東芝開(kāi)始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片
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半導(dǎo)體行業(yè)的閃存制造工藝進(jìn)步除了意味著用戶(hù)能夠獲得更好的存儲(chǔ)性能，同時(shí)也意味著SSD固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備價(jià)格的下降。過(guò)去幾年中SSD的降價(jià)幅度還是頗大的，目前最便宜的固態(tài)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器每GB的價(jià)格不到50美分，未來(lái)價(jià)格還將降得更低。東芝(Toshiba)當(dāng)前已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND，東芝表示這種128Gb(16GB)芯片已經(jīng)達(dá)到“全球最小級(jí)別的芯片尺寸”。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/246278.htm
新型NAND閃存芯片的制造將由日本三重縣(Mie Prefecture)四日市業(yè)務(wù)部(Yokkaichi Operations)的Fab 5晶圓廠(chǎng)負(fù)責(zé)制造。Fab 5工廠(chǎng)將把現(xiàn)有的19nm產(chǎn)品線(xiàn)轉(zhuǎn)為15nm技術(shù)，該工廠(chǎng)當(dāng)前在建造中的二期也將采用相同的技術(shù)。另外東芝還計(jì)劃將這種更先進(jìn)的工藝應(yīng)用于TLC NAND的制造，三位數(shù)據(jù)技術(shù)(three-bit)也將計(jì)劃在6月份進(jìn)入量產(chǎn)。
據(jù)說(shuō)東芝新一代閃存“改良了外圍電路技術(shù)”，接口速率達(dá)到了533MBPs，相比舊版的19nm工藝提升了1.3倍。此外東芝表示，NAND的寫(xiě)入速度并沒(méi)有發(fā)生變化。東芝的新聞稿中提到，為智能手機(jī)、平板和PC準(zhǔn)備的升級(jí)版控制器仍在開(kāi)發(fā)中。在去年收購(gòu)OCZ之前，東芝就有自己的控制芯片技術(shù)，現(xiàn)在在OCZ Indilinx控制芯片的加持下，應(yīng)該會(huì)獲得更好的表現(xiàn)。東芝目前也是為數(shù)不多能夠自行生產(chǎn)SSD所有電路組件的廠(chǎng)商。
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