提高無線基礎(chǔ)設(shè)施電源效率的一些動態(tài)和技術(shù)
損失的能量會產(chǎn)生熱,因此必須在電路板上對其進行散熱處理,這樣便限制了緊湊型解決方案的誕生,同時也增加了延長平均無故障時間(MTBF)所需的散熱冷卻的成本。
多年以來,負載點DC/DC轉(zhuǎn)換器的最大工作頻率一直朝著1MHz以上不斷升高,以使用更小的輸出電感和電容。這樣做的后果是柵驅(qū)動和開關(guān)損耗增加,其與降低效率的開關(guān)頻率成正比。許多設(shè)計人員轉(zhuǎn)而使用更低工作頻率,約500kHz,旨在提高效率并解決最小導(dǎo)通時間限制問題。改進的工藝和封裝技術(shù)生產(chǎn)出了比前幾代產(chǎn)品漏-源導(dǎo)通電阻低25%的集成MOSFET新型單芯片和多芯片模塊。設(shè)計人員現(xiàn)在可以在不犧牲效率的條件下利用集成MOSFET提供的空間節(jié)省優(yōu)勢。例如,TI的TPS54620使用小型3.5×3.5mm封裝通過一個12V電壓軌提供6A的電流,該封裝小于大多數(shù)要求外部MOSFET的高性能DC/DC控制器的尺寸。
如果電路板空間允許的話,則帶有外部MOSFET的DC/DC控制器可以通過更低的電阻MOSFET來提高效率。請考慮低品質(zhì)因數(shù)的功率MOSFET,或者被柵極電荷倍增的導(dǎo)通電阻。一個最佳柵極電荷性能的MOSFET和一個傳統(tǒng)MOSFET之間的功率耗差隨開關(guān)頻率漸增而越來越大。例如,含NEXFETTM技術(shù)的功率MOSFET 可以提供2 – 5%效率增益,因為門極充電和導(dǎo)通電阻特性改善了。
傳統(tǒng)上而言,使用OR-ing功率二極管是組合電池備用或冗余電源來確保無線應(yīng)用可靠性的一種簡單方法。而使用MOSFET代替則可提供更高的效率,因為MOSFET的壓降比二極管要低得多。例如,相比OR-ing二極管,通過使用OR-ing FET控制器,一個12V、5A的應(yīng)用可節(jié)省多達5W的功耗。一個12V、20A的應(yīng)用可節(jié)省15W的功耗。TPS2410是一款全功能型OR-ing FET控制器,其可控制0.8~16.5V的電源軌。(德州儀器)
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