手機充電管理設(shè)計要點及主流方案解析

圖六. BF9024SPD-MS Layout參考

在低成本應(yīng)用中，可使用分離的MOS管和肖特基二極管來代替集成器件，如圖二。BF92301P的小封裝能滿足您此類設(shè)計需求，其主要參數(shù)請參考表二。

2、PMOS+ PMOS：TI和部分MTK平臺、雙電池平臺中采用這種方式。此種應(yīng)用是PMOS+肖特基二極管應(yīng)用的改良。在PMOS+肖特基二極管應(yīng)用的充電回路中，肖特基二極管因持續(xù)導(dǎo)通會占用0.4V以上的壓降，而將肖特基二極管換為PMOS管后，因MOS的導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，壓降可大幅降低，從而保證USB端口或外接5V基準(zhǔn)電壓在經(jīng)充電回路損耗后仍能有足夠高于單節(jié)鋰電充電所需電壓。

推薦產(chǎn)品：BF9024DPD-MS，主要參數(shù)，請參考表二。

隨著手機主板越來越小，手機功能越來越多，人們希望手機或數(shù)碼產(chǎn)品一次充電后能使用更長的時間。在此需求下，衍生出了雙電池的應(yīng)用。雙PMOS在雙電池的應(yīng)用中能很好的利用其極低的導(dǎo)通壓降和電流單流向易控性來實現(xiàn)。

3、PNP管+PMOS：Qualcomm平臺幾乎都是采用這種方式。PNP管用于控制充電的開關(guān)和充電電流的大小，PMOS則作為開關(guān)元件實現(xiàn)充電回路的連通和切斷。

推薦產(chǎn)品：BF92301P，主要參數(shù)，請參考表二。

表二. BF92301P和BF9024DPD-MS主要參數(shù)

在各平臺供應(yīng)商產(chǎn)品不斷更新下，手機充電管理應(yīng)用中，PMOS+肖特基二極管的外部電路始終是最簡潔、可靠的選擇之一。從展訊的6600L到6600L6、6600L7、6610K，一直采用此方式作為充電設(shè)計。至于聯(lián)發(fā)科目前極力推廣的新平臺MTK6253，除其本身含有的電源管理部分外，在其外部電路中將過壓保護（OVP）、恒流等功能集中在一起，形成二次保護。當(dāng)然，這種做法，在聯(lián)發(fā)科早期的設(shè)計中也出現(xiàn)過，即采用PMIC（Power Management IC）來專門處理電源部分。但隨著應(yīng)用技術(shù)的成熟，手機適配器的輸出接口統(tǒng)一，其輸出電壓（5V±5%）能做到和標(biāo)準(zhǔn)USB接口完全一致，一些有研發(fā)實力的設(shè)計公司已經(jīng)將PMOS+肖特基二極管應(yīng)用到MTK6253平臺上，只不過在外部電源輸入部分再加一穩(wěn)壓二極管，從而極大的節(jié)約電源管理部分成本。

本文小結(jié)

常見充電電路中，PMOS是應(yīng)用中關(guān)鍵器件，其品質(zhì)、性能直接影響充電發(fā)熱量及充電時間長短。比亞迪微電子的MOS產(chǎn)品，經(jīng)歷多年市場的錘煉，無論產(chǎn)品品質(zhì)、價格、交期及產(chǎn)品技術(shù)支持，都得到良好提升。