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帶有48字節(jié)RAM的日歷時(shí)鐘芯片的設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2007-03-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
摘要:介紹了一種帶有48字節(jié)RAM的日歷時(shí)鐘芯片的設(shè)計(jì),該芯片具有振蕩、分頻、可編程的計(jì)時(shí)計(jì)數(shù)、定時(shí)鬧響和中斷輸出等功能。該芯片基于Verilog HDL描述,采用模塊化設(shè)計(jì),可擴(kuò)展性好;并利用Synopsys公司的VCS和DC工具分別對設(shè)計(jì)進(jìn)行了成功的系統(tǒng)仿真和綜合;同時(shí)還簡單介紹了ASIC設(shè)計(jì)的整個(gè)流程。 關(guān)鍵詞:Verilog HDL 系統(tǒng)仿真 邏輯綜合 數(shù)字電子系統(tǒng) 日歷時(shí)鐘芯片應(yīng)用非常廣泛,例如在IC卡電子門鎖中,可利用日歷時(shí)鐘芯片的定時(shí)時(shí)鐘計(jì)數(shù)功能,在IC卡內(nèi)輸入客人住房時(shí)的時(shí)間段,只有當(dāng)時(shí)間段所包含的時(shí)間與日歷時(shí)鐘所記錄的時(shí)間一致時(shí),方可開門,否則IC卡為無效卡。 利用Synopsys公司提供的集成電路設(shè)計(jì)工具VCS和DC,設(shè)計(jì)了一個(gè)帶有48字節(jié)RAM的日歷時(shí)鐘芯片,包括該芯片RTL級代碼的編寫、功能仿真和綜合,達(dá)到了預(yù)期的目標(biāo)。該芯片的具體性能指標(biāo)是:工作電源電壓為2.5~6V;日歷時(shí)鐘工作電源和RAM數(shù)據(jù)保持電源電壓為1~6V;工作電流最大為50μA;四年日歷時(shí)鐘,24或12小時(shí)格式,32.768kHz時(shí)基;48字節(jié)RAM,自動(dòng)字節(jié)地址增量;具有可編程的鬧鐘、定時(shí)和中斷功能。 1 ASIC設(shè)計(jì)概述 隨著深亞微米技術(shù)的發(fā)展,數(shù)字集成電路的規(guī)模已經(jīng)發(fā)展到上百萬門。未來的二十多年里,一塊ASIC芯片中將會(huì)達(dá)到上千萬門的規(guī)模。這樣的電路規(guī)模,仿真和綜合優(yōu)化在開發(fā)過程中發(fā)函來發(fā)函重要。較復(fù)雜的數(shù)字電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)往往采用自頂向下(Top-Down)的方法,設(shè)計(jì)流程可以分為以下幾個(gè)主要的部分:系統(tǒng)級設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、設(shè)計(jì)驗(yàn)證和流片封裝。深亞微米工藝下的ASIC設(shè)計(jì)流程[2]如圖1所示。圖1本文主要介紹芯片的系統(tǒng)級設(shè)計(jì)和所有邏輯設(shè)計(jì),生成可供物理設(shè)計(jì)的經(jīng)過驗(yàn)證的門級網(wǎng)表文件。 2 芯片的系統(tǒng)級設(shè)計(jì) 系統(tǒng)級設(shè)計(jì)是芯片設(shè)計(jì)的第一步,也是關(guān)鍵的一步。首先根據(jù)設(shè)計(jì)要求提出設(shè)計(jì)構(gòu)想,然后再對這一構(gòu)想進(jìn)行細(xì)化。本設(shè)計(jì)把整個(gè)系統(tǒng)分成幾大模塊,即產(chǎn)生32.768kHz的振蕩器(這個(gè)模塊不用設(shè)計(jì))、256分頻器、48字節(jié)RAM和地址寄存器。設(shè)計(jì)構(gòu)想如圖2所示。 RAM中的00~0FH單元是一些帶有特殊功能的寄存器,00H單元是控制芯片所有功能和操作的狀態(tài)寄存器,通過設(shè)置狀態(tài)寄存器,可以選擇32.768kHz時(shí)鐘模式或計(jì)數(shù)模式。在日歷時(shí)鐘模式中,1/128秒、秒、分、小時(shí)、年/日期、星期/月都是以BCD碼分別存放在01H~06H單元的寄存器中;而在事件計(jì)數(shù)模式中,則對輸入到振蕩器輸入端(OSCI)的脈沖計(jì)數(shù),事件計(jì)數(shù)器為6位BCD碼。