你造嗎？ 四大MOSFET實用技巧

　　三， MOS管的防靜電使用技巧

　　一般在MOS管的使用過程中都非常注意防靜電破壞。MOSFET 的柵極-源極間最大額定電壓約為±20V,如果驅(qū)動電壓超出這個范圍,就很有可能永久損壞MOSFET,主要是因為MOSFET 輸入阻抗大特點,電荷不能及時的流走,積聚在門極(G),就會造成Vgs大于這個±20V 的范圍,這時候MOSFET 就可能損壞。這就是為什么一定不準用手去摸MOSFET 的引腳的原因,手上的靜電高達千伏,MOSFET 一下子就被擊穿了。

　　記住,不要用手拿住MOSFET 的腿,不然可很不專業(yè)。為了防止MOSFET 被靜電破壞,大家也是費盡腦汁,除了嚴格按照規(guī)章制度外,帶上放電手套,電烙鐵接地等等都是必要的。

　　靜電問題往往是MOSFET 的薄弱處。在電路設(shè)計中應(yīng)該怎么來保護MOSFET 呢?既然Vgs 不能大于20V,那我們就可以在G 和S 之間,加一個20V 的穩(wěn)壓管,來防止干擾脈沖或是靜電破壞MOSFET。

　　四，單片機控制MOSFET 的應(yīng)用技巧

　　說到底，MOS管主要是應(yīng)用，按照MOS管的datasheet來說，確實比較復(fù)雜，對于初學(xué)者來說，就是名詞就夠折騰一陣。當然MOS管的datasheet中的主要參數(shù)還是必須要稍微了解的。今天就不在這里大談了。

　　為了說明MOS管的應(yīng)用技巧，為了給初學(xué)者一個鮮明的使用簡單的印象，這里只接受兩個簡單開關(guān)應(yīng)用，讓大家迅速掌握這個應(yīng)用技巧。

　　1.一個簡單的單片機控制MOSFET 導(dǎo)通電路，包含著所要講的MOSFET 的應(yīng)用技巧，如圖6

　　圖6：單片機控制MOS管導(dǎo)通

　　可以看得出,這個比較器的反向端我給他一個1V 的恒定電平(當然,0.5V/1.5V 都行),MCU_IO(接單片機的控制端口)如果輸出高電平(電壓肯定高于1V),比較器的輸出結(jié)果就接近于VCC。

　　這里需要注意,比較器輸出的電壓到底是多少?NO。不知道就對了,因為此時比較器輸出的所謂高電平,其實是比較器的供電電壓VCC,給這個比較器供電電壓時多少,就輸出多少(略小于VCC),比如,這里我們給比較器的供電電壓12V,此時比較器輸出12V,這個12V 就加在MOSFET 的門極 上,MOSFET 就會導(dǎo)通,負載就會通電.實現(xiàn)這個電路芯片比較多,比如LM358/LM324 等等。

　　2.比較常用的三極管控制MOS管應(yīng)用實例，不要急著說簡單,還有個更簡單的，如圖7

　　圖7 比較常用的三極管控制MOS管應(yīng)用實例

　　這個是摘自實際應(yīng)用的驅(qū)動電路，選取其中一部分給大家了解。圖中電阻R17 和三極管Q4,當MCU_IO 是高電平1 的時候,三極管導(dǎo)通,MOS管的門極電壓降低到低電平,MOS管 關(guān)閉，當MCU_IO 是低電平的時候,三極管Q4 關(guān)閉,此時MOS管導(dǎo)通。

　　這個是不是更簡單?怎么,太簡單了,懷疑會不會管用,放心好了,本官家里的樓頂上就有兩套太陽能發(fā)電系統(tǒng),就是這樣設(shè)計的,每天晚上家里的燈會自動打開,其中一套的回路就是這個,沒有問題的。

　　以上是四大MOSFET實用技巧，其實,MOSFET 的使用和應(yīng)用的驅(qū)動電路靈活多變,還有很多很多,有時間再和大家討論,寫這些的目的就是給大家個啟事,明白了MOSFET 的這些技巧后,驅(qū)動電路就自己開動腦筋去設(shè)計吧。