AVR 內(nèi)部EEPROM讀寫(xiě)式例

eeprom_write_block (ORGDATA[0], Eval[0], 16); //塊寫(xiě)入
//看看EEPROM數(shù)據(jù)是否是能失電永久保存，可以注釋上面這句程序(不寫(xiě)入，只是讀出)，然后編譯，燒寫(xiě),斷電(一段時(shí)間),上電,調(diào)試。
eeprom_read_block (CMPDATA[0],Eval[0], 16); //塊讀出,然后看看數(shù)據(jù)對(duì)不對(duì)？

while (1);
}
/*
ATmega16 包含512 字節(jié)的EEPROM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
它是作為一個(gè)獨(dú)立的數(shù)據(jù)空間而存在的，可以按字節(jié)讀寫(xiě)。
EEPROM的壽命至少為100,000 次擦除周期。
EEPROM的訪問(wèn)由地址寄存器EEAR、數(shù)據(jù)寄存器EEDR和控制寄存器EECR決定。
也可以通過(guò)ISP和JTAG及并行電纜來(lái)固化EEPROM數(shù)據(jù)
EEPROM數(shù)據(jù)的讀取:
當(dāng)EEPROM地址設(shè)置好之后，需置位EERE以便將數(shù)據(jù)讀入EEDR。
EEPROM數(shù)據(jù)的讀取需要一條指令，且無(wú)需等待。
讀取EEPROM后CPU 要停止4 個(gè)時(shí)鐘周期才可以執(zhí)行下一條指令。
注意:用戶(hù)在讀取EEPROM 時(shí)應(yīng)該檢測(cè)EEWE。如果一個(gè)寫(xiě)操作正在進(jìn)行，就無(wú)法讀取EEPROM，也無(wú)法改變寄存器EEAR。
EEPROM數(shù)據(jù)的寫(xiě)入:
1 EEPROM的寫(xiě)訪問(wèn)時(shí)間(自定時(shí)時(shí)間，編程時(shí)間)
自定時(shí)功能可以讓用戶(hù)軟件監(jiān)測(cè)何時(shí)可以開(kāi)始寫(xiě)下一字節(jié)。(可以采用中斷方式)
經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的1MHz片內(nèi)振蕩器用于EEPROM定時(shí),不倚賴(lài)CKSEL熔絲位的設(shè)置。
改變OSCCAL寄存器的值會(huì)影響內(nèi)部RC振蕩器的頻率因而影響寫(xiě)EEPROM的時(shí)間。
EEPROM自定時(shí)時(shí)間約為8.5 ms 即1MHz片內(nèi)振蕩器的8448個(gè)周期
注意：這個(gè)時(shí)間是硬件定時(shí)的，數(shù)值比較保險(xiǎn)，其實(shí)真正的寫(xiě)入時(shí)間根本就用不了8.5mS那么長(zhǎng),而且跟電壓有關(guān)，但芯片沒(méi)有提供其他的檢測(cè)編程完成的方法
這個(gè)問(wèn)題表現(xiàn)在舊版的AT90S系列上面，由于沒(méi)有自定時(shí)，數(shù)值定得太短，ATMEL給人投訴到頭都爆，呵呵！
參考: 《用ATmega8535替換AT90S8535》文檔里面的
寫(xiě)EEPROM定時(shí)的改進(jìn)
在AT90S8535中寫(xiě)EEPROM的時(shí)間取決于供電電壓，通常為2.5ms@VCC=5V，4ms@VCC=2.7V。
ATmega8535中寫(xiě)EEPROM的時(shí)間為8448個(gè)校準(zhǔn)過(guò)的RC振蕩器周期 (與系統(tǒng)時(shí)鐘的時(shí)鐘源和頻率無(wú)關(guān))。
假定校準(zhǔn)過(guò)的RC振蕩器為1.0MHz，則寫(xiě)時(shí)間的典型值為8.4ms，與VCC 無(wú)關(guān)。

2 為了防止無(wú)意識(shí)的EEPROM 寫(xiě)操作，需要執(zhí)行一個(gè)特定的寫(xiě)時(shí)序
(如果使用編譯器的自帶函數(shù)，無(wú)須自己操心)
寫(xiě)時(shí)序如下( 第3 步和第4 步的次序并不重要)：
1. 等待EEWE 位變?yōu)榱?BR>2. 等待SPMCSR 中的SPMEN 位變?yōu)榱?BR>3. 將新的EEPROM 地址寫(xiě)入EEAR( 可選)
4. 將新的EEPROM 數(shù)據(jù)寫(xiě)入EEDR( 可選)
5. 對(duì)EECR 寄存器的EEMWE 寫(xiě)"1"，同時(shí)清零EEWE
6. 在置位EEMWE 的4 個(gè)周期內(nèi)，置位EEWE
經(jīng)過(guò)寫(xiě)訪問(wèn)時(shí)間之后，EEWE 硬件清零。
用戶(hù)可以憑借這一位判斷寫(xiě)時(shí)序是否已經(jīng)完成。
EEWE 置位后，CPU要停止兩個(gè)時(shí)鐘周期才會(huì)運(yùn)行下一條指令。