07H單元是能存儲(chǔ)最大數(shù)為99天的定時(shí)器。08H是控制定鬧、定時(shí)和中斷輸出功能的鬧鐘控制寄存器。09H~0FH單元用于儲(chǔ)存用戶信息。 對于這樣的設(shè)計(jì),傳統(tǒng)的方法是使用中小規(guī)模集成電路來構(gòu)成,本文則用Verilog HDL描述來實(shí)現(xiàn)。整個(gè)芯片采用模塊化設(shè)計(jì)方式和Top-Down設(shè)計(jì)方法,根據(jù)寄存器的不同劃分成模塊,然后用測試程序TestBench對頂層模塊進(jìn)行仿真;仿真通過后利用廠家提供的工藝庫及時(shí)序約束腳本文件對其進(jìn)行綜合;綜合通過后生成門級網(wǎng)表文件,然后再用廠家提供的仿真庫對門級網(wǎng)表進(jìn)行綜合后仿真。本文設(shè)計(jì)用到的工藝庫是臺灣旺宏公司(Macronix,MXIC)提供的基本單元庫(slow.db和fast.db)、基本符號單元庫(slow.sdb)和用于綜合后仿真的庫文件仿真庫(models.v)。這是一個(gè)同步時(shí)序電路的設(shè)計(jì),所以保證正確的時(shí)序是設(shè)計(jì)的關(guān)鍵,本設(shè)計(jì)中有四個(gè)時(shí)鐘: (1)系統(tǒng)時(shí)鐘clksys,是外部微控制器提供的時(shí)鐘信號,用作寄存器讀、寫時(shí)鐘信號; (2)測試時(shí)鐘clktest,是整個(gè)芯片的測試時(shí)鐘信號,一般限于廠家使用。 (3)時(shí)基時(shí)鐘clk32,定時(shí)方式時(shí),外部石英晶振提供的32.768kHz振蕩信號經(jīng)過256分頻后得到時(shí)鐘信號(evt128),作為RAM前16字節(jié)特殊寄存器的同步時(shí)鐘信號。 (4)計(jì)數(shù)時(shí)鐘clkevt,計(jì)數(shù)模式時(shí)的外部計(jì)數(shù)脈沖信號。 圖3是日歷時(shí)鐘頂層模塊端口示意圖,讀選通信號w、寫選通信號r、片選信號csn和RAM地址控制信號addr[5:0]是由外部微處理器提供的。當(dāng)寫信號w為真時(shí),將輸入數(shù)據(jù)datin[7:0]寫入存儲(chǔ)器被選中的地址;當(dāng)讀信號r為真時(shí),將從存儲(chǔ)器被選中的地址中輸出數(shù)據(jù)datu[7:0]。當(dāng)滿足下面兩個(gè)條件之一時(shí),中斷請求信號intz輸出低電平:①00H單元中的第0位為1,并且08H單元的第3位為1。 由于篇幅有限,在這里只寫出頂層模塊rtc的部分設(shè)計(jì)程序,具體如下: ‵timescale 10ns/10ps //模擬時(shí)間定標(biāo); module rtc (clktest,clksys,clk32,clkevt,csn,rstz,w,r, addr,datin, datu, intz); input clktest,clkysy,clk32,clkevt,csn,rstz,w,r; //輸入輸出端口說話 input[7:0] datin; input[5:0] addr; output[7:0] datu; output intz; reg[7:0] datu; //設(shè)定變量的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu); ctl_status c0 ( clksys,evt128,rstz,w,cs00,……); //調(diào)用00H單元子模塊; sec128 c1 (clksys, clktest, evt128, rstz,……); //調(diào)用01H單元子模塊; sec c2 (clksys, evt128, clktest,rstz,……); //調(diào)用02H單元子模塊; …… int c20 ( timer_flag,alarm_flag,……); //調(diào)用產(chǎn)生中斷模塊; always @ ( addr or stop_soft or ) begin if(cs %26;amp; r) begin //根據(jù)控制地址信號而輸出RAM中各寄存器的數(shù)據(jù); case (addr) 0:datu={stop_soft,hold_flag,func_mode,mask_flag,alarm_en,alarm_flag,time_flag}; 1:datu=data_latch[15:8]; …… 47:datu=data_ram[255:248]; default:datu=8‵h00; endcase end else datu=8‵h00; end endmodule 在頂層模塊中調(diào)用了根據(jù)不同功能而編寫的20個(gè)子模塊,如ctl_status.v、sec.v和ram.v等。