(shù)字，這是某機構統(tǒng)計的，2021年全球半導體前道光刻機的銷售情況，從這張表可以看出來，小米7nm的EUV光刻機，ASML全部包攬。

在45-7nm的光刻機上，僅有尼康、ASML能夠推出，尼康也就是打醬油，僅賣出4臺，另外的81臺全是ASML的。

直到180nm級別的KrF光刻機上，佳能才參與進來，而中國廠商在前道光刻機的出貨量基本為0（也可能是沒有統(tǒng)計到），但不否認，其份額是可以忽略的。

目前硅基芯片被認為發(fā)展到極限了，而硅基芯片需要EUV光刻機，中國基本上在EUV光刻機，不太可能追得上了，所以很多人表示，在當前的光刻機技術上，既然我們這么落后，那么就應該換道超車了，在新的技術上，趕上來唄。

但是，要我說實話，從目前已知的光刻機新技術來看，中國還是相對落后的。

目前已知的光刻機新技術，有三種，并且這三種技術也被大量的廠商在研究。

第一種是NIL技術，也就是納米壓印，將芯片的電路板，像打印機一樣，打印到硅片上，能夠比EUV光刻機精度更高，功耗更低，成本更低。

目前在這一種技術上，佳能表現(xiàn)最突出，申請的專利也最多，并且與鎧俠合作，已經(jīng)有成熟的產(chǎn)品了，我們沒有廠商表現(xiàn)很突出。

第二種技術是電子束光刻機(EBL)，用高能電子束來替代極紫外線，電子對應的波長只有0.04納米，加工精度就比EUV又高了不少。

這種技術，目前是美國表現(xiàn)最為突出，美國廠商Zyvex還搞了一臺成熟的產(chǎn)品，并且制造出了0.768nm的芯片，不過目前這種光刻機效率低，無法大規(guī)模使用，但至少走在世界前列。

第三種技術稱之為“自組裝（DSA）光刻技術”，利用新的化學材料，讓電路圖直接在硅片上生成，不需要光刻。

目前在這一塊表現(xiàn)突出的，是歐洲、美國的研發(fā)機構，像比利時微電子中心、麻省理工學院，都建立了自組裝產(chǎn)線進行研究，專利也申請的最多。

實話實說，目前中國的廠商，在這三種被大家認為大有未來的光刻機技術、專利上表現(xiàn)都不太突出，所以說是落后了也并不過份。

當然，任何技術沒有成為真正的生產(chǎn)力之前，都有可能是無用功，這三大技術也不例外，現(xiàn)在被看好，未來也可能一事無成。

但能夠在這些前沿技術上發(fā)力，表現(xiàn)突出，也是實力的一種表現(xiàn)，所以中國廠商真的要加油，不管押注什么技術，都得趕緊研發(fā)了，否則落后又要挨打啊。