高速MOSFET柵極驅動電路的設計與應用指南

摘要

本文將展示一個用來設計高速開關應用所需的高性能柵極驅動電路的系統(tǒng)性方案。它綜合了各方面的信息，可一次性解決一些最常見的設計問題。因此，各個層面的電力電子工程師都值得一讀。

文中分析了一些最流行的電路方案及其性能，包括寄生元件、瞬間和極端工作條件的影響。首先，文章對MOSFET技術和開關操作進行了大致討論，從簡單問題逐漸轉向復雜問題，并詳細講述了低端和高端柵極驅動電路以及交流耦合和變壓器隔離式方案的設計程序。另外，文章還專門用一個章節(jié)的內(nèi)容來討論同步整流器應用中MOSFET的柵極驅動要求。

最后，本文還提供了多個分步驟的設計案例。

簡介

MOSFET，全稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管，是電子產(chǎn)品領域各種高頻高效開關應用的關鍵元器件。FET技術發(fā)明于1930年，比雙極晶體管還要早大約20年，這一點令人感到意外。最早的信號級FET晶體管出現(xiàn)在20世紀50年代末，而功率MOSFET則是在70年代中期問世的。如今，數(shù)百萬的MOSFET晶體管被集成到了各種電子元器件中，從微控制器到“離散式”功率晶體管。

本話題的重點在于各種開關模式電源轉換應用中功率MOSFET的柵極驅動要求。

作者：Laszlo Balogh，德州儀器

高速MOSFET柵極驅動電路的設計與應用指南