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基于TMS320DM642的CCD圖像采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2014-03-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
區(qū)域,稱為芯片使能空間(CE0~CE3),當(dāng)FLASH和映射到CE1時(shí),SDRAM占據(jù)CE0,CE3的一部分被配置給OSD功能的同步操作和擴(kuò)展的中的其他同步寄存器操作。本系統(tǒng)合并形成了一個(gè)64 bit長的外部存儲(chǔ)器端口,將地址空間分割成了4個(gè)芯片使能區(qū),允許對地址空間進(jìn)行8 bit、16 bit、32 bit和64 bit的同步或不同步的存取,并且使用了芯片使能區(qū)CE0、CE1和CE3。CE0被發(fā)送給64 bit的SDRAM總線,CE1被8 bit的FLASH和功能使用,CE3被設(shè)置成同步功能。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/241679.htm

2.3.1SDRAM存儲(chǔ)器

本系統(tǒng)采用MT48LC4M32B2[4]來構(gòu)成SDRAM存儲(chǔ)器,大小為1 M×32 bit×4 banks,在CE0空間連接了64 bit的SDRAM總線??偩€由外部PLL驅(qū)動(dòng)設(shè)備控制,在133MHz的最佳運(yùn)行狀態(tài)下運(yùn)行,SDRAM的刷新由自動(dòng)控制。的EMIF與SDRAM接口圖如圖4所示。

2.3.2FLASH存儲(chǔ)器

本系統(tǒng)擴(kuò)展4 M的FLASH,映射在CE1空間的低位。FLASH寄存器選用4 M×8 bit的AM29LV033C。FLASH寄存器主要用來導(dǎo)入裝載和存儲(chǔ)FPGA的配置信息。CE1空間被配置成8 bit,F(xiàn)LASH寄存器也是8bit。由于CE1的可利用地址空間小于FLASH的空間,所以利用FPGA可產(chǎn)生3個(gè)擴(kuò)展頁。這些擴(kuò)展的線形地址通過FPGA的FLASH基礎(chǔ)寄存器進(jìn)行定義,復(fù)位后的默認(rèn)值是000。的EMIF和FLASH的接口圖如圖5所示。

2.4OSD FPGA模塊

FPGA負(fù)責(zé)完成所有芯片的接口和控制,其中包括SAA7115與I2C總線的接口、復(fù)位控制信號以及與TMS320DM642的EMIF接口和外設(shè)接口等,其體系結(jié)構(gòu)圖如圖6所示。本系統(tǒng)的OSD FPGA功能模塊的芯片型號為Xilinx XC2S300E-6PQ208C[5],主要用來完成以下工作:

(1)通過寄存器使用TMS320DM642外部存儲(chǔ)器接口(EMIF);
(2)通過可編譯寄存器使用TMS320DM642的EMIF接口控制GPIO;
(3)產(chǎn)生EMIF緩沖控制信號(DIR和OE);
(4)提供對于PLL1708的連續(xù)控制接口;
(5)為FLASH產(chǎn)生3頁bit空間;
(6)使用SAA7115的同步信號。


2.5電源和復(fù)位模塊

該系統(tǒng)通過單+5 V供電,在板子內(nèi)部轉(zhuǎn)換為+1.4 V和+3.3 V,為各器件供電。+3.3 V為TMS320DM642的I/O口、解碼器及其他芯片的電源,+1.4 V為TMS320DM642 CPU內(nèi)核電源。TMS320DM642內(nèi)核電壓+1.4 V,外設(shè)I/O電壓+3.3 V,降低內(nèi)核電壓主要是降低功耗,外部接口引腳采用+3.3 V電壓,便于直接與外部器件接口。由于是2種不同的電壓,所以要考慮供電系統(tǒng)的配合問題。在加電過程中,保證CPU內(nèi)核電源先加電,最晚也應(yīng)當(dāng)與外設(shè)I/O電源同時(shí)加電。關(guān)閉電源時(shí),先關(guān)閉I/O電源,再關(guān)閉內(nèi)核電源。如果內(nèi)核加電晚于I/O,則會(huì)發(fā)生內(nèi)部總線競爭,從而產(chǎn)生不可預(yù)定的結(jié)果。因此,選用電源芯片TPS54310[6]獲得上述2種電壓,并利用其電源輸出有效引腳PG和允許電壓輸人引腳EN保證TMS320DM642的內(nèi)核和I/O上電掉電順序。

為防止系統(tǒng)程序進(jìn)入死循環(huán)或因電壓波動(dòng)而產(chǎn)生異常,本系統(tǒng)用看門狗芯片來控制系統(tǒng)復(fù)位。這里采用TI的TPS3823-33DBVT[7]看門狗芯片,它由+3.3 V電源供電,能對電源電壓進(jìn)行監(jiān)控,當(dāng)電源電壓降至2.93 V以下時(shí)觸發(fā)復(fù)位信號,使整個(gè)系統(tǒng)進(jìn)入復(fù)位狀態(tài),直至電源電壓復(fù)原,復(fù)位信號的最小長度為200 ms。同時(shí),還含有一看門狗計(jì)時(shí)器,用來監(jiān)測來自處理器芯片的跳變沿觸發(fā)信號,如果1.6 s內(nèi)未接收到觸發(fā)信號,它同樣讓系統(tǒng)進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)并持續(xù)200 ms,這樣可在系統(tǒng)程序進(jìn)入死循環(huán)后重新啟動(dòng)系統(tǒng)。TMS320DM642電源與復(fù)位電路的連接圖如圖7所示。

3抗干擾設(shè)計(jì)

由于高頻脈沖噪聲對本系統(tǒng)危害最大,為了提高系統(tǒng)的抗干擾性能,可采取以下措施:

(1)優(yōu)化PCB印制板的設(shè)計(jì)。在本系統(tǒng)中應(yīng)當(dāng):

①采用短而寬的導(dǎo)線來抑制干擾。時(shí)鐘引線、總線驅(qū)動(dòng)器的信號線常有大的瞬變電流,其印制導(dǎo)線要盡可能短。對于分立元件電路,印制導(dǎo)線寬度在1.5 mm左右即可滿足要求;對于集成電路,印制導(dǎo)線寬度在0.5 mm~1.0 mm之間選擇;
②傳輸多種電平信號時(shí),盡量把前、后沿時(shí)間相近的電平信號劃為一組傳輸;在雙面印制板的背面布置較大面積的地線區(qū)域,可對部件產(chǎn)生的高頻脈沖噪聲起到吸收和屏蔽的作用;分開模擬和數(shù)字電源層;

(2)增加總線的抗干擾能力。采用三態(tài)門形式的總線結(jié)構(gòu),并給總線接上拉電阻,使總線在瞬間處于穩(wěn)定的高電平而避免總線出現(xiàn)懸空狀態(tài)。

本文面向?qū)崟r(shí)圖像采集和處理,采用模塊化設(shè)計(jì)思想,以TMS320DM642、SAA7115、OSD FPGA等實(shí)現(xiàn)了視頻圖像采集和處理系統(tǒng)的硬件電路,該系統(tǒng)電路簡單、結(jié)構(gòu)緊湊、調(diào)節(jié)靈活、可靠性高、實(shí)時(shí)性強(qiáng)的特點(diǎn),通過驗(yàn)證,



關(guān)鍵詞: TMS320DM642 FPGA 圖象采集

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