中國(guó)8英寸IGBT模塊地鐵車(chē)輛達(dá)國(guó)際領(lǐng)先水平

　　繼國(guó)內(nèi)首條8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片線在南車(chē)株洲所投產(chǎn)后，該所又傳來(lái)好消息：近日，載有首批8英寸IGBT芯片的模塊，在昆明地鐵車(chē)輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運(yùn)行一萬(wàn)公里，各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平。

　　此次試運(yùn)行的IGBT模塊，由南車(chē)株洲所旗下南車(chē)時(shí)代電氣自主研發(fā)的8英寸IGBT芯片封裝而成，IGBT芯片制造、封裝、測(cè)試的整套技術(shù)均在公司研制和生產(chǎn)。它的誕生到應(yīng)用，已徹底打破國(guó)外高端IGBT技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國(guó)產(chǎn)化。

　　作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國(guó)家戰(zhàn)略領(lǐng)域中不可或缺。但是，國(guó)內(nèi)IGBT技術(shù)起步較晚，發(fā)展艱難而緩慢。國(guó)內(nèi)大功率IGBT市場(chǎng)因此一直被國(guó)外公司壟斷。二十世紀(jì)六十年代初,株洲所開(kāi)始培養(yǎng)我國(guó)最早的半導(dǎo)體器件研發(fā)隊(duì)伍。改革開(kāi)放后，該所從美國(guó)西屋公司引進(jìn)一條3英寸大功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線，通過(guò)消化和吸收，先后成功研制出5英寸系列普通晶閘管和整流管及世界上第一只6英寸晶閘管。

　　2008年，南車(chē)時(shí)代電氣成功并購(gòu)英國(guó)丹尼克斯半導(dǎo)體公司，2012年，株洲所投資15億元，在株洲建設(shè)起國(guó)內(nèi)第一條8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片線，并于今年6月正式投產(chǎn)。10月，自主IGBT模塊成功通過(guò)功率考核試驗(yàn)，并于當(dāng)月底裝載至昆明地鐵1號(hào)線城軌車(chē)輛。