注意：
1:在CPU 寫(xiě)Flash 存儲(chǔ)器的時(shí)候不能對(duì)EEPROM 進(jìn)行編程。
在啟動(dòng)EEPROM 寫(xiě)操作之前軟件必須檢查 Flash 寫(xiě)操作是否已經(jīng)完成
步驟(2) 僅在軟件包含引導(dǎo)程序并允許CPU對(duì)Flash 進(jìn)行編程時(shí)才有用。
如果CPU 永遠(yuǎn)都不會(huì)寫(xiě)Flash，步驟(2) 可省略。

2:如果在步驟5 和6 之間發(fā)生了中斷，寫(xiě)操作將失敗。
因?yàn)榇藭r(shí)EEPROM 寫(xiě)使能操作將超時(shí)。
如果一個(gè)操作EEPROM的中斷打斷了另一個(gè)EEPROM操作，EEAR 或EEDR寄存器可能被修改，引起EEPROM 操作失敗。
建議此時(shí)關(guān)閉全局中斷標(biāo)志I。
經(jīng)過(guò)寫(xiě)訪問(wèn)時(shí)間之后，EEWE 硬件清零。用戶(hù)可以憑借這一位判斷寫(xiě)時(shí)序是否已經(jīng)完成。
EEWE 置位后，CPU要停止兩個(gè)時(shí)鐘周期才會(huì)運(yùn)行下一條指令。

在掉電休眠模式下的EEPROM寫(xiě)操作
若程序執(zhí)行掉電指令時(shí)EEPROM 的寫(xiě)操作正在進(jìn)行， EEPROM 的寫(xiě)操作將繼續(xù)，并在指定的寫(xiě)訪問(wèn)時(shí)間之前完成。
但寫(xiě)操作結(jié)束后，振蕩器還將繼續(xù)運(yùn)行，單片機(jī)并非處于完全的掉電模式。因此在執(zhí)行掉電指令之前應(yīng)結(jié)束EEPROM 的寫(xiě)操作。

防止EEPROM數(shù)據(jù)丟失
若電源電壓過(guò)低，CPU和EEPROM有可能工作不正常，造成EEPROM數(shù)據(jù)的毀壞(丟失)。
**這種情況在使用獨(dú)立的EEPROM 器件時(shí)也會(huì)遇到。因而需要使用相同的保護(hù)方案。
由于電壓過(guò)低造成EEPROM 數(shù)據(jù)損壞有兩種可能：
一是電壓低于EEPROM 寫(xiě)操作所需要的最低電壓；
二是CPU本身已經(jīng)無(wú)法正常工作。
EEPROM 數(shù)據(jù)損壞的問(wèn)題可以通過(guò)以下方法解決：
當(dāng)電壓過(guò)低時(shí)保持AVR RESET信號(hào)為低。
這可以通過(guò)使能芯片的掉電檢測(cè)電路BOD來(lái)實(shí)現(xiàn)。如果BOD電平無(wú)法滿(mǎn)足要求則可以使用外部復(fù)位電路。
若寫(xiě)操作過(guò)程當(dāng)中發(fā)生了復(fù)位，只要電壓足夠高，寫(xiě)操作仍將正常結(jié)束。
(EEPROM在2V低壓下也能進(jìn)行寫(xiě)操作---有可以工作到1.8V的AVR芯片)

掉電檢測(cè)BOD的誤解
AVR自帶的BOD(Brown-out Detection)電路，作用是在電壓過(guò)低(低于設(shè)定值)時(shí)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，防止CPU意外動(dòng)作.
對(duì)EEPROM的保護(hù)作用是當(dāng)電壓過(guò)低時(shí)保持RESET信號(hào)為低，防止CPU意外動(dòng)作，錯(cuò)誤修改了EEPROM的內(nèi)容

而我們所理解的掉電檢測(cè)功能是指 具有預(yù)測(cè)功能的可以進(jìn)行軟件處理的功能。
例如，用戶(hù)想在電源掉電時(shí)把SRAM數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到EEPROM，可行的方法是
外接一個(gè)在4.5V翻轉(zhuǎn)的電壓比較器(VCC=5.0V,BOD=2.7V)，輸出接到外部中斷引腳(或其他中斷)
一但電壓低于4.5V,馬上觸發(fā)中斷，在中斷服務(wù)程序中把數(shù)據(jù)寫(xiě)到EEPROM中保護(hù)起來(lái)
注意: 寫(xiě)一個(gè)字節(jié)的EEPROM時(shí)間長(zhǎng)達(dá)8mS,所以不能寫(xiě)入太多數(shù)據(jù)，電源濾波電容也要選大一些