ROHM開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。

近年來，隨著照明用的小型電源和電泵用電機(jī)的性能提升，對于在這些應(yīng)用中發(fā)揮開關(guān)作用的MOSFET的更小型產(chǎn)品需求高漲。通常，對于Super Junction MOSFET而言，在保持高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性理想平衡的同時，很難進(jìn)一步縮小體積。此次，ROHM通過改進(jìn)內(nèi)置芯片的形狀，在不犧牲以往產(chǎn)品性能的前提下開發(fā)出5款更小更薄的SOT-223-3封裝新產(chǎn)品。

與以往TO-252封裝（6.60mm×10.00mm×2.30mm）的產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的面積減少約31%，厚度減少約27%，有助于實現(xiàn)更小、更薄的應(yīng)用產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品還支持TO-252封裝電路板上的布線圖案（焊盤圖案），因此也可以直接使用現(xiàn)有的電路板。

五款新產(chǎn)品分別適用于小型電源和電機(jī)應(yīng)用，各有不同的特點(diǎn)。適用于小型電源的有3款型號，“R6004END4”具有低噪聲的特點(diǎn)，適用于需要采取降噪措施的應(yīng)用；“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速開關(guān)的特點(diǎn)，適用于需要低損耗且高效率工作的應(yīng)用；“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技術(shù)加快了反向恢復(fù)時間（trr*2）并大大降低了開關(guān)損耗，屬于“PrestoMOS”產(chǎn)品，非常適用于電機(jī)應(yīng)用。

此外，為了加快這些產(chǎn)品的應(yīng)用，在ROHM官網(wǎng)上還免費(fèi)提供電路設(shè)計所需的應(yīng)用指南和各種技術(shù)資料，以及仿真用的SPICE模型等資源。

新產(chǎn)品已于2023年11月開始暫以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價格400日元/個，不含稅）。另外，新產(chǎn)品也已開始電商銷售，從Ameya360、Sekorm、Oneyac、Right IC等電商平臺均可購買。

今后，ROHM將繼續(xù)開發(fā)不同封裝和低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品，不斷擴(kuò)大Super Junction MOSFET的產(chǎn)品陣容，通過助力各種設(shè)備降低功耗，來為解決環(huán)境保護(hù)等社會課題做出貢獻(xiàn)。

＜產(chǎn)品陣容＞

小型電源用

電機(jī)用

＜應(yīng)用示例＞

?R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4：照明、空調(diào)、冰箱等

?R6002JND4 / R6003JND4：電泵、風(fēng)扇、復(fù)印機(jī)等使用的電機(jī)

＜電商銷售信息＞

開始銷售時間：2023年12月起

電商平臺：Ameya360、Sekorm、Oneyac、Right IC

新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

＜Super Junction MOSFET特設(shè)頁面＞

ROHM的官網(wǎng)上提供與SOT-223-3封裝相關(guān)的應(yīng)用指南以及各種電路設(shè)計所需的資料。

＜什么是PrestoMOS＞

Presto意為“非常快”，源于意大利語的音樂術(shù)語。

PrestoMOS是ROHM自有的功率MOSFET品牌，該品牌的MOSFET產(chǎn)品不僅保持了Super Junction MOSFET高耐壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，還縮短了內(nèi)置二極管的反向恢復(fù)時間。因其可降低開關(guān)損耗而越來越多地被用于空調(diào)和冰箱等配備逆變電路的應(yīng)用。

＜術(shù)語解說＞

*1) Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）

MOSFET是晶體管的一種，根據(jù)器件結(jié)構(gòu)上的不同又可細(xì)分為Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同種類的產(chǎn)品。與Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET能夠同時實現(xiàn)高耐壓和低導(dǎo)通電阻，在處理大功率時損耗更小。

*2) trr：反向恢復(fù)時間（Reverse Recovery Time）

內(nèi)置的二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時間。該值越低，開關(guān)時的損耗越小。