無NAND之地：閃存無法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心？

　　SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。

　　著眼于全球范圍，SSD的生產(chǎn)與出貨能力仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于磁盤驅(qū)動器的生產(chǎn)與出貨能力。分析企業(yè)尼古拉斯公司利用其自有與Gartner展望結(jié)論，就這兩類存儲方案在2018年的整體容量作出以下預(yù)測。

　　閃存代工成本的基礎(chǔ)水平至少為150億美元，如此規(guī)模的投入金額更像是國家級別的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)項目、而非企業(yè)能夠負(fù)擔(dān)的制造設(shè)施支出。舉例而言，英國連接倫敦與伯明翰之間的HS2高鐵也僅僅為160億英鎊(約合250億美元)——去年六月這一金額被修正為220億美元(約合340億美元)。

　　除非能夠找到萬無一失的盈利手段同，否則沒有哪家企業(yè)愿意承擔(dān)如此沉重資金壓力做出這樣的決定。而DRAM與NAND業(yè)界的以往盈利表現(xiàn)只能用傷痕累累來形容，因此從業(yè)企業(yè)在對待資金投入時更需要格外小心。

　　而真正的大問題還在于每GB使用成本方面。以疊瓦式、TDMR(即二維磁記錄)以及HAMR(即熱輔助磁記錄)為代表的新型磁盤技術(shù)正進(jìn)一步提高磁盤驅(qū)動器中單一碟片的存儲密度，從而以超越NAND技術(shù)的迅猛態(tài)勢實現(xiàn)每GB使用成本削減。

　　NAND幾何尺寸的每一次縮減都會給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言，在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。從以上圖表可以明確看到，3D NAND這種將單元層彼此堆疊的實施方式并不能為SSD的容量帶來足以與市場匹配的提升速度，而每GB使用成本的下降節(jié)奏也有些遲緩——與此同時，磁盤容量上限卻在不斷突破。

　　只需經(jīng)過簡單計算，我們就能發(fā)現(xiàn)SSD容量增速要想在2018年跟上磁盤的發(fā)展節(jié)奏，那么屆時閃存代工能力需要達(dá)到現(xiàn)有水平的八倍左右。假設(shè)具體涉及二十套代工基礎(chǔ)設(shè)施，則意味著整個行業(yè)需要投入3000億美元——而這還僅僅是初步估計。真正的數(shù)字甚至有可能達(dá)到5000億美元上下。

　　這種情況很明顯不會出現(xiàn)。因此我們可以確定，數(shù)據(jù)中心存儲容量依然需要以磁盤為主導(dǎo)，直到固態(tài)半導(dǎo)體制造技術(shù)能夠具備遠(yuǎn)低于當(dāng)前的生產(chǎn)成本水平。