其中RAM存儲(chǔ)器的1F~2FH單元是模擬電路,要用全定制的方法生成。而在數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中,仿真時(shí)經(jīng)常要用到存儲(chǔ)器的行為模型,這里給出的行為模型ram.v用于仿真。3 利用EDA工具進(jìn)行系統(tǒng)仿真 設(shè)計(jì)人員利用先進(jìn)的EDA工具作為測試平臺,以驗(yàn)證數(shù)字電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)模塊的邏輯功能和時(shí)序功能。雖然不同的EDA工具提供的平臺不同,但都可以對被測試對象加載激勵(lì)信號,并通過波形輸出、文件記錄輸出等方式觀察和比較仿真結(jié)果。加載激勵(lì)信號需要設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)測試程序(TestBench)[3],對于較大規(guī)模的系統(tǒng)設(shè)計(jì),測試程序的設(shè)計(jì)有時(shí)比本身的程序設(shè)計(jì)還要復(fù)雜。 在本文的設(shè)計(jì)中,首先對每一個(gè)子模塊設(shè)計(jì)一個(gè)測試程序,單獨(dú)進(jìn)行邏輯仿真,然后再設(shè)計(jì)一個(gè)測試程序?qū)φ麄€(gè)設(shè)計(jì)進(jìn)行邏輯仿真。由于篇幅有限,在這里僅寫出sec.v的部分測試程序,具體如下: ‵timescale 10ns/10ps module sec_test; reg clksys,evt128,clktest,carry_sec128,rstz,datin,datoout,w; reg[7:0]datin,datout; reg[1:0]func_mode; sec c2 (clksys,evt128,clktest,carry_sec128,rstz,datin, datout,func_mode,w,); always #10 clksys = ~ clksys; always #30 evt128 = ~ evt128; always #50 clktest = ~ clktest; always #80 carry_sec128 = ~ carry_sec128; //產(chǎn)生輸入激勵(lì); initial begin rstz = 0; #90 rstz = 1; end //產(chǎn)生復(fù)位信號 initial begin w = 0; #100 w = 1; #5 w = 0; #1100 w = 1; #5 w = 0; end //產(chǎn)生寫信號 initial begin func_mode= 0 ; #1000 func_mode = 1; end //功能模式的選擇; initial begin datin= 0 ; #20 datin = 00100101h; #1000 datin = 00010010; end //輸入數(shù)據(jù); always @ (func_mode or datin of datout) ﹩ display ("At time %t,func_mode=%b,datin is %b% b,datout is %b",﹩time,func_mode,datin,datout); //輸出模擬結(jié)果。 利用Synopsys公司的仿真工具VCS進(jìn)行仿真,無論在功能上還是在時(shí)序上,都完全符合要求。 4 利用EDA工具進(jìn)行綜合和優(yōu)化 綜合是利用芯片制造商提供的基于電路單元(綜合庫)實(shí)現(xiàn)用硬件描述語言描述的電路功能?,F(xiàn)在許多優(yōu)秀的綜合工具都能借助現(xiàn)有的綜合庫將Verilog HDL源代碼進(jìn)行綜合,轉(zhuǎn)化成門級電路圖,并且可以根據(jù)設(shè)計(jì)者施加的約束條件對電路進(jìn)行優(yōu)化,產(chǎn)生面積或者速度達(dá)到最優(yōu)的結(jié)構(gòu),并生成相應(yīng)的邏輯網(wǎng)表以供后端設(shè)計(jì)使用。 