分析:高輝度4元系LED芯片技術與制作方法

AlGaInP LED系化合物半導體的折射率為3.5，密封LED芯片的環(huán)氧樹脂與硅樹脂的折射率為1.4~1.5，換句話說樹脂與芯片界面，大約有2倍左右的折射率差，因此在界面會發(fā)生內部反射。將光線從芯片取至外部時，光線的入射角幾乎與界面呈垂直狀，為防止內部反射，光學設計必需作界面附近的光線的入射角控制。具體方法例如將芯片形狀加工成具備多面體形狀，或是將芯片表面制成凹凸狀，等防止內部反射的改善技術。然而這些改善技術對外形尺寸低于1mm的LED芯片，加工上技術困難度卻非常高。

AlGaInP LED芯片的高輝度化技術重點共有3項，分別如下：提高發(fā)光層的內部量子效率、提高從從芯片內部取至外部的效率、高效率提供發(fā)光層電流的技術。

圖6是AlGaInP紅光LED的高輝度化技術動向，如圖所示LED基板從傳統(tǒng)光線吸收基板進化到透明基板，加上業(yè)者已經針對LED基板，進行上述三大技術改善，其結果使得LED的輝度3年大約提高2倍，08年全球最高發(fā)光效率80lm/W的AlGaInP LED也因而正式商品化。上述高輝度AlGaInP LED的輝度是傳統(tǒng)使用吸收基板AlGaInP系LED的10倍，今后可望在液晶背光照明模塊車燈、照明、信號燈、植物培育等領域拓展市場規(guī)模。

　　結語
以上介紹4元系AlGaInP紅光LED芯片高輝度技術與制作方法。發(fā)光二極管具備低消費電力與長壽命特征，長久以來它的發(fā)展動向一直備受全球高度期待，一般認為未來發(fā)光二極管可望成為次世代省能源照明光源。96年日亞化學的中村教授開發(fā)藍光LED芯片，白光要求的R、G、B三種光源總算全步到齊，從此揭開白光半導體發(fā)光組件新紀元。