可管理NAND：適用于移動設(shè)備的嵌入式大容量存儲
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隨著工藝技術(shù)的進步，存儲器密度大約每 12 至 18 個月即提高一倍。對于 NAND 閃存而言，這意味著對多層單元 (MLC) 技術(shù)的重視程度日益提高。傳統(tǒng)的單層單元 (SLC) NAND 閃存每個存儲單位能夠存儲一個數(shù)據(jù)位。MLC 技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)在單個存儲單元中存放多個數(shù)據(jù)位，數(shù)據(jù)的存儲容量達到相同大小 NAND 閃存設(shè)備的兩倍。MLC NAND進一步加快了 NAND 閃存的每字節(jié)成本，并為新的應(yīng)用提供了發(fā)展空間。市場趨勢顯示MLC 閃存的出貨量在 2007 年初超過了 SLC 閃存。
MLC NAND 的采用，NAND 產(chǎn)品周期的縮短讓系統(tǒng)設(shè)計人員的工作越來越復(fù)雜。傳統(tǒng)的SLC NAND 閃存，每 512 字節(jié)只需要一位錯誤校驗碼，大多數(shù)新型嵌入式處理器都可以直接為其提供支持。而現(xiàn)在的 MLC 閃存設(shè)備卻不同，需要每 512 字節(jié)扇區(qū) 4 位校驗碼,將來的 MLC NAND 對 ECC 的要求將超過每 512 字節(jié)扇區(qū) 8 位校驗。高級 ECC 算法的實現(xiàn)和硬件加速電路對嵌入式處理器和主機系統(tǒng)在設(shè)計方面構(gòu)成了很大的挑戰(zhàn)。
系統(tǒng)設(shè)計人員還必須能夠應(yīng)對 NAND 閃存的快速更新?lián)Q代，以及不同供應(yīng)商之間產(chǎn)品功能差別帶來的挑戰(zhàn)。系統(tǒng)設(shè)計人員和處理器制造商為跟上 NAND 閃存制造商的步伐必須在硬件和軟件開發(fā)方面進行更多資源投入。更為重要的是，額外的開發(fā)工作可能會對上市時間產(chǎn)生較大影響。
Micron 可管理 NAND
正確的解決辦法是：采用 Micron 的創(chuàng)新式可管理 NAND 產(chǎn)品。可管理 NAND 閃存將Micron 的高質(zhì)量低成本 NAND 閃爍存儲器與半高型高速MultiMediaCard. (MMC) 控制器結(jié)合在一起，并采用了符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的 BGA 封裝和高級 10 信號接口。
MMC 是一種特征突出的高性能接口，無線消費電子應(yīng)用中的幾乎所有嵌入式處理器均支持該接口。如果使用 8 位數(shù)據(jù)總線和標(biāo)準(zhǔn) BGA，可管理 NAND 支持 52 MB/秒（峰值）的接口速率。因為處理器的接口沒有變化，所以 BGA 中的 NAND 底層技術(shù)可以在不影響應(yīng)用的情況下更改。這種方法能夠延長更高密度解決方案的使用壽命，從而能夠通過一種系統(tǒng)主板設(shè)計支持多種元件密度。
可管理 NAND 的另一個主要優(yōu)勢是消除了對主機處理器上特定供應(yīng)商閃存固件及驅(qū)動程序的依賴（這種依賴性使得主機處理器需要協(xié)調(diào)程序/擦除/讀取功能并管理壞塊和壞位）從而將標(biāo)準(zhǔn)的 NAND 成為簡單的讀寫設(shè)備。主機處理器不必考慮諸如 NAND 塊大小、頁面大小、新增功能、進程產(chǎn)生、MLC 與 SLC、平均讀寫算法以及 ECC 要求等不必要的NAND 功能細節(jié)。只要具有工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的通用 MMC 設(shè)備驅(qū)動程序即可讓處理器與 Micron可管理 NAND 以及其它供應(yīng)商生產(chǎn)的符合相同標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品實現(xiàn)無縫配合。
可管理 NAND 設(shè)備概念已被提議作為一種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)被大家接受。The
MultiMediaCard Association 和 JEDEC 于 2006 年 12 月聯(lián)合宣布將 eMMC. 作為此類別閃爍存儲設(shè)備的名稱和商標(biāo)。
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圖 1：NAND 閃存配置可管理 NAND 功能 |
可管理 NAND 是一種具有 MMC 接口的多合一存儲器和控制器設(shè)備。它符合MMC 系統(tǒng)規(guī)范版本 4.2，并且與 MMCplus.、MMCmobile.、MMCmicro. 以及過去的MMC 完全兼容。
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