綜合時(shí)要進(jìn)行延時(shí)計(jì)算和設(shè)計(jì)規(guī)則檢查,需要設(shè)置的相關(guān)內(nèi)容主要包括:操作環(huán)境、導(dǎo)線負(fù)載模型、設(shè)計(jì)約束、設(shè)計(jì)規(guī)則約束。通常情況,設(shè)計(jì)者要先編輯一個(gè)包括這些設(shè)置的腳本文件(例如本文編輯的腳本文件rtc.tcl),啟動(dòng)邏輯綜合工具DC后就可,執(zhí)行文件中的各條指令了。綜合的過程如圖4所示。下面利用日歷時(shí)鐘實(shí)例簡單介紹這一過程。 (1)建立設(shè)計(jì)環(huán)境 臺灣旺宏公司的0.35μm CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元綜合庫slow.db和fast.db包含了與非、或非、非門等基本邏輯單元,還有選擇器、與或非、或與非等較復(fù)雜的組合邏輯以及DFF(D觸發(fā)器)等時(shí)序邏輯單元。利用該庫可以這樣來建立環(huán)境: set target_library {slow.db fast.db} set link_library {*slow.db fast.db} set search_path "/home/tools/synopsys/library" (2)讀入HDL描述 如果讀入多個(gè)模塊,首先應(yīng)該讀入的是頂層模塊。要將當(dāng)前的設(shè)計(jì)設(shè)置為頂層模塊,可以這樣來設(shè)置: read_verilog "home/design/rtl/rtc.v" read_verilog "home/design/rtl/see.v" current_design rtc (3)定義環(huán)境變量 環(huán)境變量輸出網(wǎng)表和輸出報(bào)告等路徑設(shè)置可以這樣來定義: netlist_path = "home/design/netlist" report_path = "home/design/report" (4)定義性能約束、時(shí)序約束和面積約束 性能約束主要包括創(chuàng)建時(shí)鐘、輸入延遲和輸出延遲等;綜合的目標(biāo)是得到最小的面積。可以這樣來設(shè)置: creat_clock-period 70-name my_clock [get_ports clksys] set ex_clk[remove_from_collection[all_inputs][get_ports clksys] set_input_delay 4 -clock my_clock ﹩ex_clk set_output_delay 3 -clock my_clock [all_outputs] set_max_area 1 (5)編譯 用compile命令進(jìn)行編譯即可。(6)寫門級網(wǎng)表 綜合后的門級網(wǎng)表可以用edif文件形式保存,也可以用.V文件形式存放,采用如下命令: write-format verilog-hierarchy-output $netlist_path/rtc.vg 此外,還需要保存延時(shí)信息,以便綜合后仿真,延時(shí)信息一般放在.sdf文件中,采用如下命令: write_sdf ﹩netlist_path/rtc.sdf-version 1.4 (7)給出報(bào)告 可以報(bào)告綜合出的面積、時(shí)序信息、違反約束路徑以及單元的個(gè)數(shù)等,并存放到定義的目錄文件中,下面舉幾個(gè)例子: report_area >$report_path/area.rpt report_timing >$report_path/timing.rpt report_constraint-verbose-all_violators $report_path/constrain.rpt 利用Synopsys公司的邏輯綜合工具DC[4]進(jìn)行綜合和優(yōu)化非常成功。 本文設(shè)計(jì)主要描述帶有48字節(jié)RAM的日歷時(shí)鐘芯片的邏輯設(shè)計(jì)過程,并對其成功地進(jìn)行了代碼編寫、仿真和綜合,版圖設(shè)計(jì)等。當(dāng)然,本邏輯設(shè)計(jì)不是一蹴而就的。在此過程中,對各種異常情況都需要認(rèn)真分析和反復(fù)調(diào)試。

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