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臺(tái)積電暫不能在海外生產(chǎn)2nm芯片,以確保先進(jìn)半導(dǎo)體工藝技術(shù)留在當(dāng)?shù)?/h1>
作者: 時(shí)間:2024-11-11 來(lái)源:超能網(wǎng) 收藏

前一段時(shí)間,)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官魏哲家表示,客戶對(duì)于2nm的詢問(wèn)多于3nm,看起來(lái)更受客戶的歡迎,未來(lái)五年內(nèi)有望實(shí)現(xiàn)連續(xù)、健康的增長(zhǎng)。目前看來(lái),2nm不但能復(fù)制3nm的成功,甚至有超越的勢(shì)頭,為此加快了2nm產(chǎn)線的建設(shè),并進(jìn)一步擴(kuò)大了產(chǎn)能規(guī)劃。由于臺(tái)積電在海外還有新修晶圓廠的計(jì)劃,

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202411/464490.htm

據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道,中國(guó)臺(tái)灣當(dāng)?shù)氐闹鞴懿块T表示,雖然臺(tái)積電在美國(guó)、歐洲和日本都在建造先進(jìn)工藝的晶圓廠,但是最先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)不能轉(zhuǎn)移到海外的生產(chǎn)設(shè)施,這受到當(dāng)?shù)胤傻谋Wo(hù),核心技術(shù)不能外移,現(xiàn)階段無(wú)法在海外生產(chǎn)

按照臺(tái)積電的安排,海外的生產(chǎn)設(shè)施想要生產(chǎn)還要等上好幾年,不過(guò)這種態(tài)度傳遞的另外一個(gè)更為明確的信息,即確保中國(guó)臺(tái)灣仍然是世界領(lǐng)先芯片設(shè)計(jì)公司的關(guān)鍵業(yè)務(wù)中心,所需要的領(lǐng)先工藝技術(shù)都會(huì)留在當(dāng)?shù)亍?/p>

目前臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城的Fab 21晶圓廠首期工程正在推進(jìn)當(dāng)中,計(jì)劃采用5nm制程節(jié)點(diǎn),包括N4/N4P/N4X和N5/N5P/N5X工藝,預(yù)計(jì)2025年開(kāi)始進(jìn)行大批量生產(chǎn)。臺(tái)積電還打算建造二期工程,可能會(huì)引入N3工藝,也有可能支持N2工藝,同一時(shí)間位于中國(guó)臺(tái)灣的晶圓廠將采用A16/14及更先進(jìn)的工藝。



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