基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計與實現(xiàn)

在雷達發(fā)射機脈沖調(diào)制器中，廣泛采用的是電真空管作為開關(guān)管。這種結(jié)構(gòu)的脈沖調(diào)制器具有配套技術(shù)復(fù)雜、造價高、使用壽命短等缺點，尤其是其不適用于大功率、高重復(fù)頻率等工作場合的缺陷，使其已經(jīng)遠遠不能滿足現(xiàn)代雷達的復(fù)雜信號處理的需求。

隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，新型功率開關(guān)器件IGBT(絕緣柵雙極晶體管)迅速占領(lǐng)了市場，滿足了人們把大功率、超高頻率開關(guān)元件實現(xiàn)固態(tài)化的期望，有著完全取代電真空管的趨勢。這也為在雷達發(fā)射機脈沖調(diào)制器中采用IGBT作為開關(guān)管以替代電真空管奠定了理論和實踐基礎(chǔ)。

1 脈沖調(diào)制器的結(jié)構(gòu)

根據(jù)脈沖調(diào)制器的任務(wù)，它基本由下列3部分組成：電源部分、能量儲存部分、脈沖形成部分。其結(jié)構(gòu)如圖1所示。

電源部分的作用是把初級電源(例如市電)變換成符合要求的直流電源。直流電源包括低壓電源和高壓電源兩種，低壓電源供給調(diào)制脈沖預(yù)處理電路使用，高壓電源供給調(diào)制脈沖形成電路使用。

能量儲存部分的作用是為了降低對于電源部分的高峰值功率要求。因為脈沖調(diào)制器是在短促的脈沖期間給射頻發(fā)生器提能量的，而在較長的脈沖間歇期間停止工作，因此為了有效地利用電源功率，可以采用儲能元件在脈沖間歇期間把電源送來的能量儲存起來，等到脈沖期間再把儲存的能量放出，交給射頻發(fā)生器。常用的儲能元件有電容器和人工線(或稱仿真線)。

脈沖形成部分是利用一個開關(guān)，控制儲能元件對負(fù)載(射頻發(fā)生器)放電，以提供電壓、功率、脈沖寬度及脈沖波形等都滿足要求的視頻脈沖。常用的開關(guān)元件有真空三、四極管、氫閘流管、半導(dǎo)體開關(guān)元件(可控硅元件)和具有非線性電感的磁開關(guān)等。

真空管的通斷可由柵極電壓控制，通斷利索，這種開關(guān)稱為剛性開關(guān)，對應(yīng)的調(diào)制器稱為剛性調(diào)制器。氫閘流管、半導(dǎo)體開關(guān)元件和具有非線性電感的磁開關(guān)則只能控制其導(dǎo)通，而不能控制其關(guān)斷，這種開關(guān)元件稱為軟性開關(guān)，對應(yīng)的調(diào)制器稱為軟性調(diào)制器。2 開關(guān)器件的比較

對傳統(tǒng)的電真空器件(氫閘流管)和現(xiàn)代電力電子器件IGBT的電氣性能進行比較。

2.1 傳統(tǒng)電真空管器件

以真空三、四極管為調(diào)制開關(guān)的剛性調(diào)制器適應(yīng)能力強，能適應(yīng)各種波形、重復(fù)頻率的要求，但這也是以體積、重量、結(jié)構(gòu)和成本為代價的。為彌補自身不足以適應(yīng)各種工作需要，剛性調(diào)制器又分為多種類型，但都避免不了其功率小、效率低的缺陷。

以氫閘流管為開關(guān)元件的軟性調(diào)制器雖能克服剛性調(diào)制器的不足，但自身的缺陷也很突出，主要表現(xiàn)為：1)脈沖波形頂部抖動、后沿拖長;2)對負(fù)載阻抗的適應(yīng)性差;3)對波形的適應(yīng)性也差。

可見軟性調(diào)制器只能適應(yīng)于精度要求不高、波形要求不嚴(yán)格的大功率雷達中。并且不管是剛性還是軟性調(diào)制器，其結(jié)構(gòu)的復(fù)雜都使其可靠性降低，并且維修難度大。

2.2 現(xiàn)代電力電子器件

開關(guān)元件的固態(tài)化是發(fā)展的大趨勢，尤其是電力電子器件在由傳統(tǒng)型向現(xiàn)代型轉(zhuǎn)變以后，許多新興的器件迅速應(yīng)用于這種電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。上世紀(jì)九十年代才現(xiàn)身市 場的絕緣柵雙極晶體管IGBT已成為現(xiàn)代電力電子器件發(fā)展的領(lǐng)頭軍，型號齊全，已經(jīng)出現(xiàn)了由IGBT組成的功能完善的智能化功率模塊IPM。

IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極晶體管是一種工作原理復(fù)雜的集成半導(dǎo)體器件。在結(jié)構(gòu)上，集成了所有半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)。如二極管、BJT、結(jié)型場效應(yīng)管 JFET、MOSFET、SCR。工藝上利用MOS工藝進行大面積功率集成，單元胞的體積越來越小，單元胞的數(shù)量越來越多。IGBT經(jīng)過20年的發(fā)展，技 術(shù)越來越成熟，功能越來越強大。從原來的平面柵型到溝槽型，又發(fā)展到非穿通型，直至現(xiàn)在的電場截至型.達到了6 000 V/600 A，通態(tài)壓降1.3 V，開關(guān)頻率達到納秒級。

IGBT在大量產(chǎn)品中的良好表現(xiàn)，證明其是一種良好的功率開關(guān)器件。其主要優(yōu)點表現(xiàn)在開關(guān)頻率高、承載功率大、通態(tài)壓降低、du/dt和di/dt耐量高、動態(tài)性能高、反向恢復(fù)快等，這些性能特點使其特別適應(yīng)于在高頻、大功率電路中出任開關(guān)器件的重任。3 固態(tài)調(diào)制器硬件組成

對分別以氫閘流管和IGBT為中心所構(gòu)成的兩種脈沖調(diào)制器的性能、構(gòu)造、成本、可維性及可靠性進行比較。